# 如何在Android上查看eMMC寿命
在Android开发中，获取设备的eMMC（嵌入式多媒体卡）寿命信息是一个关键的任务，尤其是在性能监控和优化的过程中。本文将帮助刚入行的小白开发者实现这一目标。我们将分步讲解如何完成此任务，并提供必要的代码示例和详细说明。
## 流程概述
下面是实现“查看eMMC寿命”的简要流程：
| 步骤 | 描述
原创
2024-10-15 05:54:41
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Big red note在了解UBIFS之前一定要注意UBIFS和任何传统的文件系统是不一样的：UBIFS不是运行在block device之上的（比如hard disk, MMC/SD卡，USB flash驱动等等）。UBIFS是运行于raw flash之上。请在开始UBIFS之旅前确保理解raw flash和MMC flash的区别。OverviewUBIFS是nokia工程师在the uni
作者：35后时代
eMMC使用厂商 目前针对全球主要手机大厂如诺基亚(Nokia)、三星电子(Samsung Electronics)、摩托罗拉(Motorola)、黑莓(RIM)和乐金电子(LG Electronics)等均已在智能手机或者3G手机等高端产品全面采用eMMC产品。对于苹果(Apple)，其ipad，iphone等产品使用的16GB，32GB等高
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2023-12-11 14:28:24
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不管是哪种闪存的SSD，你大都可以放心使用，因为它们的寿命都比官方宣称的要久，所以老担心提前挂掉这想法有些多余。大家应该还记得，一家名叫Heise的德国网站，其之前做了一个相当有趣的测试，那就是SSD的寿命到底有多久，其购买了6款比较有代表性的SSD(一共12个，每个型号2个)，包含有Crucial BX 200、OCZ TR150、三星750 Evo、三星
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2024-04-15 13:47:38
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固态硬盘写入寿命是【10-20】年左右，一款120G的固态硬盘，要写入120G的文件才算做一次【P/E】，普通用户正常使用，即使每天写入50G，平均2天完成一次【P/E】，3000个【P/E】能用20年。固态硬盘写入寿命一般是10-20年左右。固态硬盘闪存具有擦写次数限制的问题，这也是许多人诟病其寿命短的所在。闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约
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2024-05-05 19:33:19
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SSD与EMMC寿命差异 我们讲闪存寿命，要分清单cell的使用次寿命和闪存设备整体的使用时间寿命。 单cell使用次寿命是个相对固定的指标，如果参考寿命是2000次，大部分会在这个次数出现异常，即使没有也是个危险体。整体的时间寿命则有很多影响因素。首先，动态纠错和坏块归集降低了我们碰到坏块或错误数据被存储
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2024-03-03 23:36:50
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与CPU的重要性类似，内存也是一个计算机系统中最基本、最重要的组件，因为任何应用程序的执行都需要用到内存。将内存密集型的应用程序分别在非虚拟化的原生系统和KVM客户机中运行，然后根据它们的运行效率就可以粗略评估KVM的内存虚拟化性能。对于内存的性能测试，可以选择CPU性能测试工具提到的SPECjbb2015、SysBench、内核编译等基准测试（因为它们同时也是内存密集型的测试），还可以选择LMb
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2024-04-15 11:22:19
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关键的一些名词: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC,eMMC,USF2.0
一、 ROM(Read Only Memory)
ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来
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2024-08-19 10:12:13
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Android Automotive 中的闪存磨损管理Android Automotive 内部存储设备使用了支持上千次清空/写入周期的嵌入式多媒体卡 (eMMC)；如果 eMMC 发生故障，系统可能会变得无法使用。由于汽车的使用寿命较长（通常为 10 年以上），因此 eMMC 必须非常稳定可靠。本页面介绍了 eMMC 行为，以及 OEM 如何降低 eMMC 发生故障的风险（从而避免 A
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2024-03-27 22:56:48
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AIR和MBP都广泛采用了SSD替代传统的机械硬盘，除了速度快很多之外，我们其实对SSD的寿命和特点还是有些不清晰，在此整理一些资料，与各位FY分享。SSD的寿命到底有多长？ SSD的寿命决定于它的擦写次数，闪存完全擦写一次叫做1次P/E，因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E，而25nm的寿命约是3000次P/E。是不是看上去寿命更
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2024-05-15 09:24:42
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摘要电池健康度是电池管理的核心参数，本论文旨在辅助电池健康度的预测。电池可以划分为系统，内部状态两个部分进行描述。电池健康度作为内部状态的一部分，可以由一些可观测的电池参数计算得到。基于电池的开路电压曲线，不同的几何分析方法采用不同的输出特征进行预测。此外，利用数据处理分组方法(GMDH)多项式神经网络建立了微分几何特性与电池健康度之间的关系模型。因此，电池健康度的预测可以通过数据处理分
数码存储厂商华储今天发布了新一代三款高速CF卡存储卡，继续进攻国内市场。这三款CF存储卡，性能均在1000x以上，均为影视存储领域而专门设计，主打高速、高品质，包括旗舰版(ULT系列)、专业版(Pro系列)和标准版(ECO系列)。华储Ultra系列CF存储卡，也就是旗舰版CF存储卡，采用了东芝原装SLC闪存，用闪存颗粒保证了高速读写、稳定读写和超长的寿命。SLC闪存芯片的寿命，大约是普通MLC的
NAND闪存如今已为消费级、企业级市场广泛接纳，速度快、轻便易携、安静无噪音都是它的优势，不过难言之隐就是NAND的P/E循环次数有限，主流的25nm MLC闪存寿命是3000-5000次，如今20nm级MLC NAND普遍不到3000次，TLC甚至不足1000次。工艺越来越先进，NAND存储密度越来越高，由于物理结构的原因其寿命也在降低，为此EMC的专家表示NAND需要新的继任者，明年相变技术的
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2024-05-24 22:18:26
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1、说明FORESEE eMMC 是BGA封装设计的嵌入式的存储解决方案，FORESEE eMMC由NAND flash和eMMC控制器组程，控制器可以管理接口协议、负载平衡、坏区管理和ECC(错误检查纠正，存在ecc内存)。FORESEE eMMC 有很高的竞争性能，高质量和低电量消耗，兼容JEDEC（固态电子协会）标准的eMMC 5.1规格2、产品清单密度元件号NAND flash Type容
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2024-05-04 12:49:19
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最近隔壁开始恶意中伤机器买来就已经S-OFF的朋友们的机器。我实在看不下去了。站出来发表一个说明。什么是S-OFF？S代表 Security Lock安全锁，保护锁的意思。S-OFF就是保护关。S-ON就是保护开Secure Lock 就是安全锁。是硬件设计商用于保护自己固件不被刷写而设计的安全锁。如果这个安全锁是关闭的，那么对手机内的闪存芯片的刷写保护就关闭了。言外之意就是可以随便刷ROM了。而
1、为什么学习系统移植为后边学习linux驱动开发打基础linux驱动开发：基于linux内核提供的接口，完成硬件驱动的开发。2、系统移植的目的给开发板移植一个linux操作系统3、如何学习系统移植系统移植都是流程化的操作，重点掌握系统移植的流程动手操作不要深追代码4、GNU组织相关命令的扩展(二进制工具)gcc / g++ (重点)gdb (重点)ld (重点) 将.o文件链接生成.
以下是 UFS 设备功能的摘要: 一、High speed GEARs 可以看出gear1和gear2是必须支持的。gear3是可选的。在ufs协议中，关于这部分的内容，结合MIPI M-PHY相关协议看会更加好一点，ufs的物理层实现，毕竟是根据M-PHY设计的。MIPI M-PHY介绍的是一种具有高带宽，高能效的串行差分接口技术，该技术专为移动应用而开发，以获得低引脚数和非常好的电源
今年的FMS 2019闪存峰会，东芝奉上不少干货。除了获得展会最佳的XFMEXPRESS形态固盘、以太网SSD、XL-Flash等，东芝在路线图中还前瞻了SAS 4接口、PCIe 5.0/6.0标准、甚至是BiCS第四、第五代、第六代、第七代闪存产品，信号带宽分别高达800MT/s、1200MT/s、1600MT/s和超过2000MT/s。同时，5bit/cell的PLC(Penta-level
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2024-05-15 13:16:19
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一款手机的闪存优劣，决定着这台手机的存储读取速度的快慢，读取速度绝对一款手机开启APP的速度，这就像一个木桶，闪存的好坏，绝对木桶盛水量的多少，那是手机CPU再快也没有作用。 那闪存又是什么呢？一款手机的闪存主要由三个部件组成，ROM(存储颗粒)、主控芯片以及数据接口形式，它们再和传输协议一起进行封装，形成一个高度集成的存储模块。目前主要生产存储颗粒的厂商有几家，三星、海力士
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2024-05-31 12:13:06
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目录一、概述二、EMS的测试项目1）静电放电抗扰度（ESD）2）辐射电磁场（80MHz～1000 MHz）抗扰度（RS）3）电快速瞬变/脉冲群抗扰度4）浪涌（雷击）抗扰度5）注入电流（150kHz～230MHz）抗扰度（CS）6）电压暂降和短时中断抗扰度二、EMI的测试项目1）谐波电流（2～40次谐波）2）闪烁Flicker3）传导骚扰（CE）4）辐射骚扰（RE）一、概述 &
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2024-03-24 09:13:01
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