一般来说，EMC的OTP类型芯片是只能进行一次烧录的。但是如果在第一次烧录时，某一位为被烧为“1”，则该位可以再次被烧录成“0”;反之，如果已经被烧录成“0”了，则无法再次烧录成“1”。由此，有人发现了以下文章中介绍的这种多次烧录OTP芯片的方法。在EMC单片机中，“ADD A,@0xFF”的机器码为全1。在下面这篇文章中，介绍的是用“ADD A,@0xFF”指令来预填，方便下次的改写
闪存——磨损均衡一、概念首先我们应当明确，磨损均衡是闪存的一种抹平技术。那么何为抹平技术？要先了解闪存。 闪存是目前比较流行的只读存储器，属于电擦除可编程只读存储器的升级，可以反复擦写，这就是抹平。但是闪存内的区块有抹写次数限制，对于同一个区块进行重复的抹除和写入，会造成区块读取速度变慢，甚至损坏。 磨损均衡名字中的均衡，就意味着要尽量平均使用闪存内的每个存储区快，避免部分给过度使用变成坏区块，而
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2024-05-16 19:58:29
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关键的一些名词: PROM,EPROM,EEPROM,SPD,SRAM,DRAM,RDRAM,SDRAM,DDRSDRAM,NORFlash,NADNFlash,HDD,SSD,SLC,MLC,TLC,eMMC,USF2.0
一、 ROM(Read Only Memory)
ROM(Read Only Memory),只读存储器。用来
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2024-08-19 10:12:13
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1、概述1.1 文档概要前段时间学习了AndroidRecovery模式及OTA升级过程，为加深理解和防止以后遗忘，所以写这篇文档进行一个总结和梳理，以便日后查阅回顾。文档主要包括两部分，第一部分为OTA升级包的制作过程分析，第二部分为Recovery模式下OTA升级包安装过程的分析，其中包括Recovery模式分析及服务流程。2、OTA升级包制作工程2.1&nb
调试嵌入式系统，比如手机，平板电脑。遇到bug要定位代码的位置。一般有下面的方法。1，通过命令行参数将控制台重定性到某个串口，PC的串口连接到手机的UART串口，打开超级终端或者用secure_CRT工具，设置比特率，将手机的log输出到securecrt，从log大概判断到代码出错位置，再根据需要在代码添加log进行精确定位bug的位置。2，如果手机没有串口，可以通过USB的连接用ADB调试，
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2024-09-17 23:00:48
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一 STC32G 单片机EEPROM简介STC32G系列单片机内部集成了大量的EEPROM，特别是STC32G12K128集成多达128K EEPROM。STC32G内部EEPROM可擦写10万次，分若干扇区，每个扇区512字节。EEPROM的写操作只能将1写为0。要将0写为1，必须擦除扇区。EEPROM的读写是以字节为单位，擦除是以扇区为单位进行，要修改扇区内容，需要先将整
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2024-04-12 15:42:20
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（1）VFS文件系统 操作系统中负责管理和存储文件信息的软件机构称为文件管理系统，简称文件系统。文件系统由三部分组成：与文件管理有关的软件、被管理的文件以及实施文件管理所需的数据结构。一个分区或磁盘能作为文件系统使用前，需要初始化，并将记录数据结构写到磁盘上。这个过程就叫建立文件系统。嵌入式LINUX的文件系统包括如下：ext2、ext3
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2024-07-30 17:19:38
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对于STM32操作SD卡来说，最重要的就算初始化、写操作、读操作、擦除这几个操作了。对于初始化部分上一篇文章已经分析，本篇就主要分析写、读、擦除操作。本篇函数来自于STM32提供的例程。参考野火的程序进行了解释，与野火函数有些不同。这几种函数完成之后，就是开始实现对SD卡进行操作了。? ? ?SD卡擦除函数SD卡擦除函数比较简单，只用到CMD32、CMD33、CMD38指令。最后需要确保SD卡擦除
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。 SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，
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2024-04-26 08:33:35
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Flash存储器，简称Flash，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还不会因断电而丢失数据，具有快速读取数据的特点，Flash总类可谓繁多，功能各异，而你对它了解有多少呢？今天就和宏旺半导体一起来看看。为了让大家更深入了解Flash，今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点，给大家一个全新认识。在了解之前Flash之前，先要弄清它和DRAM的区
250GB 容量，512MB DDR4 缓存，连续读取不超过 550MB/s，连续写入不超过 520MB/s。“双十一”在天猫看到一款固态硬盘有上面的这些介绍，这些数字分别代表了什么意思？在专栏前面卡顿和启动优化里，我也经常提到 I/O 优化。可能很多同学觉得 I/O 优化不就是不在主线程读写大文件吗，真的只有这么简单吗？那你是否考虑过，从应用程序调用 read() 方法，内核和硬件会做什么样的处
EraseTrim Discard Sanitize详解针对JEDEC协议中几个抹除资料的命令，大家都很容易将其混淆。现在就这四个抹除命令作详细介绍，希望能帮助大家分清各个命令的具体含义及用法。Erase1.1擦除组（EraseGroup）Erase翻译过来是抹去、擦除的意思。eMMC中可擦除的单位称为“擦除组”，擦除组是用写入块（writeblocks,Device的基本可写单位）来测量的。擦除
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2024-05-03 07:52:16
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一、存储器我们正常编译生成的二进制文件，需要下载烧录到单片机里面去，这个文件保存在单片机的ROM(read only memory)中，所有可以完成这种特性的存储介质都可以称为ROM。 分类 ROM一般分为四大类 ①PROM：可编程只读存储器，只可擦写一次。例如：芯片的全球唯一ID码 ②EPROM：可擦除可编程只读存储器，一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。 ③EEPROM：带电可
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2024-06-09 19:09:57
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?个人主页：
highman110
?作者简介：一名硬件工程师，持续学习，不断记录，保持思考，输出干货内容
今天继续分享FTL的另一项功能：磨损平衡。我们知道nand flash的擦写次数是有限的，从SLC十几万的擦写次数，到MLC几千的擦写次数，然后到TLC的一两千次甚至几百次擦写次数，随着闪存工艺不断向前推，闪存的寿命越来越短，而我们在平时的操作中，有可能某个b
SLC（Single-Level Cell）即1bit/cell，速度快寿命长，价格昂贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命；MLC（Multi-Level Cell）即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约5000---10000次擦写寿命；TLC（Trinary-Level Cell）即3bit/cell，有的Flash厂家也叫8LC，速度慢，寿命短，价格便宜，约500
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2024-09-09 16:27:17
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通过前天的文章介绍，我们知道eMMC 是 Flash Memory 的一类，eMMC的内部组成是NAND flash+主控IC，那什么是Flash Memory、NOR Flash、NAND Flash，宏旺半导体就和大家好好捋一捋它们几者之间的关系。Flash Memory 是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在 PC 系统中，则主要用在固态硬盘以
在嵌入式单片机开发时，虽说现在的flash擦写次数少则10w次，也有寿命接近无限的铁电存储器，但对于常常把
成本挂嘴边的消费电子来说不实际，通常需要在软件上微操，一般两个办法：1、上文件系统；2、也就是本文要说的
规范FLASH使用，以达到延长产品寿命目的。
首先需要说明，擦除是0变1，写入是1变1或0，FLASH的寿命指的是每1bit擦、写寿命，读不受限制，随着擦写次数越
多，FLASH老化，表
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2024-09-08 13:56:29
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Memcached说明文档Memcached是什么？Memcached 是一个高性能的分布式内存对象缓存系统，用于动态Web应用以减轻数据库负载。它通过在内存中缓存数据和对象来减少读取数据库的次数，从而提供动态、数据库驱动网站的速度。Memcached基于一个存储键/值对的hashmap。其守护进程（daemon ）是用C写的，但是客户端可以用任何语言来编写，并通过memcached协议与守护进程
Flash 存储问题总是在我们技术支持渠道位列榜首。Toradex 投入了大量资源保证存储尽可能的稳定。然而，了解一些关于存储的基本知识还是十分重要的。首先你需要知道存储是否磨损，当往内置的存储设备上写入大量数据后，你就很容易损坏它。通过这篇博文，我们想要告诉你 Flash 存储可能会遇到的一些问题。我们先简单介绍技术内容。
Flash 类型：Raw Flash vs Managed
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2024-07-22 09:00:50
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1、MMC、SD卡、eMMC介绍1.1、三者关联(1)最早出现的是MMC卡，卡片式结构，按照MMC协议设计。（相较于NandFlash芯片来说，MMC卡有2个优势：第一是卡片化，便于拆装；第二是统一了协议接口，兼容性好。） (2)后来出现SD卡，兼容MMC协议。SD卡较MMC有一些改进，譬如写保护、速率、容量等。 (3)SD卡遵守SD协议，有多个版本。多个版本之间向前兼容，SD卡除了支持SD协议还
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2024-03-18 19:16:11
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