通过前天的文章介绍,我们知道eMMC 是 Flash Memory 的一类,eMMC的内部组成是NAND flash+主控IC,那什么是Flash Memory、NOR Flash、NAND Flash,宏旺半导体就和大家好好捋一捋它们几者之间的关系。Flash Memory 是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在 PC 系统中,则主要用在固态硬盘以
闪存——磨损均衡一、概念首先我们应当明确,磨损均衡是闪存的一种抹平技术。那么何为抹平技术?要先了解闪存。 闪存是目前比较流行的只读存储器,属于电擦除可编程只读存储器的升级,可以反复擦写,这就是抹平。但是闪存内的区块有抹写次数限制,对于同一个区块进行重复的抹除和写入,会造成区块读取速度变慢,甚至损坏。 磨损均衡名字中的均衡,就意味着要尽量平均使用闪存内的每个存储区快,避免部分给过度使用变成坏区块,而
转载 2024-05-16 19:58:29
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 一般来说,EMC的OTP类型芯片是只能进行一次烧录的。但是如果在第一次烧录时,某一位为被烧为“1”,则该位可以再次被烧录成“0”;反之,如果已经被烧录成“0”了,则无法再次烧录成“1”。由此,有人发现了以下文章中介绍的这种多次烧录OTP芯片的方法。在EMC单片机中,“ADD A,@0xFF”的机器码为全1。在下面这篇文章中,介绍的是用“ADD A,@0xFF”指令来预填,方便下次的改写
1、概述1.1   文档概要前段时间学习了AndroidRecovery模式及OTA升级过程,为加深理解和防止以后遗忘,所以写这篇文档进行一个总结和梳理,以便日后查阅回顾。文档主要包括两部分,第一部分为OTA升级包的制作过程分析,第二部分为Recovery模式下OTA升级包安装过程的分析,其中包括Recovery模式分析及服务流程。2、OTA升级包制作工程2.1&nb
调试嵌入式系统,比如手机,平板电脑。遇到bug要定位代码的位置。一般有下面的方法。1,通过命令行参数将控制台重定性到某个串口,PC的串口连接到手机的UART串口,打开超级终端或者用secure_CRT工具,设置比特率,将手机的log输出到securecrt,从log大概判断到代码出错位置,再根据需要在代码添加log进行精确定位bug的位置。2,如果手机没有串口,可以通过USB的连接用ADB调试,
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一  STC32G 单片机EEPROM简介STC32G系列单片机内部集成了大量的EEPROM,特别是STC32G12K128集成多达128K EEPROM。STC32G内部EEPROM可擦写10万次,分若干扇区,每个扇区512字节。EEPROM的写操作只能将1写为0。要将0写为1,必须擦除扇区。EEPROM的读写是以字节为单位,擦除是以扇区为单位进行,要修改扇区内容,需要先将整
(1)VFS文件系统      操作系统中负责管理和存储文件信息的软件机构称为文件管理系统,简称文件系统。文件系统由三部分组成:与文件管理有关的软件、被管理的文件以及实施文件管理所需的数据结构。一个分区或磁盘能作为文件系统使用前,需要初始化,并将记录数据结构写到磁盘上。这个过程就叫建立文件系统。嵌入式LINUX的文件系统包括如下:ext2、ext3
EraseTrim Discard Sanitize详解针对JEDEC协议中几个抹除资料的命令,大家都很容易将其混淆。现在就这四个抹除命令作详细介绍,希望能帮助大家分清各个命令的具体含义及用法。Erase1.1擦除组(EraseGroup)Erase翻译过来是抹去、擦除的意思。eMMC中可擦除的单位称为“擦除组”,擦除组是用写入块(writeblocks,Device的基本可写单位)来测量的。擦除
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SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命。    SLC 利用正、负两种电荷  一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命。     MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,
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?个人主页: highman110 ?作者简介:一名硬件工程师,持续学习,不断记录,保持思考,输出干货内容 今天继续分享FTL的另一项功能:磨损平衡。我们知道nand flash的擦写次数是有限的,从SLC十几万的擦写次数,到MLC几千的擦写次数,然后到TLC的一两千次甚至几百次擦写次数,随着闪存工艺不断向前推,闪存的寿命越来越短,而我们在平时的操作中,有可能某个b
SLC(Single-Level Cell)即1bit/cell,速度快寿命长,价格昂贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命;MLC(Multi-Level Cell)即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约5000---10000次擦写寿命;TLC(Trinary-Level Cell)即3bit/cell,有的Flash厂家也叫8LC,速度慢,寿命短,价格便宜,约500
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250GB 容量,512MB DDR4 缓存,连续读取不超过 550MB/s,连续写入不超过 520MB/s。“双十一”在天猫看到一款固态硬盘有上面的这些介绍,这些数字分别代表了什么意思?在专栏前面卡顿和启动优化里,我也经常提到 I/O 优化。可能很多同学觉得 I/O 优化不就是不在主线程读写大文件吗,真的只有这么简单吗?那你是否考虑过,从应用程序调用 read() 方法,内核和硬件会做什么样的处
Flash存储器,简称Flash,它结合了ROM和RAM的长处,不仅具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点,Flash类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢?今天就和宏旺半导体一起来看看。为了让大家更深入了解Flash,今天将主要根据芯片的通信协议并且结合Flash的特点,给大家一个全新认识。在了解之前Flash之前,先要弄清它和DRAM的区
一、存储器我们正常编译生成的二进制文件,需要下载烧录到单片机里面去,这个文件保存在单片机的ROM(read only memory)中,所有可以完成这种特性的存储介质都可以称为ROM。 分类 ROM一般分为四大类 ①PROM:可编程只读存储器,只可擦写一次。例如:芯片的全球唯一ID码 ②EPROM:可擦除可编程只读存储器,一旦编程完成后,EPROM只能用强紫外线照射来擦除。 ③EEPROM:带电可
Memcached说明文档Memcached是什么?Memcached 是一个高性能的分布式内存对象缓存系统,用于动态Web应用以减轻数据库负载。它通过在内存中缓存数据和对象来减少读取数据库的次数,从而提供动态、数据库驱动网站的速度。Memcached基于一个存储键/值对的hashmap。其守护进程(daemon )是用C写的,但是客户端可以用任何语言来编写,并通过memcached协议与守护进程
在嵌入式单片机开发时,虽说现在的flash擦写次数少则10w次,也有寿命接近无限的铁电存储器,但对于常常把 成本挂嘴边的消费电子来说不实际,通常需要在软件上微操,一般两个办法:1、上文件系统;2、也就是本文要说的 规范FLASH使用,以达到延长产品寿命目的。 首先需要说明,擦除是0变1,写入是1变1或0,FLASH的寿命指的是每1bit擦、写寿命,读不受限制,随着擦写次数越 多,FLASH老化,表
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2017-2018-1 20155318 《信息安全系统设计基础》第九周学习总结教材学习内容总结学习目标了解常见的存储技术(RAM、ROM、磁盘、固态硬盘等)理解局部性原理理解缓存思想理解局部性原理和缓存思想在存储层次结构中的应用高速缓存的原理和应用教材学习本周学习了课本第六章的内容:三种常见存储技术:RAM/ROM/磁盘随机访问存储器(RAM) 静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)非易失
固态硬盘ssd的寿命如何计算,固态硬盘质量怎么检测?① 机械硬盘的寿命一般是用使用(通电)时间来计算的,比如500GB机械硬盘通电20000个小时。② 固态硬盘ssd 不能用通常的通电时间来计算。 请问SSD中的3000PE和1000PE是什么意思 闪存完全擦写一次叫做1次P/E,因此闪存的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次P/E,而25nm的寿命约是3000次P/E。&n
Linux的一个进程有下面几组用户ID和组ID:real-uid/real-gid是这个进程的拥有者(组)。getuid、getgid可以得到它们。effective-uid/effective-gid是Kernel用来判断资源(Message Queue,Shared Memory,Mutex等)访问权限的主要ID。在Linux系统中,这个ID不直接决定文件系统的访问权限,而是Filesyste
  前段时间出现了一个问题,就是重启一个RAC节点时突然报恢复区大小不足的问题,查了一下应该没有问题,已经修改为500G了,应该还有200多G的剩余空间的,怎么一下就没了,而且删除了里面不少文件,并且用RMAN里的crosscheck同步了控制文件,还是不行。后来检查了一下,发现是该节点重启后忘记了原来修改的参数了,直接变成了初始参数,怪不得一直报空间不够,初始参数才那么一点!&nbsp
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