# DDR芯片架构及示例代码
DDR（Double Data Rate）芯片是一种用于存储数据的半导体设备，广泛应用于计算机、手机和其他电子设备中。本文将介绍DDR芯片的架构，并通过示例代码展示其使用方法。
## DDR芯片架构
DDR芯片由多个内存芯片组成，每个内存芯片包含多个存储单元。这些内存芯片通过总线连接到控制器，控制器负责管理读写操作以及处理与其他部件的通信。
DDR芯片的架构可
原创
2023-12-25 07:25:40
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1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常，RX CALIB校准不通过。 解决方法：检查PCB设计，纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误，且出错的地址空间随机。 解决方法：检查PCB板设计，发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足，飞线输入单独电源后解决。3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问，基本的写读
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2023-08-17 12:54:03
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文章目录概要整体架构流程技术名词解释技术细节小结 概要提示：这里可以添加技术概要例如：本文以米联科开发板为例，介绍ddr测试相关例程。整体架构流程提示：这里可以添加技术整体架构技术名词解释提示：这里可以添加技术名词解释例如：app _addr:表示正在提交给用户界面的请求的地址。聚合外部所有地址字段，并向您显示一个平面地址空间，每个地址待变4BYTES。app _cmd: 此输入指定请求的命令如
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2024-08-02 15:49:46
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DDR基础原理介绍1、前言DDR的全称为Double Data Rate SDRAM，双倍速率的SDRAM，SDRAM在一个CLK周期传输一次数据，DDR在一个CLK周期传输两次数据，分别在上升沿和下降沿各传输一次数据，该概念称为预取，在描述DDR速度的时候一般使用MT/S单位，每秒多少兆次数据传输。 2、DDR结构
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2024-01-05 22:39:18
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从整体上了解了DDR的特性和静态图，包括原理、管脚图等。那么本章就要从动态的角度来分析时序结构，包括read/write的整个过程到数据返回发生了什么。一，DRAM基本组成对于DRAM，其主要由行和列组成，每一个bit中都是由类似右下图的类晶体管的结构组成，对于sdram的数据，可以通过控制column和row就可以访问sdram的随机地址的内容。 读取某一个bit的状态，就是选中
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2024-06-06 20:55:16
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DDR模块的PCB设计1、定义DDR:Double Data Rate 双倍速率同步动态随机存储器2、阻抗控制要求单端走线控制50欧姆，差分走线控制100欧姆3、DDR 布局要求通常，根据器件的摆放方式不同而选择相应的拓扑结构。A、DDR*1 片，一般才用点对点的布局方式，靠近主控，相对飞线Bank对称。间距可以按照是实际要求进行调整，推荐间距为 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相对
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2024-01-10 19:23:29
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至少20年前，一些顶尖的软件设计人员就已经认识到领域建模和设计的重要性，但令人惊讶的是，这么长时间以来几乎没有人写出点儿什么，告诉大家应该做哪些工作或如何去做。尽管这些工作还没有被清楚地表述出来，但一种新的思潮已经形成，它像一股暗流一样在对象社区中涌动，我把这种思潮称为领域驱动设计（domain-driven design）。过去10年中，我在几个业务和技术领域开发了一些复杂的系统。我在设计和开发
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2024-07-15 17:06:45
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前言 首先我们我们看下下图的电路，在DDR的电路中通常有ZQ部分的电路，外接1%高精度的240ohm电阻，那么这个240ohm电阻究竟是做什么用的呢？很多做了硬件或者驱动开发很多年的工程师仍然是一知半解，今天我们就来仔细的探讨一下这个问题！ 首先我们以DDR3作为例子，如下图所示，在DDR2中，所有的DQ以及其它的信号PI
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2024-06-05 09:59:35
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SDRAM(Synchronous dynamic random access memory)，同步动态随机访问内存，通常包括 SDR (Single Data Rate) SDRAMs以及DDR (Double Data Rate) SDRAMs.在显卡中常用的是GDDR SDRAMs以及HBM。 如图一所示，左
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2024-06-15 06:10:23
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# 解决DDR中架构问题的过程记录
DDR（Data-Dependent Register）中架构是一个复杂的系统架构问题。随着技术的不断进步，DDRx（例如DDR4、DDR5）的出现给系统设计带来了新的挑战和机遇。这篇博文将从多个角度整理如何有效解决DDR中架构问题的过程。
## 背景描述
在过去的十年中，DDR技术经历了重大的变化。从最初的DDR1（2000年推出
作者：一博科技高速先生自媒体成员 黄刚通常情况下，我们都认为测试是一种比较有效而且准确的方法，但是当测试结果出乎我们预料之后，我们该如何去判断和排查呢？本期文章给大家分享下这个案例哈！ 这是一个利用高速先生实验室示波器来测试DDR4模块的测试案例，客户在他们自己功能测试完成之后，还想找我们来测试下信号质量和看看时序。听说到我们这边有示波器以及对应的DDR测试套件后，就把他们自己的产品
基础Memory-network传统的RNN/LSTM等模型的隐藏状态或者Attention机制的记忆存储能力太弱,无法存储太多的信息,很容易丢失一部分语义信息,所以记忆网络通过引入外部存储来记忆信息.记忆网络的一般框架如下图所示: 记忆网络它包括四个模块:I(Input),G(Generalization),O(Output),R(Response),另外还包括一些记忆单元用于存储记忆
1、DDR SDRAM名称含义 DDR是双边沿数据， S是同步即操作都有时钟来同步， D是动态存储表示需要定时刷新，掉电或不刷新存储信息会丢失， RA表示随机存取，表示读写操作延迟不随访问存储介质的物理位置的不同而不同。 2、DDR的层级结构，从上
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2024-01-31 01:36:37
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DDR全称：Double data rate，顾名思义为双倍数据速率。所谓的双倍数据速率传输，是由于时钟周期存在两个数据的传输，分别在上升沿和下降沿上，因此总线传输速率为输入时钟频率的两倍。DDR3L和DDR3的区别在于工作电压，DDR3L工作电压1.35V，性能相对于DDR3较差一些，但更省电。DDR3的工作电压为1.5V，性能比DDR3L更优。DDR管脚分为： 一、控制线 （1）ODT:片上终
作者：ARM-WinCE 我们在项目中更换了DRAM，所以需要重新配置S3C6410的DRAM控制器，结果发现S3C6410中的DRAM控制器还是挺复杂的。 S3C6410支持两个DRAM片选，可以分别接最大256MB的内存，该处理器用的DRAM控制器是来自ARM的PrimeCell Dynamic Memory Controller(PL340)。只看S3C6410的Data
-20846214-id-2413061.html
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2023-07-31 17:37:07
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DDR系列SDRAM存储芯片的高速率、高集成度和低成本使其理所当然成为存储芯片中的一霸。在PC和消费电子领域自是如此，它被称为“主存”。其实，随着通信设备价格战愈演愈烈，在看起来水有点深的通信设备上，DDR系列存储芯片（当前主流是DDR3 SDRAM）也成为首选。很多网络处理芯片都需要配套的存储芯片来进行数据的缓存。比如流量管理芯片（Traffic Management）在决定允许哪个数据包通过时
一、ASIC与ASSP区别？ 专用应用集成电路（ ASIC） 是一种由电子组件组成的集成电路，例如 ：晶体管、电容器、电阻器等，这些组件被植入到晶元上 ；晶元由硅或其他半导体材料组成，并可按照特定用途定制。话音记录器和高频比特币矿机都是 ASIC。多年来，集成电路的组件体积已经缩小，这意味着在相同空间的情况下，可制成复杂度更高的电路。由于组件体积的缩小，现在
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2024-01-21 09:16:42
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芯片的分类：日常生活中，我们可以发现芯片的种类比如有通信芯片、人工智能芯片、LED芯片、电脑芯片等等。芯片的产业链是这样的：根据产业链划分，芯片从设计到出厂的核心环节主要包括 6 个部分：（1）设计软件，芯片设计软件是芯片公司设计芯片结构的关键工具，目前芯片的结构设计主要依靠 EDA（电子设计自动化）软件来完成；（2）指令集体系，从技术来看，CPU 只是高度集合了上百万个小开关，没有高效的指令集体
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2024-02-10 09:53:04
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关于半导体芯片设计和加工的重要性，已经喊了几十年了，国家和企业也投资了很多人力物力发展半导体领域。有成绩但是不显著，尤其是在高端处理器行业更很难看到明星产品。直到近两年华为投入重金研发芯片，取得了不错的成绩，尤其是麒麟处理器更是达到了行业头部地位。 在华为没有领先的几年，芯片领域可谓是风平浪静，美国就像随便你折腾，估计也折腾不出什么浪花，直到麒麟990 5G处理器发布以后。川普开始意识
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2023-08-25 21:12:54
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