ASE40N50SH-ASEMI高压N沟道MOS管ASE40N50SH
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2023-02-23 10:13:33
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编辑-ZASE40N50SH在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为100mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE40N50SH的最大脉冲正向电流ISM为160A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE40N50SH功耗（PD）为540W。ASE40N50SH的电性参数是：正向电流(Io)为40A，漏极-源极击穿电压为500V，二
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2023-02-25 16:02:45
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FQL40N50-ASEMI代理安森美原装MOS管FQL40N50
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2023-06-12 11:51:11
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编辑-ZFQL40N50参数描述：型号：FQL40N50漏源电压VDSS：500V漏极电流ID：40A漏极电流-脉冲IDM：160A栅极-源极电压VGSS：±30V功耗PD：460W操作和储存温度范围TJ, TSTG：-55
to +150℃零栅极电压漏极电流IDSS：1uA栅极阈值电压VGS(th)：5V静态漏源导通电阻RDS(on)：0.085Ω输入电容Ciss：5800 pF输出电容Coss
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2023-06-13 17:14:46
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50N65-ASEMI高压N沟道MOS管50N65
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2024-01-06 10:42:59
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编辑-Z 24N50在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。24N50的脉冲集电极电流(ICM)为96A，漏极漏电流(IDSS)为50uA，24N50的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。24N50的电性参数是：二极管连续电流(Is)为24A，集电极-发射极电压为1200 ...
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2021-10-21 18:03:00
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编辑-ZASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻（RDS(ON)）为200mΩ，是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A，零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗（PD）为300W。ASE28N50的电性参数是：正向电流(Io)为28A，漏极-源极击穿电压为500V，二极管正向电压(V
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2023-02-17 17:09:04
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50N06S-ASEMI低压N沟道MOS管50N06S
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2023-02-16 11:11:59
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ASE5N40-ASEMI电机驱动专用ASE5N40
ASE20N40-ASEMI工业电源专用ASE20N40
Implement pow(x, n), which calculates x raised to the power n (i.e...
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2020-11-09 04:31:00
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快速幂算法，真的牛皮，幂不断除以2取整，如果当前为偶数，则返回当前幂一半的值的数，再平方，若是奇数，那再乘上1个x好了，递归代码如下 class Solution { public: double generate(double x,int n) { if(!n) return 1; double ...
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2021-09-03 19:37:00
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