IMBG40R045M2H是一款采用D2PAK-7 (TO-263-7) 封装的400 V G2，45 mΩ碳化硅MOSFET分立器件。
该CoolSiC™ 400 V G2 MOSFET兼具高鲁棒性、超低开关损耗和导通电阻，同时降低了系统成本。开发用于在2级和3级硬开关和软开关拓扑中提供出色的功率密度和系统效率。
400 V CoolSiC™ MOSFET特别适用于人工智能服务器电源单元（PSU）的交流/直流转换阶段，也非常适用于太阳能和储能系统等应用。
特征
与650V SiC MOSFET相比，FOM更好
具有低Qfr的快速换向鲁棒二极管
低RDS(on)温度依赖性
栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
支持单极性驱动(VGSoff=0)
100%雪崩测试
开关速度可控性高
高dV/dt工作期间的低过冲
.XT 互连技术
同类最佳的散热性能
明佳达 星际金华供求原装物料IMBG40R045M2H碳化硅MOSFET，LTKAK2-150C-L0 TVS 二极管，GD9FU1G8F2DMGI 1Gb NAND闪存
LTKAK2-150C-L是一款150V、经过改进的SMTO-218内部的2kA表面安装式瞬态抑制二极管。
说明
LTKAK2-L系列提供比MOV和GDT等替代技术更低的箝位电压。 LTKAK2-L系列的额定浪涌电流为2 kA，可为任务关键型及高可靠性应用提供高水平的防护。有助于遵守IEC 61000-4-5（4级）等规范当中的浪涌要求。紧凑型表面安装式SMTO218封装与自动化PCBA工艺兼容，支持大功率密度设计。
规格
类型：齐纳
双向通道：1
电压 - 反向断态（典型值）：150V
电压 - 击穿（最小值）：167V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：243V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：2000A（2kA）（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：-
电源线路保护：无
应用：通用
不同频率时电容：7000pF @ 10kHz（最大）
工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：非标准型 SMD
供应商器件封装：SMTO-218 凸片
基本产品编号：LTKAK2
GD9FU1G8F2DMGI是一款容量为1Gb的NAND闪存器件。它可以在每个页面上以典型的tPROG执行编程操作，并且可以在每个块上以典型的tBERS执行擦除操作。页面中的数据可以以每个字节的tRC周期时间读出。I/O引脚用作地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。
GD9FU1G8F2D通过ECC(纠错码)提供50K编程/擦除周期的扩展可靠性。
规格
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NAND（SLC）
存储容量：1Gb
存储器组织：128M x 8
存储器接口：ONFI
写周期时间 - 字，页：12ns，600µs
访问时间：9 ns
电压 - 供电：2.7V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP I
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