正电子寿命测量法用于半导体材料中空位型缺陷的测量。这是一种带有测量装置和电源的全寿命正电子寿命测量系统。在寿命(时间)测量系统中,时间是用3GS/s采集卡来测量的,进来信号是由两BaF2的闪烁体产生的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽的情况下,用两个锗半导体探测器符合的波高值制成二维直方图。此外,这些设备可以用来测AMOC,这个寿命和动量相关。
Feature
●功能: Lifetime、CDB和AMOC
●ADC: 时间:2CH 3GSPS 8bit
CDB :2CH 100MSPS 14bit
●时间分辨: FWHM(半高宽) 192ps (511keV@22Na, BaF2 闪烁体) FWHM(半高宽) 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨: 1.23keV(512keV@106Ru) 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高压 : 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体: 2CH, +5000V ※包括前放
●接口: Ethernet (TCP/IP)
●附件包括应用指导手册
1、组成部分
(1) 时间谱分析模块
它是用于时间谱分析,每个通道采用高速3 GHz ADC。
输入信号是BaF闪烁检测器的。
DSP内置的时差分析功能。
(2)DSP多通道分析仪模块
它是一个多通道分析仪,配备了用于伽马射线光谱的数字信号处理(DSP)功能。直接输入来自Ge半导体检测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS,ADC增益最大为8192。
(3)前置放大器电源模块
前置放大器电源用于Ge半导体探测器。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V(50 mA)和±12 V(50 mA)供电。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
(4)高压电源模块
它是两个BaF 2闪烁探测器和两个Ge半导体探测器的高压电源。
CH1和CH2用于Ge半导体探测器,额定功率高达+5000V(或-5000V)。
CH3和CH4用于BaF2闪烁检测器,最大额定值为-4000V。
两者都使用SHV连接器。
(5)VME电源机箱
它是VME标准的7插槽电源机架。
AC 100 V,最大300 W.
为每个模块供电。
除上述内容外,还需要以下东西。
·BaF2闪烁检测器
·Ge半导体探测器
·PC(应用程序执行)
·交换集线器(PC和每个模块用于LAN电缆连接)
2、测量模式(有5种测量模式)
(1)时间寿命模式
寿命(LT)模式是同时测量两个BaF 2闪烁检测器的模式,采用两个波形的上升之间的时间差,并进行正电子寿命测量。
(2)波形模式
波形模式测量来自两个BaF 2闪烁探测器的波形。
(3)能量模式
能量模式是用于测量来自两个Ge半导体探测器的能谱的模式。
(4)CDB(双探头符合多普勒扩展谱)模式
CDB模式是一种采用两个Ge半导体检测器的重合计数的方式,通过每个峰值计算正电子湮灭符合计数多普勒扩展。
(5)AMOC(正电子寿命-动量关联谱)模式
AMOC模式是通过采用两个BaF 2闪烁检测器和一个Ge半导体检测器的重合计数来测量正电子寿命 - 动量相关性的模式。