RAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。非易失性MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM存储器的速度结合在一起并同时始终保持非易失性和高能效。MRAM存储芯片可以抵抗高辐射及可以在极端温度条件下运行并且可以防篡改。 MRAM芯片中的数据是由磁存储元件存储。这些元素是由 ...
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2021-05-16 23:22:05
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与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。 Everspin MRAM器件旨在结合非易失性存储器和RAM的最佳功能，为越来越多的电子系统提供“即时接通”功
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2020-06-02 16:01:00
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内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少，但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的，一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有 ...
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2020-10-27 14:54:00
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新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。 自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领 ...
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2020-08-13 15:10:00
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随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力. 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（PCM），电阻RAM（ReRAM）和铁电RAM（FRAM）。每种新兴的内存技术都不同，适合特定的应用
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2021-05-22 19:37:02
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与EEPROM或闪存相比，诸如MRAM之类的技术可以显着降低系统总能耗。对于许多无线和便携式应用程序，尤其是在不断增长的物联网中，能源预算（一段时间内消耗的总功率）是至关重要的组成部分。在计算设计的功耗预算时，工程师通常会查看设备的额定功耗。但是，其他因素也可能起作用。例如，对于非易失性存储器，写电流远高于读或待机电流。因此，在对功耗敏感的应用中，尤其是在需要频繁进行内存写入的系统中，需要考虑写入
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2021-05-22 21:29:54
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内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。 如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率，尤其是DRAM，这需要定期且频繁地刷新内存中的数据。物联网等许多新应用程序要求将连接的传感器和其他设
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2021-05-22 09:26:33
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近期，IBM发布FlashSystem新品支持双端口NVMe闪存技术，专利FlashSystem Micro Latency Modules和新FCM(采用NVMe外形和接口的FlashCore Modules)，具有与当前FlashSystem 900相同的内置无性能影响压缩硬件。 存储开发团队在3年前开始基于NAND闪存的NVMe闪存驱动器和SCM(如3D Xpoint和Z-SSD)，新一
原创
2021-05-11 13:31:34
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一种称为Universal Selector的新创新技术，它将显着提高现有和新兴存储技术（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因为它将提供一种新颖的方式设计垂直单元晶体管，以实现更高水平的性能和可靠性和密度。 自旋存储器的通用选择器是一种选择性的垂直外延单元晶体管，其沟道的掺杂浓度足够低，可以完全耗尽。对于MRAM存储器，通用选择器使制造商能够创建6F2–10F2（6F2–10F2）的1T
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2020-10-10 15:54:00
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在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它使用的材料和工艺与传统CMOS制造不同。目前MRAM是在单独的工厂中作为[线的后端]（BEOL）工艺
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2020-07-30 15:59:00
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高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32Mb数据，它具有100K个循环的耐久性，而对于1Mb的数据可以>1M个循环。它在260°C的I
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2020-07-02 16:21:00
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MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。 MRAM器件的结构一个二维MRAM存储阵列如图1所示,可见MRAM器件是由相互正交的字线和位线组成
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2021-05-23 11:29:19
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Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品广泛应用在数据中心、云存储、能源，工业，汽车和运输市场中，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。 ...
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2021-05-16 23:52:06
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本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。 替换 44 TSOP-II 封装选择 图1显示的是使用 44 引脚 T ...
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2021-05-16 23:48:46
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MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈，阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。 读取优先和SRAM ...
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2021-05-18 22:33:14
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数据记录、物联网节点、边缘计算设备中的机器学习/人工智能以及医院中的RFID标签都可以用到MRAM。 数据记录器需要多兆位的非易失性存储器来容纳长期的数据积累。它们通常由电池供电，但也可以依靠收集能量来供电，因此需要低功率内存。在断电的情况下，记录的数据必须无限期地保留。MRAM正是最理想的选择。 ...
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2021-02-24 17:12:00
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铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。 尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即高阻状态和低阻状态之间的差异通常仅为2-3倍。结果感测MTJ位单元的值
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2020-08-05 14:20:00
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自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。 表1存储器的技术规格比较 ...
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2021-05-10 19:14:46
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新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方 ...
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2020-10-29 11:55:00
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