一.需求说明 fpga首先全擦除flash芯片，然后往flash芯片中写入一页数据，再接着读取这一页数据。二.硬件介绍 1.flash资源介绍M25P16芯片是flash芯片，容量是16Mbit。16Mbit=16×1024×1024bit=2×1024×1024byte=2,097,152 bytes 。总共有32个扇区，每个扇区有512×1024bit=65536byte。每个扇区有256页，
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2024-09-24 09:30:11
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Gentoo Linux系统清理一、 清除源码包文件清除已经下载的软件包，步骤如下 ：在这一步中，所使用的工具是rm命令，将会强制删除。使用前，请仔细检查所要删除的目录是否正确，防止意外删除系统文件，可能导致系统无法使用。如果仅删除过期的源码包，可使用以下命令：root # rm -rf /usr/portage/distfiles/*如果要清除emerge过程中产生的临时文件，可以使用以下命令：
OCR寄存器（操作条件寄存器）存储Vdd电压曲线存储器件访问模式，从而可以知道器件是否为大容量设备（即设备容量大于2G,只有大容量设备才支持扇区访问模式，小容量设备只支持字节访问模式）指示设备上电过程CID寄存器（设备身份寄存器）制造商ID（MID），MID号由JEDEC管理，分配给eMMC制造商，每个制造商的MID都是独一无二的。制造日期产品名称产品版本制造日期CSD寄存器设备支持的MMC规范版
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2024-02-27 12:57:02
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导读U 盘想必在大家的日常生活和工作中都已经不可或缺了，它让我们的文件维护和转移更加方便容易。但随着频繁使用，有可能会出现文件系统错误、坏块、坏扇区而影响正常使用的情况。对于 Windows 用户来说，修复此类 U 盘问题有专用的图形化工具使用，而 Linux 用户就相对麻烦一点，本文我们就介绍如何在 Linux 终端中修复 U 盘问题。 当然，本文中介绍的方法不仅适用于 USB 驱动器，
硬盘空间是大家最头痛的一个问题，大家在硬盘空间变小的时候怎么腾空间的呢？下面绿茶小编为大家分享7个mac系统释放空间的高级方法，大家赶紧来收了！
mac系统释放硬盘空间方法： 方法一：删除Emacs——可以节省出60MB+的硬盘空间 如果你都不知道什么是Emacs，那么你可以放心的将其移除。Emacs是终端中的文本编辑器，如果你使用的固态硬盘空间实在太小，那么删除
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2024-04-27 09:00:44
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从SLC、MLC，到今天的TLC乃至QLC，技术的迭代使得NAND存储密度越来越高，每GB的拥有成本也越来越低。如今，几TB甚至十几TB的企业级NVMe SSD已经开始成为主流，但另一方面，NAND的Cell擦写寿命越来越短，也引发了对于SSD寿命的诸多讨论。什么是SSD的寿命？通常说的SSD寿命是指在SSD生命周期内允许的数据写入量。增大SSD的用户容量、选择更高可擦写次数的NAND颗粒，无疑都
最近有个项目，需要频繁的操作移远M26的内部flash。众所周知，flash的擦写次数为10W次，超过这个次数后flash就没有用了。这个项目需要频繁的对其进行写操作，要想设备工作3~5年，10W明显不够用呀。通过百度和谷歌查找解决办法，找到一个“平衡磨损算法”，大体思想就是将读写操作平均在每一块FLASH上。参见Leeee的博客：Flash存储器磨损均衡原理及实现。当然了只是理论知识，没有具体的
目录硬知识IAP及EEPROM新增特殊功能寄存器介绍EEPROM空间大小及地址小常识大建议常见问题示例程序EEPROM.cEEPROM.h测试程序main.c 普中51-单核-A2STC89C52 Keil uVision V5.29.0.0 PK51 Prof.Developers Kit Version:9.60.0.0硬知识 &nb
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2024-10-18 10:27:38
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目录命令：flash_erase命令：flash_eraseall命令：nandwrite命令：nanddump命令：mtd_debug命令：ftl_format例一：如何测试nor flash 驱动例二：如何测试nand flash 驱动例三：如何用mtd-util 工具向nand flash写入文件系统jffs2.img,并修改启动参数，使文件系统从nand flash 启动；假设已分好区，m
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2024-06-03 21:23:00
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SSD写数据会出现什么问题SSD读写的单位不是位，而是一个块。如果要改变这个块中的一位，首先要将整个块擦写成1，然后再写入更新的数据。为了解决擦写块的低效，SSD的策略是将需要改写的块，读取出来，进行数据修改，然后写入到新的，已经擦除完的块中。新的SSD，没用的块很多，无需擦写，直接写入，性能很高。随着使用量增加，当写入时无可用块时，则只能先擦写再写入。此时SSD性能很差。理论上，SSD内部定期将
以下是《memcached全面剖析》的第三部分。
发表日：2008/7/16
作者：前坂徹(Toru Maesaka)
memcached是缓存，所以数据不会永久保存在server上，这是向系统中引入memcached的前提。 本次介绍memcached的数据删除机制，以及memcached的最新发展方向——二进制协议（Binary Protocol） 和外部引擎支持。
对于笔记本电脑，最好不要轻易的设置密码，因为笔记本电脑的开机密码并不是象PC机那样存放在CMOS电路中可以通过放电清除的，目前较新的笔记本都是将密码保存在主板的几块逻辑电路中，我们个人是无法破解的（此系列电脑，密码可加至三层，每一层都针对不同的设备加密，如果设置的密码丢失的话，电脑可就是摆设了），要破解的话得换，可能得花不少钱。
但是对于型号较老的笔记本电脑，你可以试试
memcached的内存管理与删除机制 简介 注意：Memcache最大的value也只能是1M的空间，超过1M的数据无法保存（修改memcache源代码）。 注意：内存碎片化永远都存在，只是哪一种方式可以使得内存碎片最小。 1. 什么是内存碎片化？ 在使用这种内存缓存系统的时候，由于不断的申请，释放，就会形成一些很小的内存片段，无法被利用，这种现象就叫做，内存的碎片化
FTL(闪存转换层)基础FTL(Flash Translation Layer)译为闪存转换层，是Flash Memory(存储介质)与Device Controller(设备主控器)之间的连接关系。 在整个储存体系中，FTL起着翻译官的作用，它将Host(电脑、手机等)发送至Device(eMMC、SSD)的逻辑地址转换为写入Flash的物理地址(地址映射管理)。在进行地址转换的同时，FTL还兼
你一定用过计算机，加、减、乘、除，按一按就有答案。可是上面那一排「MC、MR、M-、M+」到底做什么用的呢？有民众表示，用了20年的计算机，那一排按键从来没用过。原来，M是Memorize(记忆)的意思，R是Recall(叫出来)、C是Clear(清除)，M+与M-则是「累加、累减」的意思。很多人计算机用了一辈子，却从来没碰过「M+」、「M-」等特殊按键。其实它们就好比数学算式中的「括号」，可以对
本文讲解XILINX FPGA生成时许报告后各参数的含义，综合完后打开Report Timing Summary ，跟ISE不一样的是Vivado综合后的时序报告是可信的，但注意要将约束添加好，如果在综合时没有添加约束，可以在综合后添加，添加后可以直接查看时序报告，不用重新综合，打开时序报告界面如下：此处注意Check Timing里的叹号都要关注一下，重点关注有没有未约束的时钟和有没有LOOP。
概要： 本节主要记录开发Tiny6410自带的NAND FLASH的过程，实现了NAND FLASH的擦除，读写数据功能，但都只是简单的实现而已，并没有做精细而完整的实现，毕竟只是想学原理。前言： 为了方便，现将新版的uboot和System.map文件共享出来，版权属于友善之臂公司。uboot-ram256M nand-flash
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2024-09-09 20:54:43
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memcached之memcached的删除机制和发展方向
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memcached是缓存，所以数据不会永久保存在服务器上，这是向系统中引入memcached的前提。本次介绍memcached的数据删除机制，以及memcahced的最新发展方向---
二进抽协议(Binary Protocol)和
外部引擎支持。
memcach
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2024-09-20 07:33:40
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SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。 SLC 利用正、负两种电荷 一个浮动栅存储1个bit的信息，约10万次擦写寿命。 MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，
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2024-04-26 08:33:35
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对策一：尽量减少每个回路的有效面积 图1 回路电流产生的传导干扰传导干扰分差模干扰DI和共模干扰CI两种。先来看看传导干扰是怎么产生的。如图1所示，回路电流产生传导干扰。这里面有好几个回路电流，我们可以把每个回路都看成是一个感应线圈，或变压器线圈的初、次级，当某个回路中有电流流过时，另外一个回路中就会产生感应电动势，从而产生干扰。减少干扰的最有效方法就是尽量减少每个回路的有效面积。对策二：屏蔽、减
