电容是构成电路的基本器件之一，也是在EMC整改手段中最便利、最有效和成本最低的手段之一。而在ESD测试中，我们会遇到一些比较明显的测试现象，比如机器重启或者屏幕闪屏，而这些现象有时候只需要加一个电容就能解决。本篇文章就电容的这个妙用进行探讨分析。电容特性 要想用好电容，首先我们需要了解电容的基本特性。实际上
一.利用74LS138实现4-16译码器设计要求：· 用2片3-8 译码器拼接成4-16 译码器 · 仿真验证电路的正确性 · 注意观察输出信号的毛刺（竞争冒险）设计思路：如下图所示，我们让最高位输入IN_D接到片1的G2BN,接到片2的G1，这样若IN_D=0，则上方的芯片被选中，下方芯片被禁用，若IN_D=1，则相反。 电路逻辑设计如下： 用QuartusⅡ进行功能性仿真后得： 用Quartu
本文章将细谈对电路板提高静电防护的PCB设计方法，主要包括以下三个方面：元件布局设计、布线设计、铺地设计。 1.元件布局设计 在PCB板上ESD的损害主要表现在外部接口拔插时，ESD对PCB板和元件的损害，故PCB的元件布局就格外重要了，特别是ESD元器件（TVS管、LC滤波器、铁氧磁珠、高压电容等）的布局。 （1）敏感元件的布局：将MCU、晶振等敏感元器件尽量远离板边，同时要远离静电放
在电子产品中，需要防护的电路主要是电源和信号，所处的位置不同其防护等级和防护方案也不同，介绍三种最常用的防护器件：TVS管，气体放电管、半导体放电管。 一、瞬态抑制二极管（TVS）1、器件特性：TVS又称为瞬态抑制二极管，是半导体硅材料制造成特殊二极管，TVS与被防护电路并联使用。电路正常时TVS处于关断状态呈现高阻抗特性，当外界有浪涌冲击电压时能以nS量级的速度从高阻抗转变为低阻抗吸收
单片机ESD静电防护总结EDS 表示 静电放电敏感。ESD静电测试时，静电放电瞬间会产生电磁辐射效应，如果旁边有电子产品或线缆电磁干扰会经线路传播，从而影响其它电子设备。 因此，ESD测试成为检测产品稳定性和抗干扰性的重要指标。常见的测试手法有接触式±8KV放电和非接触式±15KV放电两种。具体要求一般是无死机，无误动作，干扰去除后产品性能可以恢复。有的更高级别的产品要求整个过程设备没有任何干扰反
开关电源电路图及原理12v（开关电源电路图及原理详解）开关电源电路图及原理进行讲解，仅供参考！1、开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下：2、输入电路的原理及常见电路 （1）AC输入整
本文主要内容有：复位电路概述同步复位电路异步复位电路 1. 复位电路概述复位信号在数字电路中的重要性仅次于时钟信号。通常讲的复位是对指对触发器的复位，通过对触发器的复位完成对系统的复位。一般复位方式分为同步复位和异步复位两种方式，是否需要复位，如何选择复位方式等问题应该根据具体设计方案来定。（下文讨论均以复位信号低电平有效展开）1.1复位的目的复位的目的是让系统进入一个可以确
作者：凡亿pcb对ESD进行防护的最好方法，是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽，静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。 一般有了静电屏蔽，磁场屏蔽就不再是十分需要的了，因为当高频磁力线穿过金属屏蔽片时，会在金属屏蔽片中感应产生回路电流(涡流)，此电流产生磁场方向正好与干扰磁场的方向相反
PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入，因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰(EMI)电磁场效应。本文将提供可以优化ESD防护的PCB 设计准则。电路环路:电流通过感应进入到电路环路，这些环路是封闭的，并具有变化的磁通量。电流的幅度与环的面积 成正比。较大的环路包含有较
在电子发烧友网站上，看到RS232转RS485的一个电路图，如下图所示。元件主要是HN232CP和MAX485CPA，也就是TTL转232电路和TTL转485电路的结合体。可是这个电路却不好分析，几经查找与思考，才得到一点觉悟。 此电路在使用时，PC机RS232公口或者标准串口接“直连串口通讯线”的一端，串口线的另一端接接该电路最左端的RS232接口上；右端就是RS485输出端。注意串口通讯
USB作为一种非常普及的接口，在各种电子终端设备上都有使用。作为硬件设计中的重点考虑项，ESD防护设计显得尤为重要，然而，在实际电路中，我们经常可以看到各种不同的防护设计方案，有些方案甚至彼此相反；在实际的ESD测试中，也会出现支持不同方案的各种结果。针对USB端口的防护设计，最好这样来分开讨论：线路防护和壳体防护（有些非专业的同志喜欢笼统来看待，这样不利于正确地解决ESD问题）。实际上我们实际中
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2023-01-10 17:13:20
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悄然无息的崩溃又悄然无息的自愈，但要相信，结果配得上付出。ESD静电测试静电测试的原理原理：利用给定的高压电场，对被测试样定时放电，使得试样感应静电，从而进行静电电量大小，静电压半衰期，静电残留量的观测，以确定被测试样的静电性能。注意事项1、测量前，首先应该检查电源是否符合规定，仪器外壳是否良好，仪器清零后，才可以进行测试。 2、探头屏蔽深度对测试准确度有一定的影响，感应式静电场测试仪实质上是对被
ESD保护二极管，是一种有效的防静电保护器件，取代了以往的压敏电阻、TVS瞬态抑制二极管，成为了电子行业紧俏、流行的静电保护器件。在电子行业中，ESD静电防护的最终目的是：在电子元器件、组件和设备的制造过程中，通过一定的静电防护措施，抵御ESD静电的破坏性来保障产品的正常运行。ESD静电保护二极管，与传统的静电防护器件相比，其优越性更加显著:1）超快响应时间，小于1ns2）超低电容值，小于0.05
一、ESD器件的主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值
USB外壳和信号地之间通常的做法是串联一个100K-1M电阻，并且并联一个0.01uF电容再接到信号地。这样一个阻容网络做法的原因是: 1、将影响外壳的噪声消除，不影响信号地； 2、迫使板子上电流是流入内部的信号地，而不是流到外壳。 3、USB接口外壳在主机端是与主机数字地相连，用作屏蔽，在终端处不能和其任何地直接相连，需通过100k-1M电阻与其数字地相连，并且电阻要并联0.01uF电容。
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2021-09-01 09:59:26
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来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设
ESD静电放电二极管TVS是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。ESD静电二极管（Electrostatic Discharge Protection Devices），又称瞬态抑制二极管阵列（TVS Array）。ESD是多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路
浪涌/ESD的基础与对策零部件1 浪涌及ESD简介2 浪涌与ESD说明3 浪涌/ESD的对策零部件3.1 “ZNR®”浪涌吸收器3.2 片式压敏电阻器3.3 静电抑制器3.4 替换齐纳二极管的优点4 总结 1 浪涌及ESD简介浪涌与ESD(静电放电)是瞬态的高电压，在一些条件下是非常危险的干扰。 要说浪涌和ESD的影响，如果其大小为设备和电路的容许范围内，或许只是出现误动作就结束了， 但多数情况
根据ESD防护器件的TLP I-V特性我们可将ESD器件分为回滞类和非回滞类两种；回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控桂(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。非回滞类的ESD器件包括二极管、二极管串、沟道工作的MOS管、PNP三极管、栅极接电源的PMOS(GDPMOS)等，与回滞
