ALD和CVD晶体管薄膜技术 现代微处理器内的晶体管非常微小，晶体管中的一些关键薄膜层甚至只有几个原子的厚度，光是英文句点的大小就够容纳一百万个晶体管还绰绰有余。ALD 是使这些极细微结构越来越普遍的一种技术。 ALD 工艺直接在芯片表面堆积材料，一次沉积单层薄膜几分之一的厚度，以尽可能生成最薄、最
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2021-05-16 08:29:00
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介绍如何用BJT晶体管实现开关功能及BJT的开关特性参数。
回到目录 1. 基本用法 用BJT晶体管实现开关功能是经常会用到的实用电路。和逻辑门电路类似，当BJT用于开关电路时，也只工作于饱和区和截止区。 开关功能的实现电路如下图所示，负载可以是发光二极
1、SRAM结构SRAM常见的结构有两种：四管二电阻结构和六管结构，分别如下图所示，现在基本都用的六管结构。 6T：指的是由六个晶体管组成，如图中的M1、M2、M3、M4、M5、M6。SRAM中的每一bit数据存储在由4个场效应管（M1，M2，M3，M4）构成的两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管（M5，M6）是存储基本单元到用于读写的位线(Bit Line)的控制开关。
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2023-08-14 13:03:12
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CPU我们要讨论的微处理器出现于1974年，这一年，英特尔公司在4月推出了8080处理器，它是一个8位的微处理器，包括6000个晶体管，运行时的时钟频率为2MHz，寻址空间为64KB。管脚8080是40个管脚的集成电路，它最常见的IC封装如下：下面给出了8080的40个管脚的功能说明图：这些管脚的功能分为以下几类：1、电源电压：管脚20（5V）、管脚11（-5V）、管脚28（12V）、管脚2（接地
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2023-07-14 16:05:24
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这次来展示一下简单的让矩形键盘控制晶体管的代码以51单片机为例#include<reg52.h>#include<delay.h>#include<shumaguan.h>typedef unsigned char u8;typedef unsigned int u16;#define jianpan P1#define jingtiguan P...
原创
2021-06-07 21:59:48
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有一个瑞典 Lund 大学物理学博士生，就真的这么干了，还把照片放到网上。我们知道，CPU里面是几千万到几亿个晶体管，他的目标就是看到这些晶体管。1.他先找到一块 Intel Pentium III Coppermine 芯片，主频 800MHZ，生产于 2000 年。（我查了一下，网上的报价现在是 15~30 元人民币/块。）下图是该 CPU 的正面。你可以看到它分成两部分，周围是一圈绿色的电路
根据对课本《模拟电子技术基础（第5版）》和辅导书上第二章的学习，将里面的电路图、等效模型、公式等总结起来方便到时候查看。双极型晶体管和单极性晶体管的h等效模型双极型晶体管基本放大电路（37）三大基本放大电路基本共射放大电路基本共集放大电路（89）共集放大电路又称射极跟随器，尽管电路无电压放大能力，但是输出电流远大于输入电流，所以电路仍具有功率放大作用.共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻
原创
2022-07-24 00:38:35
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场效应管与晶体管比较场效应管的栅极g,g,g,源极sss ,漏极ddd对应于晶体管的基极bbb,发射极eee,集电极ccc,它们的作用相类似。一、场效应管用栅–源电压ucsu_{cs}ucs控制漏极电流iDi_DiD,栅极基本不取电流。而晶体管工作时基极 总要索取一定的电流。因此,要求输人电阻高的电路应选用场效应管;而若信号源可以提供一定的电流,则可选用晶体管。二、场效应管只有多子参与导电。晶体管内既有多子又有少子参与导电,而少子数目受温度.辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性
原创
2021-06-22 11:15:22
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TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。中文名TTL电平外文名transistor transistor logic规 定二进制又 称晶
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2016-12-13 11:58:09
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DCT1401晶体管测试仪/系统DCT1401晶体管测试仪/系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）
原创
2021-11-26 16:47:33
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3.2 双极型晶体管 3.2.1 晶体管的结构和类型 基区与发射区之间的PN结称为发射结(Je) 基区与集电区之间的PN结称为集电结(Jc) 放大的外部条件：Je 正向电压（正偏），Jc 反向电压（反偏） **集电区：**接收载流子 **发射区：**发射载流子 **基区：**控制载流子 双极型晶体管 ...
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2021-10-17 21:48:00
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将硅片分成三部分 掺杂NPN base、emitter、collector 接上电源正负极: 不论哪个方向通电，总有一边会有一大块消耗区，无法通电 再接一个正负极: 就可以通电了
原创
2021-09-01 14:36:45
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电流流向：NPN三极管：电流方向为基极流向发射极（驱动电流从基极流入），集电极流向发射极。PNP三极管：电流方向为发射极流向基极（驱动电流从基极流出），发射极流向集电极。PNP的电流方向是从下往上流的，但是在实际电路图中，大多还是发射极连接高电平的，这点要特别注意，和上面的图片做对比会更好，总之电流是E到C。和NPN管子相反 &nb
℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃) ，低功耗系列简称lttl，高
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2023-06-16 10:49:59
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1. 集电区：面积大； 2. 晶体管的放大原理 1）放大的条件：发射结正偏，uBE>Uon;集电结反偏，uCB>=0,即uCE>=uBE. 2)因发射区多
原创
2022-06-29 16:31:08
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大家新年好，我是小枣君。春节后的第一篇原创文章，我来填个坑，把年前那篇《什么是电子管（真空管）》（链接）的续集写完，也就是今天这篇——《什么是晶体管》。在上篇文章中，我给大家提到，电子管虽然能够实现检波和放大，但是存在很多缺点，例如体积大、故障率高、容易损坏（玻璃管子）、发热大、能耗高等等。正因为有这些缺点，专家们一直在思考，是不是有性能更好、缺点更少的元器件，可以取代电子管，支撑电子产业的长远发
原创
2023-05-22 14:13:17
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其晶体管要说简单也是相当简单，只不过实现了开关两个状态，在计算机中来表示0和1，和我们按普通开关没什么区别，只不过这个按开关的是电不是人，其实一个晶体管没有什么很大的用，有用的是很多个晶体管组合，通常把他们封装到芯片中，其实也不是封装，实际上是在一个芯片上刻出一个个晶体管出来，技术难点在于我们怎么使
原创
2021-12-15 15:00:16
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1. 二极管的伏安特性及电流方程。 1）正向电压需要达到一定值的时候导通，一方面二极管的2个电极有接触电
原创
2022-06-29 16:31:14
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二进制，三进制，五进制
true，false表示0，1
电路闭合，电流流过，代表“true真”；电路断开，无电流流过，代表false。
二进制可以写成0和1，而不是true和false
早期计算机采用进制
晶体管不仅可以控制电流开关，还可以控制电流大小，比如一些早期计算机是三进制的，有三种状态；五进制，五种状态。状态越多越难区分信号。而且抗干扰能力会越差（如果附件有电噪音，信号混在一起，
介绍诸如高输入阻抗、制造简单、操作简单等多种优点使得场效应晶体管（FET）广泛用于不同的应用中，特别是在集成电路系统中。FET是继BJT之后的第二代晶体管。这些可用作示波器、测试和测量仪器、电子电压表等的放大器，也可用于开关动作。让我们详细了解 FET 作为开关的工作原理。但在此之前，我们必须先了解一下FET的基础知识及其操作。 FET及其工作区域场效应晶体管是一种单极器件，其
原创
2022-03-31 16:33:28
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