在现代FPGA设计中，使用Nios II处理器进行DDR（双数据速率动态随机访问内存）读写操作是一项基础与重要的任务。本文将详细记录如何解决Nios II读写DDR的过程，包括环境准备、分步指南、配置详解、验证测试、优化技巧和排错指南。
## 环境准备
为了顺利完成Nios II与DDR的通信，我们需要提前准备开发环境及依赖软件。
- **前置依赖安装**：
1. Quartus Pri
FPGA学习之DDR3读写实验原理简介配置原理程序代码约束文件设计文件 参考正点原子视频 原理简介DDR3 SDRAM常 简称 DDR3 是当今较为常见的一种储存器，在计算机及嵌入式产品中得到广泛应用，特别是应用在涉及到大量数据交互的场合，比如电脑的内存条。对DDR3的读写操作大都借助IP核来完成，本次实验将采用 Xilinx公司 MIG IP核来实现DDR3读写测试。 DDR3相对于SDRAM
7月15日消息 作为计算机内存发展的重要里程碑，今天，JEDEC固态技术协会发布了下一个主流内存标准DDR5 SDRAM的最终规范。DDR5是DDR标准的最新迭代，DDR5再次扩展了DDR内存的功能，将峰值内存速度提高了一倍，同时也大大增加了内存容量。基于新标准的硬件预计将于2021年推出，先从服务器层面开始采用，之后再逐步推广到消费者PC和其他设备。外媒anandtech报道，和之前的
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2023-07-29 22:52:14
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在ARM架构的Linux系统中，读写DDR是一项常见的操作。DDR（Double Data Rate）是一种双数据率的动态随机存取存储器，广泛应用于各种嵌入式系统和计算设备中。在ARM架构的Linux系统中，通过使用ddr命令可以进行DDR的读写操作。
在ARM架构的Linux系统中，ddr命令是一个非常实用的工具，可以帮助开发人员轻松地对DDR进行读写操作。通过ddr命令，开发人员可以直接操作
原创
2024-04-10 10:50:48
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// 向SD卡写入数据
private void writeSDcard(String str) {
try {
// 推断是否存在SD卡
if (Environment.getExternalStorageState().equals(
Environment.MEDI
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2017-07-22 19:03:00
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前情回顾（1）ZYNQ中PS端MIO操作（2）ZYNQ中PS端MIO中断（3）ZYNQ中PS端UART通信（4）ZYNQ中PS端XADC读取1. 读写DDR底层结构zynq 7000 SOC的HP口是High-Performance Ports的缩写，如下图所示，一共有4个HP接口，HP接口是AXI Slave设备，我们可以通过这4个HP接口实现高带宽的数据交互。实现PL读写PS端挂载的DDR
原创
2021-03-23 17:01:27
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/*通过这篇文章，我终于知道 DDR 与 SDRAM、DDR2 是三样产物*/ 严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内
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2024-06-20 19:59:06
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随着三星Galaxy S6和华硕Zenfone 2的接连上市，新一代的LPDDR4内存和4GB容量内存先后进入消费者的视野，引爆了2015年新一轮的手机硬件车轮战。据悉，新内存能够为智能手机带来更强的性能提升，有望继续提高智能手机的使用体验。那么在电脑尚处于DDR3的阶段，智能手机却捷足先登，吃上了LPDDR4的“小鲜肉”，对此你是如何看待的呢？先弄清什么是DDR3和LPDDR4计算机内存技术一直
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2023-09-06 20:32:12
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目录1、DRAM单元阵列1.1、DRAM基本单元1.2、cell阵列1.3、cell阵列的读取1.4、DRAM刷新2、DRAM芯片的读写2.1、必须的周围逻辑2.2、完整的读过程（重点）2.3、完整的写过程2.4、时间消耗和行缓存3、DRAM系统层次3.1、bank划分3.2、存储芯片/chip3.3、rank和DIMM4、burst猝发模式5、bank并行和内存交错6、小结如果你是一个EECS专
理论极限值是可以计算的：1333MHz * 64bit（单通道，双通道则128bit） / 8（位到字节单位转换） = 10.664GB/s。这只是理论，实际发挥还要看内存控制器，实际上1333单条跑出来...
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2016-03-03 15:50:00
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理论极限值是可以计算的：1333MHz * bit（单通道，双通道则128bit） / 8（位到字节单位转换） = 10.6GB/s。这只是理论，实际发挥还要看内存控制器，实际上1333单条跑出来的数据在7～9GB/s差不多了。首先，实际中我没见过内存速度超过10GB/s的情况，不知道是不是题主你把单位弄错了？实际见过的像RamDisk之类的软件，连续读写能达到的速度也不过5~8GB/s左
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2018-10-22 09:21:00
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1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其到达每个DDR3颗粒的时间不同，而DQS-DQS#通常为点到点拓扑）。
2）Fly-by拓扑简介：
我们已经分析过，fly-by拓扑应用于地址、
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2024-06-11 09:34:05
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一、内存理论带宽的计算内存带宽计算公式：带宽=内存核心频率×内存总线位数×倍增系数。 先容我从DDR的技术说起，DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据，1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据，所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。 DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术（不是传2次），但是一次预读4
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2023-09-24 15:56:15
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FPGA 端：
原创
2024-07-21 15:31:58
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信号名称：读写流程：1、IDLE：系统初始化状态，此时没有传输操作，也没有选中任何从模块。 2、SETUP：启动状态，当有传输要进行时，PSELx=1,，PENABLE=0，系统进入SETUP状态，并只会在SETUP状态停留一个周期。当PCLK的下一个上升沿到来时，系统进入ENABLE状态。 3、ENABLE：在总线进入SETUP状态的下一个时钟上升沿处，需将PENABLE信号拉高进入ENABLE
1.使用工具stressapptest和memtester 一般buildroot中有这两工具,make menuconfig选择一下，然后make一下。把生成的工具放到板卡上输入以下名字就行了先运行stressapptest -s 43200 -i 4 -C 4 -W --stop_on_errors -M 64其中-s是跑多长时间，单位是秒。根据需求设置。跑完后成功串口会打印Stat
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2023-07-27 21:10:38
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关注手机参数的朋友，对于LPDDR4、LPDDR3，甚至是最新的LPDDR4X可能都不会陌生，它就是手机运行内存(RAM)，类似电脑的内存条，其中LPDDR3代表第三代手机内存，而LPDDR4则为第四代，至于LPDDR4X我们会在文末具体介绍。下面本文主要来讲讲LPDDR4和LPDDR3的差别，看看那一代手机内存更好一些。LPDDR4和LPDDR3哪个好？LPDDR4和LPDDR3差别LPDDR英
1、DDR出现的背景DDR 内存是 SDRAM 的升级版本，SDRAM 分为 SDR SDRAM、 DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。可以看出 DDR 本质上还是 SDRAM，只是随着技术的不断发展，DDR 也在不断的更新换代。先来看一下 DDR，也就是 DDR1，人们对于速度的追求是永无止境的，当发现 SDRAM 的速度不够快的时候人们就在思
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2023-11-20 22:40:33
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1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常，RX CALIB校准不通过。 解决方法：检查PCB设计，纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误，且出错的地址空间随机。 解决方法：检查PCB板设计，发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足，飞线输入单独电源后解决。3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问，基本的写读
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2023-08-17 12:54:03
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