ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），静电保护元件，又称瞬态抑 制二极管阵列（TVS Array）。ESD 由一个或多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局制 成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。 ESD 主要应用于各类通信接口 ESD 保 护，如 USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SI
许多开发人员都遇到过这样的情况：在实验室开发好的产品，测试完全通过，但到了客户手里用了一段时间之后，出现异常现 象，甚至是产品失效需要返修，并且故障率往往也不高（1%以下）。一般情况下，以上问题大都由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成。 ESD抑制器是目前最新一代防静电产品（98年由军工转民用，现行业内已经全面铺开），由聚合物（POLYMER）电
在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤，例如穿透元器件内部薄的绝缘层；损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极；CMOS器件中的触发器锁死；短路反偏的PN结；短路正
浪涌/ESD的基础与对策零部件1 浪涌及ESD简介2 浪涌与ESD说明3 浪涌/ESD的对策零部件3.1 “ZNR®”浪涌吸收器3.2 片式压敏电阻器3.3 静电抑制器3.4 替换齐纳二极管的优点4 总结 1 浪涌及ESD简介浪涌与ESD(静电放电)是瞬态的高电压，在一些条件下是非常危险的干扰。 要说浪涌和ESD的影响，如果其大小为设备和电路的容许范围内，或许只是出现误动作就结束了， 但多数情况
摘自网络1、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬变电压消除器 TVS(Tran
一、ESD器件的主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值
1 引 言 静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为
IBIS 模型简介IBIS（Input/Output Buffer Information
Specification）模型是一种基于V/I曲线的对I/O
BUFFER快速准确建模的方法，是反映芯片驱动和接收电气特性的一种国际标准，它提供一种标准的文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入
负载等参数，非常适合做振荡和串扰等高频效应的计算与仿真。
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2010-11-11 14:02:54
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瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。TVS管允许的正向浪涌电流在T
静电电荷的不断积累造成电介质被击穿，此时静电电荷会很快得到平衡，这种电荷的快速中和就称为静电放电。可见静电放电就是具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移，简而言之，ESD就是电荷的快速中和。随着半导体工艺技术的进步,制造出的芯片几何尺寸和线宽越来越小,而脚位却越来越多, 这使得IC更加容易受ESD问题的影响，因此对ESD的防护必不可少。（一）认识静电放电1、静电积累静电是
PCB 设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB 设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD 放电产生的直接电荷注入，因此PCB 设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰(EMI)电磁场效应。本文将提供可以优化ESD防护的PCB 设计准则。电路环路:电流通过感应进入到电路环路，这些环路是封闭的，并具有变化的磁通量。电流的幅度与环的面积 成正比。较大的环路包含有较
ESD静电放电二极管TVS是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。ESD静电二极管（Electrostatic Discharge Protection Devices），又称瞬态抑制二极管阵列（TVS Array）。ESD是多个 TVS 晶粒或二极管采用不同的布局做成具有特定功能的多路
接踵而至的问题来了，ESD静电保护二极管哪家生产厂家好？随着科技信息技术的发展，电子行业发展亦如火如荼，从事电路保护器件的供应商逐日增加。要从这千千万万的ESD二极管供应商挑选一家好的，确实很费力费心。身边的电路保护专家，东沃电子，或许在品牌知名度上不是最高的，但是在研发技术、产品质量、方案解决能力方面是有态度、走心的一家电路保护器件生产厂家。
原创
2022-07-19 10:57:47
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随着信号传输速度的提高和供电电压的降低，集成电路对瞬态ESD更加敏感。电路中连接的设备也日益增多，因此保护更广泛系统中每个设备免受ESD的影响就变得更加重要。那么，为ESD保护选择正确的元件时需要考虑哪些因素？ 随着物联网 (IoT) 不断扩展，分析师预测未来几年将有多达数十亿的电子设备上线。通用电子设备总数甚至更高。这些设备中有许多将在我们生活中发挥重要作用，例如实现家
ESD，是一种使用非常广泛的元器件产品，可应用于多种场景，种类繁多，能根据被保护电子产品特性及需求去制造相匹配的器件型号。我们知道元器件这种产品，从外观上看，肉眼是看不出区别的，同种封装ESD几乎没啥区别，那么对于这种情况，元器件厂家们都会在其命名上做一个区分。具体是怎么命名的，有什么规则，且看优恩小编给大家举例说明。以优恩半导体为例，该元器件厂家ESD的命名规则如下：这里分为两类：压敏类及TVS
原创
2022-09-13 13:59:26
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瞬态抑制二极管也称为TVS管、TVS二极管或者瞬变二极管，是普遍使用的一种新型高效电路保护器件，它具有极快的响应时间(亚纳秒级)和相当高的浪涌吸收能力。当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，TVS管能以极高的速度把两端间的阻抗值由高阻抗变为低阻抗，以吸收一个瞬间大电流，从而把它的两端电压箝制在一个预定的数值上，从而保护后面的电路元件不受瞬态高压尖峰脉冲的冲击。正因为如此，TVS瞬态抑制二极管可用于保护
关于品牌PROTEK，对于新老电子工程师而言，并不陌生，PROTEK在TVS瞬态抑制二极管阵列（ESD二极管）享有盛誉。然而，很多客户因为品牌PROTEK供货交期长、价格高等因素的影响，纷纷把目光投向了国产ESD二极管品牌厂家，寻找对应的替代料号。那么，关于PROTEK品牌GBLCxxI和GBLCxxCI系列低电容ESD二极管产品，您知道多少呢？
原创
2022-02-23 16:51:12
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1、仿真电路中需要至少一块集成电路； 2、器件的IBIS模型； 3、在规则中必须设定电源网络和地网络； 4、建立SI规则约束； 5、层堆栈必须设置正确，电源平面必须连续； 建立的文件必须是一个工程，并把相应的文件放在工程目录下，建立原理图设计，建立PCB设计。搭建相应的IBIS模型
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2017-07-07 00:39:00
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干货实现方式ESD保护二极管是一种新型集成化的静电放电保护器件。典型产品有MAXIM公司生产的DS9502、DS9503。DS9502内部可等效于7.5V的齐纳稳压二极管，当输入电压超过其9V触发电压时就会被钳位到7.5V上。只要输入的电压不低于5.5V，就能维持在反向击穿状态。DS9503于DS9502的区别是只是在正负极各端增加了一只5R的隔离电阻。DS9502、DS9503的泄露电流仅仅为3
原创
2022-06-22 10:35:51
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# Python 模拟 建模 仿真 器件物理
## 概述
在这个教程中，我将指导你如何使用 Python 来模拟建模和仿真器件物理。这对于初学者来说可能是一个有些复杂的过程，但是我会尽力简化并详细解释每一步骤。首先，让我们来看一下整个流程的步骤。
## 流程图
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flowchart TD
A(准备环境) --> B(导入必要的库)
B --> C(定义模
