据Tech Review报导,IBM超高密度 Racetrack 存储器开发又有新的进展,据称这一新型存储器同时具有硬盘超高容量与闪存微型、高速、耐用的特性。按照目前的开发进程,原型产品预估可望于2年内问世。 

据报导,Racetrack 存储技术首见于2004年,当时由IBM旗下的Almaden Research Center研究人员Stuart Parkin所提出。目前Parkin所领导的开发团队,已确定在电流影响下,当存储位移动时,不会覆写先前存储的信息。 

Racetrack 存储中信息位用域畴(Domain Walls)来代表,域畴是沿着纳米线分布的微小磁化区域(磁畴),在电流作用下,磁畴的极性会翻转,代表0与1的变化。与当前存储技术不同的是,纳米线 若垂直嵌入芯片中,赛,Racetrack 存储器便可以3维方式存储信息。

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