MT8781安卓核心板采用先进的台积电6纳米级芯片生产工艺，配备高性能Arm Cortex-A76处理器和Arm Mali G57 GPU，加上LPDDR4X内存和UFS 2.2存储，在处理速度和数据访问速度上都有着出色的表现。
MT8781还支持120Hz显示器，无需额外的DSC硬件，通过同步技术动态调整刷新率，提供了极其流畅的网页和应用程序动画的滚动流畅。同时，108兆像素的大相机和Dimensity-class图像质量技术，使得该芯片在摄影效果上也有着卓越的表现。双摄像头和ZSL技术的支持，为用户提供了非常详细的散景拍摄。
在连接方面，MT8781集成了Cat-13 4G LTE调制解调器，支持全球频段和IMS服务，提供可靠的连接以及实现最佳的能效。另外，Essential dual 4G SIM卡通过两种连接提供无缝的快速数据服务体验，而VoLTE和ViLTE服务提供卓越的通话和实时视频体验。
MT8781安卓核心板参数：
集成的突出功能
- 2个Arm®cortex - a76内核，工作频率为2.2 GHz
- 6个Arm®cortex - a55内核，工作在2.0 GHz
- 高达12gb的LPDDR4X-4266 SDRAM(2通道，每个16位数据总线)
- LTE Cat-13
- 嵌入式连接系统，包括WLAN/BT/FM/GPS
- 分辨率高达2K (2,000 x 1,200)
- OpenGL ES 3.2 3D图形加速器
- ISP支持32 MP@30 fps
- H.265 2560 x 1,440@30 fps解码器
- H.265 2560 x 1,440@30 fps编码器
- 语音编解码器(FR, HR, EFR, AMR FR, AMR HR, wide-band AMR, and EVS_WB)
平台特点
- AP MCU 子系统
− 2 个 Arm® 2.2 GHz Cortex-A76 内核，每个内核具有 64 KB L1 I 缓存、64 KB L1 D 缓存和 256 KB L2 缓存
− 6 个 Arm® 2 GHz Cortex-A55 内核，每个内核具有 32 KB L1 I 缓存、32 KB L1 D 缓存和 128 KB L2 缓存
− 共享 1 MB 三级缓存
− NEON 技术，用于加速多媒体处理的高级 SIMDv2
− 矢量浮点协处理器扩展，VFPv4
− DVFS技术，自适应工作电压为0.55V至0.9V
- MD MCU 子系统
− 高性能多核多线程处理器架构
− 高性能AXI总线接口
− 用于外设数据传输的通用 DMA 引擎和专用 DMA 通道
− 用于时钟门控控制的电源管理
- MD 外部接口
− 双 SIM/USIM 接口
− 与射频和无线电相关外设（天线调谐器、PA 等）的接口引脚
- 安全
− Arm® TrustZone® 安全
− 用于全盘加密 (FDE) 和基于文件的加密 (FBE) 的内联引擎
− 联发科技 CryptoCore
- 外部存储器接口
− 高达 12 GB 的 LPDDR4X-4266 SDRAM
− 2 个通道，每个通道有一个 16 位数据总线
− 支持双列设备
− 支持自刷新/部分阵列自刷新（PASR）命令
− 高级命令仲裁
− 精心设计的功耗降低技术
- 外围设备
− USB2.0 OTG模式
− eMMC5.1
- UFS 2.2
− 3个UART用于调试和应用
− 6个SPI主机用于外部设备
− 3 I2C/7 I3C 用于控制外围设备，例如 CMOS 图像传感器、LCM 或 FM 接收器模块
− 最大。 3 个 PWM 通道（取决于系统配置和 I/O 使用情况）
− I2S，用于连接可选的外部高端音频编解码器
− GPIO
− 2组存储卡接口，支持SD/SDHC/MMC和SDIO2.0/3.0协议
- 运行条件
− 核心电压：0.55V/0.6V/0.65V/0.725V
− 输入/输出电压：1.8V/2.8V/3.3V
− 内存：0.75V
− 液晶模组接口：1.8V
− 时钟源：26 MHz、32.768 kHz
- 封装
− 类型：FCCSP
− 11.35 毫米 x 11 毫米
− 高度：最大。 0.9毫米
− 球数：806 球
− 球间距：0.35 毫米
