编辑-Z

ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC参数:

型号:SBT10100VDC

最大重复峰值反向电压(VRRM):100V

最大平均正向整流输出电流(IF):10A

峰值正向浪涌电流(IFSM):150A

每个元件的典型热阻(ReJA):2℃/W

工作结和储存温度范围(TJ, TSTG):-65 to +150℃

最大瞬时正向压降(VF):0.42V

最大直流反向电流(IR):4uA

ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC封装,SBT10100VDC图片_热阻

SBT10100VDC封装图片:

封装:TO-263

总长度:15.9mm

本体长度:9.5mm

引脚长度:5.1mm

宽度:10.69mm

高度:4.85mm

脚间距:2.54mm

ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC封装,SBT10100VDC图片_热阻_02

SBT10100VDC特征:

低正向压降

可靠的高温操作

最柔软、快速的切换能力

150℃工作结温

无铅饰面,符合RoHS

ASEMI肖特基二极管SBT10100VDC封装,SBT10100VDC图片_引脚_03

SBT10100VDC典型应用:

针对超低正向压降而优化的设备,可最大限度地提高电源应用的效率