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SBT30100VCT在TO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是94MIL，是一款超低压降低功耗肖特基二极管。SBT30100VCT的浪涌电流Ifsm为250A，漏电流(Ir)为8uA，其工作时耐温度范围为-65~150摄氏度。SBT30100VCT采用金属硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。SBT30100VCT的电性参数是：正向电流(Io)为30A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.52V，其中有3条引线。
SBT30100VCT参数描述
型号：SBT30100VCT
封装：TO-220AB
特性：超低压降低功耗
电性参数：30A 100V
芯片材质：金属硅芯片
正向电流(Io)：30A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.52V
芯片尺寸：94MIL*2
浪涌电流Ifsm：250A
漏电流(Ir)：8uA
工作温度：-65~+150℃
引线数量：3
SBT30100VCT插件封装系列。它的本体长度为16.46mm，加引脚长度为30.36mm，宽度为10.5mm，高度为4.8mm，脚间距为2.79mm。
以上就是关于SBT30100VCT-ASEMI肖特基二极管SBT30100VCT的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于：开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
