在以Cu纳米磨削一文中详细介绍了如何使用lammps命令建立纳米磨削模型，当时并没有给出磨削代码。
本文以圆锥形SiC磨粒磨削单晶Si为例，介绍纳米磨削模拟过程以及力的输出。
模拟流程：
（1）建模：单晶硅分为三个区域：边界区、恒温区、牛顿区。磨粒为圆锥形，材料为SiC。
（2）模拟初始化，固定边界原子，设置磨粒原子为刚性原子。
（3）能量最小化，对系统进行弛豫，使体系能量达到最低。
（4）设置恒温区温度为300K。
（5）设置系综，设置磨粒移动方向和速度
（6）输出轨迹文件、输出三个方向受力。
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