W25Q系列的器件在灵活性和性能方面远远超过普通的串行闪存器件。W25Q64将8M字节的容量分为128个块,每个块大小为64K字节,每个块又分为16个扇区,每个扇区4K个字节。W25Q64的最小擦除单位为一个扇区,也就是每次必须擦除4K个字节。所以,这需要给W25Q64开辟一个至少4K的缓存区,这样必须要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。

W25Q64的擦写周期多达10W次,可将数据保存达20年之久,支持2.7~3.6V的电压,支持标准的SPI,还支持双输出/四输出的SPI,最大SPI时钟可达80Mhz。

W25Q64 Flash芯片原理与应用方案(含W25Q64中文数据手册)_单片机

一、W25Q64硬件设计

W25Q64 Flash芯片原理与应用方案(含W25Q64中文数据手册)_单片机_02

F_CS 、SPI_MISO、SPI_SCK和SPI_MOSI四个引脚与单片机的IO口连接,可以是单片机的硬件SPI接口,也可以通过普通IO口来模拟SPI协议。

二、W25Q64软件协议

W25Q64 Flash中文数据手册:


手册共18页,下面为手册第一页的预览:

W25Q64 Flash芯片原理与应用方案(含W25Q64中文数据手册)_单片机_03