一、W25Q16JW 1.8V 16M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL, QUAD SPI
W25Q16JW (16M-bit) 串行闪存阵列分为8192个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q16JW分别具有512个可擦除扇区和32个可擦除块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。 该器件采用1.65V至1.95V电源供电，关断模式下功耗低至0.1µA。
W25Q16JWSSIQ存储器 IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：16Mb
存储器组织：2M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：3ms
电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
明佳达电子供应、回收8SOIC、W25Q16JWSSIQ 16Mb，W25Q512NWEIQS 512Mb SPI 四 I/O串行闪存。
二、W25Q512NW 1.8V 512M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL/QUAD SPI
W25Q512NW (512M-bit) 串行闪存阵列分为262，144个可编程页面，每个页面256字节。一次最多可编程256个字节。页面可以以16个为一组（4KB扇区擦除）、128个为一组（32KB块擦除）、256组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q512NW分别具有16，384个可擦除4KB扇区和1，028个可擦除64KB块。4KB小扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。该器件采用1.65V至1.95V单电源供电，关断时功耗低至0.3µA。
W25Q512NWEIQS NOR闪存 IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
存储器类型：非易失
存储器格式：闪存
技术：FLASH - NOR
存储容量：512Mb
存储器组织：64M x 8
存储器接口：SPI - 四 I/O，QPI，DTR
时钟频率：133 MHz
写周期时间 - 字，页：3ms
访问时间：6 ns
电压 - 供电：1.65V ~ 1.95V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-WSON（8x6）
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