第十九章 EEPROM读写测试EEPROM是一种用于计算机系统的非易失性存储器，也常在嵌入式领域中作为数据的存储设备，在物联网及可穿戴设备等需要存储少量数据的场景中也有广泛应用。本章我们学习EEPROM的读写操作并进行EEPROM读写实验。 本章包括以下几个部分： 1919.1EEPROM简介 19.2 实验任务 19.3 硬件设计 19.4 程序设计19.1EEPROM简介EEPROM (Ele
一. 简介本篇文章，将介绍如何编写命令的发送，与响应的接收，这部分代码，这部分代码。对应所以模式而言，发送与接收的时序都是一样的，所以这部分代码对应所以的eMMC而言，都是通用的。先来看一下整体的框图，命令模块下包括发送与接收，还是比较容易的。二. 命令发送在命令发送模块里面，我们就不关心，命令长什么样，每一位代表什么意思，只需要知道每一条命令的长度，以及如何将其发送出去即可。模块的接口信号如下，
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2024-07-26 12:00:55
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USB2.0的开发与设置主要包括三部分，第一：基于keil 的USB2.0的固件开发，这里主要是借用黑金开发板516上面自带的固件进行相关的设置预配置：第二：是基于C# 或者C++对于USB2.0的上位机的开发；第三：主要是基于FPGA的对于USB2.0的同步传输。 首先，通过固件修改将USB2.0配置为同步传输模式
EM算法
所谓EM算法，指的是就是Expect-Maximum算法，是一种非常有用的算法。假设这么一个问题，我们有一堆样本集合X，我们已知该样本总体的分布类型（比如是高斯分布），但是我们不知道这个分布的参数具体是多少，我们希望有方法能够根据这些观测到的样本集合来估计出这个分布的参数。怎么办呢？于是就有了极大似然估计，该方法思路很简单，计算出这些样本出现的分布概率公式，该公式肯
在FPGA中，寄存器的使能设计一般有两种方式：1.直接使用寄存器的使能端口。2.使用一个数据选择器连接寄存器的D端口，通过数据选择器的sel端口做使能。如下图 这个方式与直接使用寄存器的CE端口有什么区别呢？我们可以看出来，1.在Q1为输出端口时，此时这个结构所具有的功能和普通的寄存器是一样的，当CE=1时，D经过数据选择器选通
一、EMIF简述64x的EMIF是用于片外存储器扩展和外部数据接口的一种并行数据传输片上外设。使用过程需要通过软件编写配置程序，使片上外设的的硬件电路实现特定的时序逻辑功能，构成与外部存储器或外设设备之间的无缝高速数据传输通道，因此，EMIF工作需要软硬件相互配合，属于混合基体。EMIF可以通过EDMA与存储空间直接关联，整个数据传输可以与CPU工作并行，增加了算法执行的时间效率。图为EMIF基本
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2024-09-29 14:52:45
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在emmc/sd区块层解析和emmc/sd核心层解析这两篇文章中讲了驱动的部分代码，但是真正跟硬件打交道的代码还是不知道。特别是在核心层分析的时候，我们还欠一份账，host->ops下的函数指针的具体实现。接下来我们分析host文件夹下的部分代码。在host下面有很多的host类型的对应的文件，在处理流程上都差不多，网上有很多网友都分享了对s3cmci的分析，在这里我就分析一下mmci这个h
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2024-04-06 21:49:44
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一、段寄存器有哪些 ？段寄存器有ES、CS、SS、DS、FS、GS、LDTR、TR共8个。ES：扩展段。在串操作时(比如cmovs)目标操作数的基址是ES，源操作数是DS。CS：代码段，配合EIP使用。SS: 堆栈段，凡是基址是EBP或ESP的，段前缀就是SS。DS：数据段，默认的都是DS。FS、GS：80386 之后定义的。段寄存器结构：段寄存器的大小是 96 位段寄存器结构可以抽象成以下结构s
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2024-05-25 13:08:57
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DSP TMS320C6678 开发手册使用在datasheet文件，即数据表PDF文件中 寻找memory map summary 在17页中，可以找到相应器件的地址以DMA传输为例，找到相应的EDMA_user_guide其中最后有如何利用该模块进行数据传输 step1. 初始化DMA/EDMA通道 （a）确定被使用的通道类型（QDMA或DMA）。 （b）通道映射 i. 如果使用QDMA通道，
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2024-04-21 09:13:08
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目录一、常用1.解释竞争与冒险的概念：如何消除竞争与冒险：具体层面应当如何做：2.时序逻辑电路与组合逻辑电路的区别是什么：被综合成电路之后的器件是什么：在代码中时两种电路如何表现：什么是同步时序电路和异步时序逻辑电路3：米利状态机和摩尔状态机的区别是什么：4.什么是建立时间和保持时间：（西安）如果不满足将导致什么？如何解决：不同比特的数据传输，又如何消除亚稳态：5.信号同步—打拍的作用是什么：6
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2024-08-28 10:31:43
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开发产品时，常常需要掉电保存一些数据，以防止电源不稳定或发生系统异常，这就需要使用FLASH或EEPROM芯片。这两种芯片，可擦除的次数是有限制的，Nor Flash可以擦除重写10w次以上，Nand Flash类似，而EEPROM的标称寿命一般是100w写入。当然也有寿命很高的非易失性存储器，比如最近宣传很多的FRAM，号称寿命在1000万亿次以上，而且可
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2024-05-21 11:54:39
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一.需求说明 fpga首先全擦除flash芯片，然后往flash芯片中写入一页数据，再接着读取这一页数据。二.硬件介绍 1.flash资源介绍M25P16芯片是flash芯片，容量是16Mbit。16Mbit=16×1024×1024bit=2×1024×1024byte=2,097,152 bytes 。总共有32个扇区，每个扇区有512×1024bit=65536byte。每个扇区有256页，
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2024-09-24 09:30:11
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FPGA实现高带宽NVMeSSD读写——纯逻辑实现项目背景方案介绍测试平台测试方案测试硬盘：测试结果：IP连续数据读写测试结果：IP实现及测试中的问题Xilinx官方IP：AXI Interconnect硬盘厂商的调教：队列深度结语 项目背景在两年之前的帖子《FPGA实现高带宽NVMe SSD读写》中，我们实现了一个基于PS和PL端的高速NVMe SSD IP。这个IP在我们自己的系统中使用正常
第3章 嵌入式动态随机存储器6T SRAM存储单元由六个晶体管组成，单元面积相对较大。为了增加存储密度，eDRAM是SRAM最具有潜力的替代品，根据存储单元不同分类：传统的单晶体管单电容的(1T1C)eDRAM，其存储单元由一种特殊的高密度3D电容器和单个存取晶体管构成增益单元eDRAM(GC-eDRAM)，其存储单元通常由2到4个晶体管构建3.1 1T1C eDRAM3.1.1 单元结构1T1C
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2024-03-25 09:17:54
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屏幕参数： 尺寸：0.96寸 分辨率：128*64 通信方式：I2C 模块内部驱动芯片：SSD1315 管脚定义：GND、VCC、SCK、SDASSD1315 MCU 接口包含 8 个数据引脚和 5 个控制引脚。 下表总结了不同接口模式下的引脚分配。 可以通过BS [2：0]引脚上的硬件选择来设置不同的MCU模式。 I2C对应的BS [2：0]=010。I2C 通信接口从机地址位 SA0I2C 总
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2024-07-08 07:46:58
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一个U盘是由主控芯片和F芯片（FLASH芯片），以及周边的电容、发光二极管等元器件组成的，有时候一个误操作就能导致U盘罢工，或者U盘假死。有的假死很容易解决，比如在设备管理器里能看到闪存设备前面的图标有个问号，碰到这样的情况可卸载驱动，系统会自动重新安装（WIN98以后的系统），就可以重新使用了。而且这种情况下拿到别人机子上是可以正常读写的。有时是由于USB接口的问题，更换下接口就可解决，故这些都
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2024-03-20 18:43:29
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一、摘要 DE2_TV中，有关于寄存器的配置的部分，采用的方法是通过IIC的功能，这里对IIC总线的FPGA实现做个说明。 二、实验平台 软件平台：ModelSim-Altera 6.4a (Quartus II 9.0) 硬件平台：DIY_DE2 三、实验原理1、IIC总线器件工作原理 在IIC总线上传送信息时的时钟同步信号是由挂接在SCL时钟线上的所有器件的逻辑“与
FPGA的基础学习-----EEPROM读写测试EEPROM简介EEPROM（AT24C64）IIC通讯协议空闲状态起始信号与停止信号数据有效性应答信号ACK数据的传送AT24C64单次写时序AT24C64当前地址读时序AT24C64随机地址读时序 EEPROM简介EEPROM即电可擦除可编程只读存储器，是一种常用的非易失性存储器（掉电后，数据不丢失）。不同厂家的产品，相同厂家不同型号、系列的产
第二十三章 EEPROM读写测试实验EEPROM是一种用于计算机系统的非易失性存储器，也常在嵌入式领域中作为数据的存储设备，在物联网及可穿戴设备等需要存储少量数据的场景中也有广泛应用。本章我们学习EEPROM的读写操作并进行EEPROM读写实验。 本章包括以下几个部分： 23.1 EEPROM简介 23.2 实验任务 23.3 硬件设计 23.4 程序设计 23.5 下载验证 23.1 EEP
目录1 AT21CS01/ AT21CS112 复位ack时序3 发送时序4 接收时序5 连续发送/接收示例6 EEPROM访问6.1 EEPROM读取6.2 EEPROM页写6.3 ROM区域寄存器写6.4 ROM区域寄存器读6.5 冻结ROM区域寄存器7 安全寄存器访问8 制造商ID读取9 高速/标准速度模式9.1 模式切换9.2 模式检查 1 AT21CS01/ AT21CS11 
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2024-10-20 06:37:59
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