在Java中，Choice类是一个用来创建下拉框（即下拉菜单）的控件。Choice控件可以让用户从预定义的选项中选择一个值，通常用于用户在一组选项中进行选择的情况。当用户选择一个选项时，可以通过监听器来获取用户所选的值。
要获取Choice控件中选中的值，我们可以使用`getSelectedItem()`方法。该方法返回一个String类型的值，表示用户当前选中的选项。下面我们来看一个简单的示例
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2024-04-16 06:46:48
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C语言feof()函数的使用正确的应该是feof返回0表示文件没有结束，返回1，表示结束。feof实际观察的是上次读操作的内容，也就是上次读操作fread返回的值，如果读操作的返回值表明读取的不是空，那feof就返回0，如果上次读操作失败了，则feof返回1，表示读取完了。而fread返回值是表示正确读取的块数，如果不够，则返回0。那么我们看一下下面的程序：while(1)
{
if(feof
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2024-07-17 10:54:32
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1. FET与BJT的比较 FET的全称是场效应晶体管（Field Effect Transistor），和BJT不同，FET的核心工作原理是：通过在半导体上施加一个电场来改变半导体的导电特性。在不同的电场下，半导体会呈现出不同的导电特性，因此称为“场效应”管。 回忆一下BJT最基本的那个公式：IC=βIB，它的核心工作机制是通过基级电流IB控制集电极电流IC，有点像是一个流控
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2021-05-22 21:36:20
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Yeti 2的官网：http://tos-ide.ethz.ch/wiki/pmwiki.php?n=Site.DebuggerInstallationMSPFET430UIF，有详细的安装步骤，但是由于年代久远，有很多部分需要自己调整．一．首先在windows下安装IAR5.30或者一下版本，版本过高会要求固件升级，完全没有必要．安装完成后，将MSP-FET430UIF插入电脑的USB接口，
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2015-06-15 09:45:19
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介绍诸如高输入阻抗、制造简单、操作简单等多种优点使得场效应晶体管（FET）广泛用于不同的应用中，特别是在集成电路系统中。FET是继BJT之后的第二代晶体管。这些可用作示波器、测试和测量仪器、电子电压表等的放大器，也可用于开关动作。让我们详细了解 FET 作为开关的工作原理。但在此之前，我们必须先了解一下FET的基础知识及其操作。 FET及其工作区域场效应晶体管是一种单极器件，其
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2022-03-31 16:33:28
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原文地址：研究日志 11.3.31">FET-430&SIM508 研究日志 11.3.31 作者：半岛鱼 3月31日 今天，430板终于可控制SIM508拨打电话了。原因是第一，将两头为公的串口线的2、3线交叉，第二,...
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2011-05-21 11:41:00
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原文地址：FET-430&SIM508 研究日志 11.3.31作者：半岛鱼3月31日 今天，430板终于可控制SIM508拨打电话了。原因是第一，将两头为公的串口线的2、3线交叉，第二,SIM508板得频率设为115200,（之前为自适应），第三，仿真器的驱动装好了。第四、仿真器的设置必须设置正确。 #include "msp430x16x.h"//#i...
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2021-09-29 10:45:18
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特点(PC9095)•输入电压范围：•PC9095A、PC9095KA:2.5伏~13.5伏•PC9095B，PC9095KB:2.5伏~10伏•PC9095C，PC9095KC:2.5伏~5.5伏•28V绝对最大额定电压VOUT•带外部电阻器的可调限流器•集成功率FET开关，53mΩRds（开）@5V/1A•内置软启动，防止浪涌电流•保护•超温保护（OTP）•过电压保护（OVP）：▪ PC909
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2023-12-28 18:29:23
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ROHM Semiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。 特性》650V E模式GaN FET》低导通电阻》高速开关》内置ESD保护》高度可靠的设计》帮助减少电源转换效率和尺寸》出色的散热性
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2023-06-19 15:02:40
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单词“晶体管”是指可以执行开关和放大的半导体器件。 您可能从上一教程中回忆起
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2022-03-08 15:21:53
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单词“晶体管”是指可以执行开关和放大的半导体器件。 您可能从上一教程中回忆起，可以用作开关或放大器的电子设备称为有源组件。 电开关和放大并不是从1948年晶体管的发明开始的。 但是，本发明是一个新时代的开始，因为与晶体管扩散之前使用的有源组件（称为真空管）相比，晶体管体积小，效率高且具有机械弹性。
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2021-08-20 10:49:39
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全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）面向空调、白色家电、FA设备等配备交流电源的家电和工业设备领域，开发出内置730V耐压MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年来，家电和工业设备领域的AC/DC转换器，不仅要支持交流输入85V～264V以处理世界各地的交流电压，作为电源整体还
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2022-01-20 15:35:35
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概述PC8916是双通道、高功率具有集成NMOS功率FET的开关，以及电荷泵。该设备集成了高级保护功能，例如负载电流限制，通过功率限制进行过载主动管理带可配置闭锁的超温停机。全面诊断和高精度电流感应这些功能实现了对负载的智能控制。有源漏极和源极电压箝位内置寻址关断电感负载的能量，例如继电器、螺线管、泵、电机等向前地在感应关断循环期间电源（EBAT）和负载的能量（ELOAD）在高压侧电源开关上耗散它
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2024-03-11 10:59:53
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1概述PC9511/21系列电子保险丝的设计目的是保护输出（OUT）上的电路免受瞬态影响在电源总线（IN）上和大的浪涌电流。同时保护电源总线不受不希望的输出短路的影响以及意外的过载情况。当输出斜坡上升时，浪涌电流为通过限制输出电压的s lew速率来限制。转换速率由位于SS引脚。内部小电流源为充电SS引脚外部电容器。输出电压轨迹具有恒定比率的SS引脚电压，直到内部电源FET完全打开。当用户使SS引脚
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2023-12-26 11:30:48
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FET（场效应管）的核心机制是通过栅极电压调控半导体沟道中的载流子浓度与分布，进而控制源
一、驻极体电容式麦克风结构驻极体电容式麦克风结构如上图，从上到下包括：PCB，FET，栅极导电环，栅极绝缘环，驻驻极板，绝缘片，振膜，外壳共8个部分，各部分功能如下。1、PCB与FET组件：在PCB的表面贴装有FET，电容，电阻等器件，FET的作用主要是阻抗匹配的转换，阻容提供合适的直流偏置，交流信号输出，及滤波抗干扰屏蔽作用，同时也起到固定、防异物的作用。2、栅极导电环：连接驻驻极板与FET的栅
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2023-11-02 10:39:14
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烧写步骤（同时也是launchpad板载ezfet固件恢复步骤）：STEP1:找一个可以烧写5528的烧写器，launchpad板载的Ez-FET或者FET430UIF都可以，按照标识连接到目标板上。STEP2:电脑上安装UniFlash工具，下载 Ez-FET lite的资源包STEP3:解压资源包，找到eZ-FET lite rev 1.10 Release Package\Firmware\
在5G和工业互联网的大背景推动下，飞凌嵌入式先后推出了FET1012A-C、FET1043A-C、FET1046A-C、FET1028A-C四款核心板。这几款核心板所采用的CPU都属于NXP Layerscape®通信处理器，在网络吞吐性能方面更具优势，而且原生网口数量也比较多，像FET1046A-C最多可以支持8个千兆网口。对这个系列平台不是太了解的话，选型时难免有一些困惑，在此我将这四款核心板
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2024-01-08 14:14:42
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上篇我们分析了J-FET的结构和工作原理，今天我们来说说J-FET的输出、转移特性曲线。J-FET的输出特性曲线由图中可以看出，J-FET的输出特性曲线分为四个区域：可变电阻区、线性放大区、截止区和击穿区。下面分别来说说。1. 截止区在N沟道J-FET输出特性曲线图中可以看到，当Ugs=-5V，Id=0时，这时由于两个PN结的反偏电压很大，导致N型沟道的宽度几乎为零，就好像被“夹断”一样，我们把J
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2024-08-04 16:46:58
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设计输入侧电源时的问题机械式继电器、MOS FET继电器分别具有不同的特长。基于对MOS FET继电器所具小型及长寿命、静音动作等优势的需求，目前已经出现了所用机械式继电器向MOS FET继电器转化的趋势。但是，由于机械式继电器与MOS FET继电器在产品结构上完全不同，所以设计时需注意的要领也自然不同。机械式继电器通过施加线圈电压进行驱动，而MOS FET继电器则是电流驱动。采用不同于机械式继电
