整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压
   瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管,是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件,它的外型与普通二极管相同,但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率,它的主要特点是在反向应用条件下,当承受一个高能量的大脉冲时,其工作阻抗立即降至极低的导通值,从而允许大电流通过,同时把电压钳制在预定水平,其响应时间仅为10-12毫秒,因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。TVS管允许的正向浪涌电流在T
原始资料来自网络 整理日: 2015年2月12日1. Welcome算是给所有正在学习USB,还徘徊着不得其门而入的朋友一个入门的契机吧,我也深知入门的痛苦,有些人入门就是抱着那什么USB协议,包定义,帧格式......啃来啃去的,结果啃不出个所以然来。依我的经验来看,协议方面的东东,随便找本书,过一遍就行了;然后,你的终点应该放在你如何来写第一个成功的USB固件;而要写USB固件,那么了
1. 双向链表单向链表之所以叫做单向链表,是因为它的所有链接区域都指向了后继节点,这样的缺点就是:无法找到前面的节点,如果想要找前面的节点,只能从头开始查找。节点指向的后面的那个节点称之为:后继节点节点指向的前面的那个节点称之为:前驱节点之前学习的是单向链表:现在我们需要把节点进行重新改造,改造为 双向节点:对于双向节点来说,就有三个部分了:数据区后继区前驱区其中:n/N: Nextp/P: Pr
    许多开发人员都遇到过这样的情况:在实验室开发好的产品,测试完全通过,但到了客户手里用了一段时间之后,出现异常现 象,甚至是产品失效需要返修,并且故障率往往也不高(1%以下)。一般情况下,以上问题大都由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成。    ESD抑制器是目前最新一代防静电产品(98年由军工转民用,现行业内已经全面铺开),由聚合物(POLYMER)电
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系列文章目录 1.元件基础2.电路设计 3.PCB设计4.元件焊接6.程序设计9.检测标准 文章目录前言一、隔离接地的原理1、总线侧悬空接下来进行分析:2、设备控制测悬空接下来进行分析:3、改善措施二、完善的总线接口保护电路三、阻容回路接地的必要性1、电容:2、1M电阻: 前言为保证总线网络的通讯稳定性,通讯接口通常会做隔离,隔离的主要目的:安规考虑:保护设备及人身安全,隔开潜在的高压危险;提高通
TVS二极管是一种二较管形式(齐纳二较管的进化)的高效率保障器件。如果TVS二极管的两极受反向瞬态高能量影响时,它能以极快的速度,把其两极之间的高阻抗变作为低阻抗,吸取电源与信号线之上的浪涌功率,使两极之间的电压箝地处于一个预定值。双向TVS二极管与单向TVS二极管单向TVS二极管与便特性而言与齐纳管比较相似,可以吸取正向的浪涌电压脉冲,通常仅用作变压器电路(而且没反接与负向脉冲)。 双
摘自网络1、并联放电器件。常用的放电器件有TVS,齐纳二极管,压敏电阻,气体放电管等。如图1.1、齐纳二极管( Zener Diodes ,也称稳压二极管 ) 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容,这对于高速信号(例如 500MHz)而言,会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。1.2、瞬变电压消除器 TVS(Tran
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SSL(安全套接字层)是用于在客户端和服务器之间实现安全通信以确保数据安全性和完整性的标准技术。SSL 随着时间的推移而发展,并且已经引入了几个版本来处理任何潜在的漏洞。1995 年发布的 SSL V2 是 SSL 的第一个公共版本,随后是 1996 年的 SSL V3,随后是 1999 年的 TLS V1.0、2006 年的 TLS V1.1 和 2008 年的 TLS V1.2。 
单向数据流和双向数据流单向数据流:单向,可以想象城一棵dom树自上而下渲染数据,上方数据改动会引发下面所有用到数据的改动,而下方数据改动不会影响上方(类似父子组件的概念)双向数据流:类似于Vue的双向数据绑定,一个数据更改,会默认引发其他数据的更改优缺点:单向数据绑定的优缺点优点1、所有状态的改变可记录、可跟踪,源头易追溯。 2、所有数据只有一份,组件数据只有唯一的入口和出口,使得程序更直观更容易
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很多人通常都会觉得滤波电容的输出越大越好,其实常友小编想告诉你的是,这种观点并不全面,真正能够影响直流电压输出的重要参数时滤波电容的ESR值(即:滤波电容的等效串联电阻或阻抗) 每一个电容都有电阻,这个电阻值和电容的组成材料、结构有关系。在开关电源技术大规模应用之前,普遍采用的是线性电源,电源电路都工作在低频直流状态,通过滤波整流电路把交流转换成直流。在低频直流电源中,电容的容量对滤
一、ESD器件的主要性能参数1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地,TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值
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  稳压二极管(Zener Diod 齐纳二极管)   A原理:它工作在电压反向击穿状态,当反向电压达到并超过稳定电压时,反向电流突然增大,而二极管两端电压恒定B分类:   从稳压高低分:低压稳压二极管(<40V);   高压稳压二极管(>200V)   从材料分:N型;P型   C.主要参数   ①稳定电压VZ:在规定的稳压管,反向工作电流IZ下,所对应的反向工作电压。   ②稳定电
双向数据绑定和单向数据绑定解释:a. 单向数据绑定  指的是我们先把模板写好,然后把模板和数据(数据可能来自后台)整合到一起形成HTML代码,然后把这段HTML代码插入到文档流里面。 单向数据绑定缺点:HTML代码一旦生成完以后,就没有办法再变了,如果有新的数据来了,那就必须把之前的HTML代码去掉,再重新把新的数据和模板一起整合后插入到文档流中。 简单的来说就是DOM操作直接改变b. 数据数据双
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一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典。但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫。 先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁。所以预防静电损
1 引 言   静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展, CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为
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几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管。首先,我们要了解一些半导体的知识。电流通过各种物体时,不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力,有的物体可使电流顺利通过,也有的物体不让其通过,或者在一定的阻力下让它通过。这种不同的物体通过电流的能力,叫做这种物体的导电性能。各种物体均有着不同的导电性能,凡是导电性能很好的物体叫做导体。如银、铜、铝、铅、锡、铁、水银、碳和电解液等都是良好导
   在电子产品生产中,都会用到一种材料,它也因此被誉为电子行业的“生命之源”这种材料就是肖特基二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。  在通信电源、
介绍我们日常生活中使用的电能几乎有90%来自交替来源。无论是我们的家用电器、办公设备还是工业机器,我们都会使用交流电源为这些设备供电。 如果你是一个初学者,那么交替电流或简单的交流是一种电力,其中电流周期性变化,无论是在数量和方向。此外,根据应用程序,交流电源可以在单相或三相系统中交付。 单相交流电源系统由两根称为相(有时称为线或活或热)的电线和中性线组成。如果采用三相系统,则使用三根电线或四根导
    利用IO模拟串口对于接收比较复杂,稳定性肯定没有串口模块稳定性好,而且要占用一个定时器中断,对于不允许使用中断的场合就不能适应,比如高速的无刷控制器,我发明了一种方案可以解决这个问题,除了传输速度慢以外,有很多优点,因为越慢越稳定,目前为单主多从,其很容易扩展为类似can那样的单线多主方式,由于个人原因没有条件与时间将此方案改的完美,现在将其分享给需要的人 /
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