(嵌入式内存技术正处于十字路口。在FD-SOI和FinFET高级CMOS技术中，传统浮栅嵌入式非易失性存储器（eNVM）的集成在28nm和更小的硅
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2021-06-06 17:17:40
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M2S010TS-1FG484M SmartFusion2是一个系统级的FPGA，在这个芯片上集成了具有可靠性的快闪FPGA架构、一个166MHz ARM Cortex-M3处理器、安全处理加速器、DSP模块、SRAM、eNVM和高性能通讯接口。
目录1.车规MCU制程工艺朝28nm进发2.MCU存储器概述3.MCU大厂的选择 3.1 瑞萨自研STT-MRAM3.2 ST专注PCM3.3 英飞凌和台积电联手RRAM3.4 NXP如何计划eNVM4.小结1.车规MCU制程工艺朝28nm进发随着英飞凌发布了关于AURIX TC4xx系列即将量产的新闻，国际MCU大厂关于下一代跨域融合架构的车规MCU基本凑齐了。而跨域融合对车规MCU算
