随着三星Galaxy S6和华硕Zenfone 2的接连上市，新一代的LPDDR4内存和4GB容量内存先后进入消费者的视野，引爆了2015年新一轮的手机硬件车轮战。据悉，新内存能够为智能手机带来更强的性能提升，有望继续提高智能手机的使用体验。那么在电脑尚处于DDR3的阶段，智能手机却捷足先登，吃上了LPDDR4的“小鲜肉”，对此你是如何看待的呢？先弄清什么是DDR3和LPDDR4计算机内存技术一直
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2023-09-06 20:32:12
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1）为了更好的提高信号完整性，DDR3存储模块采用了fly-by的拓扑结构。该拓扑应用于地址、控制、时钟线。Fly-by拓扑能有效减少stub的长度，但是较长的走线带来了CK-CK#与DQS-DQS#间的时延（由于CK-CK#的飞行时间，其到达每个DDR3颗粒的时间不同，而DQS-DQS#通常为点到点拓扑）。
2）Fly-by拓扑简介：
我们已经分析过，fly-by拓扑应用于地址、
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2024-06-11 09:34:05
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一、内存理论带宽的计算内存带宽计算公式：带宽=内存核心频率×内存总线位数×倍增系数。 先容我从DDR的技术说起，DDR采用时钟脉冲上升、下降沿各传一次数据，1个时钟信号可以传输2倍于SDRAM的数据，所以又称为双倍速率SDRAM。它的倍增系数就是2。 DDR2仍然采用时钟脉冲上升、下降支各传一次数据的技术（不是传2次），但是一次预读4
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2023-09-24 15:56:15
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1.使用工具stressapptest和memtester 一般buildroot中有这两工具,make menuconfig选择一下，然后make一下。把生成的工具放到板卡上输入以下名字就行了先运行stressapptest -s 43200 -i 4 -C 4 -W --stop_on_errors -M 64其中-s是跑多长时间，单位是秒。根据需求设置。跑完后成功串口会打印Stat
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2023-07-27 21:10:38
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1、 DDRPHY ZQ CALIB 校准异常，RX CALIB校准不通过。 解决方法：检查PCB设计，纠正ZQ电阻实际连接与IP手册要求不一致问题。2、 DDR 基本写读测试512MB以上数据量时会出现错误，且出错的地址空间随机。 解决方法：检查PCB板设计，发现多个负载挂在一个电源上导致DDR供电不足，飞线输入单独电源后解决。3、 DDR3/4提速到1866和2133时不能正常访问，基本的写读
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2023-08-17 12:54:03
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关注手机参数的朋友，对于LPDDR4、LPDDR3，甚至是最新的LPDDR4X可能都不会陌生，它就是手机运行内存(RAM)，类似电脑的内存条，其中LPDDR3代表第三代手机内存，而LPDDR4则为第四代，至于LPDDR4X我们会在文末具体介绍。下面本文主要来讲讲LPDDR4和LPDDR3的差别，看看那一代手机内存更好一些。LPDDR4和LPDDR3哪个好？LPDDR4和LPDDR3差别LPDDR英
1、DDR出现的背景DDR 内存是 SDRAM 的升级版本，SDRAM 分为 SDR SDRAM、 DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。可以看出 DDR 本质上还是 SDRAM，只是随着技术的不断发展，DDR 也在不断的更新换代。先来看一下 DDR，也就是 DDR1，人们对于速度的追求是永无止境的，当发现 SDRAM 的速度不够快的时候人们就在思
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2023-11-20 22:40:33
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DDR的拓扑结构选择也是一个老生常谈的话题了，从最初只能采用T拓扑到支持读写平衡的Fly-by拓扑，设计似乎变得越来越简单了。大家来看这样一种情况，一个驱动拖动两片DDR颗粒，芯片支持读写平衡，您一般会选择什么拓扑结构呢？我想，这个应该和个人的设计习惯有关，或者选择T拓扑，或者选择Fly-by，没有标准答案。但是作者最近遇到的一个项目，一个主控拖动两个DDR颗粒，采用Fly-by结构，信号质量就不
1，按照JEDEC标准（JESD79-4），DDR4目前标准的JEDEC官方频率规格的为1600，1866，2133，2400，2666，3200，简单来说就是，这六个频率为官方标准的原生默频频率（由于JEDC最高为3200，因此3200以上均为非规范频率，比如XMP），1600和1866这两个频率将应用在某些特殊行业及领域，零售领域从2133起售。在官方标准未变更之前，大家也可以理解为DDR4
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2023-11-01 22:21:37
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上次在《DDR引发的问题(上)》中说到，想把一段大的初始化数组放到DDR中，结果链接不通过，最后通过修改链接选项解决了问题。但是把程序用仿真器下载进芯片内执行时，却发现DDR中的数据并未初始化成想要的数据。DDR使用控制器来完成底层时序和刷新操作，需要事先对DDR控制器进行适当的配置。一般都在最开始的初始化代码中配置完PLL和DDR，之后就可以在其地址空间范围内当作普通RAM直接寻址实现读写操作。
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2024-06-05 09:24:48
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内存篇一、什么是ddr4 2133内存条DDR就是Dual Data Rate（双倍速率同步动态随机存储器）。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯叫DDR，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，就是同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器
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2023-11-23 12:27:09
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# Android 测试 DDR 频率
在 Android 系统中，DDR（双倍数据速率）频率是决定设备内存处理速度的重要指标。DDR 的性能直接影响到应用加载速度、系统流畅度和整体用户体验。因此，测试 DDR 频率显得尤为重要。本文将介绍如何在 Android 系统中测试 DDR 频率，并提供相关代码示例。
## DDR 频率概念
DDR 是一种同步动态随机存取存储器（SDRAM），其数据
Android DDR Flash测试是一种常见的开发任务，旨在测试设备的内存读写性能。作为一名经验丰富的开发者，我将向你介绍如何实施这个测试，并提供每个步骤所需的代码以及注释。
整个测试流程可以分为以下几个步骤：
| 步骤 | 描述 |
|-----|------|
| 1. 准备工作 | 设置测试环境，包括安装必要的软件和驱动程序 |
| 2. 编写测试代码 | 创建一个Android应用
原创
2024-01-03 05:25:59
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SDRAM自动刷新模块1. cnt_7: 自动刷新是周期性的，因此需要时钟去重复计数，计满后就可以发出自动刷新请求信号给仲裁模块（依赖 init_end，计满清零）
2. auto_ref_req： 传给仲裁模块的自动刷新请求信号，计数器加满拉高，得到内部应答后拉低（依赖计数器 cnt_7、auto_ref_ack）
3. auto_ref_en：
4. auto_ref_ack: 当状态跳转到预
1、DDR4和DDR3 的一个差异是：DDR4之前的带宽提升依靠增加预取的bit数（ddr 2bit，ddr2 4bit ，ddr3 8bit 预取），而到了ddr4，只能通过bank group的方式来提高带宽了。 对于DDR4的控制器和DDR4颗粒，首先会提供一个tCK_freq的参数，这个参数值一般是533Mhz、600Mhz和800Mhz，分别对应数据
1.速率，电压DDR3：800-2133Mbps；1.5V（VDDQ）DDR4：1600-3200Mbps；1.2V（VDDQ）1：tCK=1.25ns，芯片支持最大IO时钟频率（DDR3频率）：1/1.25ns=800Mhz2：16代表芯片的数据位宽是16位（16根数据线）；ALLIANCE的DDR3L最大存储容量是4G（256M*16，512*8）DDR方式传输数据（上升和下降沿都传输），芯片
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2024-07-15 06:52:06
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# 理解 Android DDR 频率节点
在 Android 系统中，DDR（双倍数据率）内存的频率是影响性能与功耗的重要因素。通过调整 DDR 频率节点，可以优化设备的能效与响应速度。本文将介绍 DDR 频率节点的基本概念，并提供相应的代码示例以帮助开发者更好地理解。
## DDR 频率节点的概念
DDR 频率节点是指设备内存控制器通过系统驱动程序对 DDR 内存频率的管理方式。根据不同
速度和容量是影响内存最主要因素。根据摩尔定律，每10个月内存速度可提高一倍。在2003年里，内存已经从DDR266,双通道DDR333过渡到DDR400,随着时钟频率的提高，性能也有显著的改善。在2004和2005年里，内存技术将以DDR2为主流，进一步追求性能和容量的飞越，华硕服务器主板及服务器搭载DDR2技术 ，实现机器性能的全新突破。DDR2技术的主要优势如下：1. 速度更快，4-bit 数
内存及Cache带宽测试内存带宽测试Cache带宽测试L1带宽L2带宽L3带宽主存带宽 内存带宽测试常见的内存带宽测试有STREAM、babel-stream或者lmbench，可以学习它们是怎么写的。这里采用类似STREAM的方式（即通过四种kernel：copy, scale, add, triad来测试）。多次测试（NTIMES=20），去掉前3次的值，取最小时间。计时函数采用clock_
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2024-07-18 10:01:10
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