先来说一下电容的测量方式吧，电容测量方式有很多，其中一种是基于对RC 电路的时间常数的计算，电容的充电速度与R 和C 的大小有关，R 与C 的乘积越大，充电时间就越长。这个RC 的乘积就叫做RC电路的时间常数τ， 即T=R∙C。若R的单位用欧姆，C 的单位用法拉，则T的单位为秒
众所周知，电容是各种电路板中极其重要的元器件之一。它的种类繁多，功能也是层出不穷，尤其以滤波功能出名。那么，今天我们就来挖挖它的“黑历史”吧！把电容用于滤波电路，首先，我们得了解电容的自谐振频率以及它的实际等效模型。一个电容的实际模型是ESR（等效串联电阻）串联一个ESL(等效串联电感)，再串联一个电容。下图是实际旁路电容的模型。电容由于其自身的构造与材料的因素，等效于C,L,R组成的电路结构，会
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2024-10-20 19:06:54
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电容器并联时，相当于电极的面积加大，电容量也就加大了。并联时的总容量为各电容量之和：C并＝C1＋C2＋C3＋……
顺便说说电容器的串联。若三个电容器串联后外加电压为U，
则U＝U1＋U2＋U3＝Q1/C1＋Q2/C2＋Q3/C3，
而电荷Q1＝Q2＝Q3＝Q，所以Q/C串＝（1/C1＋1/C2＋1/C3）Q
1/C串＝1/C1＋1/C2＋1
电感式DC/DC 升压原理 什么是电感型升压DC/DC转换器？ 如图1所示为简化的电感型DC-DC转换器电路，闭合开关会引起通过电感的电流增加。打开开关会促使电流通过二极管流向输出电容。因储存来自电感的电流，多个开关周期以后输出电容的电压升高，结果输出电压高于输入电压。 决定电感型升压的DC-DC转换器输出电压的因素是什么？ 在图2所示的实际电路中，带集成功率MOSFET的
一、封装尺寸 下表就是贴片电容的所有标准封装尺寸信息：Ps: 公制为mm 英制为mil以及inch1mm=40mil 1mil=0.0254mm 1inch(英寸)=2.54cm=25.4mm=1016mil其中，A行代表英制单位封装信息，B行代表公制单位封装信息。平时说的0402
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2024-10-08 14:03:53
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在无源晶体的设计中，经常遇到负载电容CL的大小取值、晶振设计与精度的提高、KHz无源晶振的停止、音叉晶体谐振器的精度漂移以及精度和无源晶振在高温下的精度是否等于低温的精度烦忧的问题等。 无源晶体振荡器（包括KHz和MHz）是否能够直接参考规范中给出的CL值来设计？如果没有，对设计参考有什么经验价值？答：不能直接使用，建议CL值-2PF或3PF，然后乘以2。无源晶体振荡器（包括
Problem Description
Ivy_End最近得到了一大堆电容，他希望通过使用这些电容通过串联或者并联来得到一个任意电容的电路。
关于电容的串并联计算方法如下：
1. 假设两个电容为C1、C2，则串联后的电容为 C = (C1 * C2) / (C1 + C2)
2. 假设两个电容为C1、C2，则并联后的电容为 C = C1 + C2
综上所述，电容的串
3.1 电磁干扰 EMI第一个知识点， 去耦电容的应用。 那首先要介绍一下去耦电容的应用背景， 这个背景就是电磁干扰， 也就是“传说中” 的 EMI。1、 冬天的时候， 尤其是空气比较干燥的内陆城市， 很多朋友都有这样的经历， 手触碰到电脑外壳、 铁柜子等物品的时候会被电击， 这就是“静电放电” 现象， 也称之为 ESD。2、 不知道有没有同学有这样的经历， 早期我们使用电钻这种电机设备， 并且同
贴片钽电容简述 贴片钽电容(以下简称钽电容)作为电解电容器中的一类。广泛应用于各类电子产品，特别是一些高密度组装，内部空间体积小产品，如手机、便携式打印机 。 钽电容是一种用金属钽（Ｔa）作为阳极材料而制成的，按阳极结构的不同可分为箔式和钽烧粉结式两种。在钽粉烧结式钽电容中，又因工作电解质不同，分为固体电解质钽电容(Solid Tantalum)和非固体电解质钽电容。 其中，固体钽电解电
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2024-02-29 16:17:53
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贴片积层电容的材质规格 贴片电容目前使用COG(NPO)、X7R、Y5V、 Z5U、等不同的材质规格 。 Z5U电容器 Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不
电容等效电路为总阻抗 当（XL-XC）>0时为感性负载 ，（XL-XC）<0时为容性负载电容阻抗-频率曲线 电容在小于谐振频率应用时呈容性，大于谐振频率时呈感性N个相同电容并联后，ESR和ESL缩小N倍，容值增大N倍。 多个相同电容并联时，整体的阻抗趋势不变，各频率下整体阻抗下降。电容ESR相差不大时，不同电容并联后阻抗曲线如下 在0-f1时，两个电容同时呈现容性，总阻抗随着频率提升而
硬件学习笔记之电容选型之等效电路ESR和ESL前言： 我介绍了电阻电容的一般参数，下面我们讲总结一些电容的等效电路和ESR和ESL。电容的等效电路 首先我们先知道一点电容并不是我们所熟知的只有一个简单的只有一个容值。而是由上述的图片构成的。我们都知道构成电容的材质的电解质是不同的，虽然都是绝缘体，但是并不是完全的绝缘，它必然会有一定的阻值。有时候在数据手册上它会给出电容的绝对电阻，就想之前我们说的
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2024-07-03 08:55:08
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1.串联公式少一括号：C = C1*C2/(C1 + C2) 2.并联耐压数值按最小的计算，木桶原理 补充部分： 串联分压比—— V1 = C2/(C1 + C2)*V ........电容越大分得电压越小，交流直流条件下均如此 并联分流比—— I1 = C1/(C1 + C2)*I ........电容越大通过的电流越大，当然，这是交流条件下电容串联值下降，相当板距在加长，各容倒数再求和，再求倒
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2024-09-14 22:01:45
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前一阵朋友和我说当初用某型号LDO时，发现输出异常，仔细阅读datasheet后，更换输出电容解决。LDO的输出电容对性能至关重要，除了会提高电源抑制比PSRR抑制噪声外，对环路稳定性也至关重要，电容除了容值参数外还有ESR(Equivalent Series Resistance)等效串联电阻参数，二者在选型设计时都要仔细考虑。我们以PMOS LDO为例来仿真下ESR对LDO输出的影
文章目录一、叠加定理二、替代定理三、戴维宁定理什么是戴维宁定理：四、戴维宁定理的等效电路求解含受控源一端口的戴维宁等效电路求解方法:五、诺顿定理及其等效电路求解六、最大功率传输定理总结 一、叠加定理叠加定理：线性电路中，任一支路的电压或电流都等于 各独立电源单独作用在此支路所产生电压或电流的叠加。线性电路：电路所建立的方程中仅有线性项的电路 叠加定理的方法是设电压源不作用时计算的结果叠加上电流源
对于噪声敏感的IC电路，为了达到更好的滤波效果，通常会选择使用多个不同容值的电容并联方式，以实现更宽的滤波频率，如在IC电源输入端用1μF、100nF和10nF并联可以实现更好的滤波效果。那现在问题来了，这几个不同规格的电容在PCB布局时该怎么摆，电源路径是先经大电容然后到小电容再进入IC，还是先经过小电容再经过大电容然后输入IC。我们知道，在实际应用中，电容不仅仅是理想的电容C，还具有等效串联电
0.0040；对于浸渍纸膜复合介质单元，其值应不大于0.0022；其值对于浸渍全膜介质单元，应不大于0.0015.单元在其电介质允许最高运行温度下的损耗角正切值应不超过上述相应的规定值。1、介质损耗 什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。2、介质损耗角δ &nb
1. 去耦电容的选择电容类型总结表格实际的电容并不是理想，表现为：a.电容具有引脚电感，当频率高到一定的值后会使得电容的阻抗增加；b.电容具有ESR，这也会降低电容的性能；c.电容有温度特性，随着温度的改变，电容的介质属性会变化并引起容值的变化；d.电容的容值会由于介质老化而慢慢变化；e.电容过压会爆炸。当选择去耦电容时，充分理解上述非理想性是很重要的，串联电感和ESR的影响可以计算得到，关于温度
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2024-10-28 20:50:37
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电源设计中的电容应用实例电源往往是我们在电路设计过程中最容易忽略的环节。其实，作为一款优秀的设计，电源设计应当是很重要的，它很大程度影响了整个系统的性能和成本。 这里，只介绍一下电路板电源设计中的电容使用情况。这往往又是电源设计中最容易被忽略的地方。很多人搞ARM，搞DSP，搞FPGA，乍一看似乎搞的很高深，但未必有能力为自己的系统提供一套廉价可靠的电源方案。这也是我们国产电子产品功能丰富而性能
母线电容及其计算方法1.母线电容是什么？ 2.母线电容有什么作用？ 3.母线电容的参数。 4.母线电容参数计算。1.母线电容是什么？工程定义： （1）在电机控制器中，电池包的直流电作为输入电源，需要通过直流母线与电机控制器连接，该方式叫DC-LINK或者直流支撑，其中的电容我们称之为母线电容或者支撑电容或者DC-Link电容。由于电机控制器从电池包得到有效值或者峰值很高的脉冲电流的同时，会在直流支
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2024-09-26 15:19:47
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