PCB布线是ESD防护的一个关键要素，合理的PCB设计可以减少故障检查及返工所带来的不必要成本。在PCB设计中，由于采用了瞬态电压抑止器(TVS)二极管来抑止因ESD放电产生的直接电荷注入，因此PCB设计中更重要的是克服放电电流产生的电磁干扰(EMI)电磁场效应。本文将提供可以优化ESD防护的PCB设计准则。 1、电路环路 电流通过感应进入到电路环路，这些环路是封闭的，并具有变化的磁通量。电流的幅
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。 在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PC
1、WTW-28P 按键控制 PWM 输出应用电路软件设置： 按键控制模式。 I/O 口定义： 选取 I/O 口 P00、P01、P02、P03、P04、P05、P06、P07、P10、P11 作为触发口，在编辑 WT588D 语音工程时，把触发口的按键定义为可触发播放的触发方式，就可进行工作。 BUSY 输出： P17 为 BUSY 忙信号输出端，可从上位机软件端设置为播放状态输出为高电平或低电
[color=darkred][size=medium]三态缓冲器也称三态门，其典型应用是双向端口，常用于双向数据总线的构建。
在Verilog HDL中，inout型双向端口信号不能被定义成reg型变量，因此在always块内不能被直接赋值使用。
由于现在FPGA设计和外部存储器或CPU数据交换的频繁运用，以及引脚资源有限，使用双向端口设计可以成
1 引 言 静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展， CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为
在芯片测试过程中，ESD是一项非常关键的指标来表征芯片的可靠性。ESD在生活中随处可见，但在芯片测试中，将其归于几种模型，在保证其可靠性的同时，方便测试。 ESD测试归于两个大类，一种是芯片级ESD，另外一种是板级ESD。 先说芯片级ESD，我们日常使用芯片时，时不时会用手拿芯片，或者用镊子拿芯片，都会有或多或少的ESD。很多人说，不能用手拿，需要带静电手套。其实在我们平常的环境或者实验室
Type-C端口是根据USB3.x和USB4协议传输数据的，很容易受到电气过载（EOS）和静电放电（ESD）事件的影响。由于Type-C支持随意热插拔功能，其内部高集成度的芯片，更容易受到人体静电放电的伤害和损坏。同时，Type-C端口拥有更高的数据传输速率，对数据传输容错率有更严格的要求。为此，在Type-C端口进行电路设计时，电子工程师通常会选用ESD二极管为端口芯片安全性和稳定性保驾护航。
原创
2023-08-23 17:22:54
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静电放电(ESD - ElectroStatic Discharge)会给电子器件带来破坏性的后果，是造成集成电路失效的主要原因之一。
随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能。
如何使全芯片有效面积尽可能小、高抗ESD性
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。 因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。 所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。 静电，通常全都是人为产生的，如生产、组装
为此，电子设备中按键部位、接口部位以及触摸屏等防静电保护措施是非常有必要的。针对按键KEY接口静电放电问题，电子工程师通常会选用ESD静电保护二极管为其保驾护航。那么，用于保护按键KEY接口免受静电浪涌威胁的ESD二极管，该如何选型呢？
原创
2023-08-17 17:08:25
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BZA4008：4通道IO/总线防雷击IC
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2016-08-26 10:30:00
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USB外壳和信号地之间通常的做法是串联一个100K-1M电阻，并且并联一个0.01uF电容再接到信号地。这样一个阻容网络做法的原因是: 1、将影响外壳的噪声消除，不影响信号地； 2、迫使板子上电流是流入内部的信号地，而不是流到外壳。 3、USB接口外壳在主机端是与主机数字地相连，用作屏蔽，在终端处不能和其任何地直接相连，需通过100k-1M电阻与其数字地相连，并且电阻要并联0.01uF电容。
本文章将细谈对电路板提高静电防护的PCB设计方法，主要包括以下三个方面：元件布局设计、布线设计、铺地设计。 1.元件布局设计 在PCB板上ESD的损害主要表现在外部接口拔插时，ESD对PCB板和元件的损害，故PCB的元件布局就格外重要了，特别是ESD元器件（TVS管、LC滤波器、铁氧磁珠、高压电容等）的布局。 （1）敏感元件的布局：将MCU、晶振等敏感元器件尽量远离板边，同时要远离静电放
在数据传输过程中，还必须有时钟信号的参与，LVDS端口无论传输数据还是传输时钟，都采用差分信号对的形式进行传输。所谓信号对，是指LVDS端口电路中，每一个数据传输通道或时钟传输通道的输出都为两个信号（正输出端和负输出端）。LVDS端口广泛应用于高速数据信号传输，如打印机、LCD面板与转接板的连接等等。在日常使用中，LVDS端口芯片很容易受到ESD静电放电威胁和损坏。因此，在LVDS端口保护电路图设计中，需要选用合适的电路保护器件为LVDS端口保驾护航。之前，东沃电子科普过：汽车LVDS接口瞬态浪涌静电保护方案。接下来，东沃电子要科普的是：LVDS端口ESD静电放电保护经典方案。
原创
2023-08-03 16:42:12
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ESD是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路静电保护器件。ESD工作电压比较低，一般是根据IC的工作电压设计的，比如2.8V、3.3V、5V、12V、15V、18V、24V、36V等等。小体积，能够节约PCB空间。低结电容，最低可达到零点几皮法，非常适合高频信号传输的通信端口中。封装形式多样（SOD-323、SOD-523、SOT-23、SOT-553、SOT-563、SO-8、DFN1006-2L、DFN0603-2L、DFN0603-D等等），能够满足不同应用需求。
原创
2022-03-28 17:05:10
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作者：jianwave
电路级静电防护技巧（二） (2011-12-13 17:40) 当集成电路（ IC ）经受静电放电（ ESD） 时，放电回路的电阻通常都很小，无法限制放电电流。例如将带静电的电缆插到电路接口上时，放电回路的电阻几乎为零，造成高达数十安培的瞬间放电尖峰电流， 流入相应的 IC 管脚。瞬间大电流会严重损伤 IC
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层;损毁MOSFET和CMOS元器件的栅极;CMOS器件中的触发器锁死;短路反偏的PN结;短路正向偏置的PN结;熔化有源器件内部的焊接线或铝线。为了消除静电释放(ESD)对电子设备的干扰和破坏,需要采取多种技术手段进行防范。在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设
作者：凡亿pcb对ESD进行防护的最好方法，是敏感器件进行静电屏蔽和磁场屏蔽，静电屏蔽可用导电良好的金属屏蔽片来阻挡电场力线的传输。 一般有了静电屏蔽，磁场屏蔽就不再是十分需要的了，因为当高频磁力线穿过金属屏蔽片时，会在金属屏蔽片中感应产生回路电流(涡流)，此电流产生磁场方向正好与干扰磁场的方向相反
ESD(静电放电)是CMOS电路中为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。 1、引言 静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特
TPM模块的介绍简介用途标准 简介TPM模块：英文全称：Trusted Platform Module（可信平台模块） 其是一种安装在计算机内部的芯片。 该芯片是一种植于计算机内部为计算机提供可信根的芯片。 该芯片的规格由可信计算组（Trusted Computing Group）来制定。用途其可以有效的保护计算机，防止被非法访问。TPM安全芯片用途十分广泛，配合专用软件可以实现以下用途： 1、
