hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
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1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒