注：本文网上查的几份资料整理而成
FLASH:存储单片机运行的程序，表格数据等，可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的。
SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据，从新上电数据丢失 ；一般容量较小，几十KB到几MB大小，可做CPU缓存。
EEPROM：分串行和并行两种。视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改， 从新上电仍存在的数据。 存储当前工作状态。例：电视机中用户改了音量值之后，这个值就是保存在这里的，当再次开机时，系统就会先把这个值读到然后音量设置到关机前的状态，当用户再次更改音量时，这个值会被重新改写。
SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同 容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按块（BLOCK）操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM则更多的用作非易失的数据存储器。当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。一般来说eeprom中存放开机是用到的参数，不可丢失的变量等，而FLASH中会存放程序，记录文件等。
例：你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入，意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。当用来保存设备工作状态，等灵活而又独立的信息时最好用EEPROM。
