在半导体制造中会使用很多英文词汇，而英文词汇在翻译为汉语的过程中，意思往往会出现偏差，后面的几期，Tom会针对几大工序中常见的半导体术语做一个归纳总结，有些术语会做必要的解释。
1，alignment：对准
2，ARC：抗反射层，其中BARC是底部抗反射层，TARC是顶部抗反射层，见文章：芯片制造中的抗反射层（TRAC&BRAC）
3，bake，oven：烘烤，soft bake是软烘，匀胶之后，hard bake是后烘，显影之后，PEB是曝光后烘烤，见文章：
4，CCD：charge coupled device，电荷耦合阵列成像探测器
5，CD：critical dimension，特征尺寸，即线宽，芯片上最小尺寸，CD-SEM与普通SEM有哪些区别？
6，contrast：对比度
7，developer dispense：喷淋式显影
8，DI water：去离子水
9，DOF：Depth of Focus，焦深
10，DUV：deep ultraviolet，深紫外线
11，EBR：edge bead removal，边缘胶去除
12，EUV：extremely ultra-violet，极紫外
13，Exposure：曝光
14，gap：间隙
15，G/H/i line：G线，H线，i线，波长分别为436nm，405nm，365nm，
16，HMDS：六甲基二硅氮烷，见文章：气相 HMDS工序介绍
17，hydrophobicity：疏水性，见文章：晶圆表面的亲水性与疏水性
18，LWR：线宽粗糙度
19，leveling：找平
20，MEF：mask error factor，掩膜板误差因子，在硅片上曝出的线宽对掩膜板线宽的偏导数
21，metrology：量测
22，NA：Numerical Aperture，数值孔径，
23，Overlay Accuracy：套刻精度，见文章：什么是光刻的套准精度？
24，PAG：光酸产生剂
25，pellicle：掩膜板保护膜，见文章：光刻掩膜版保护膜是什么？
26，Photolithography：光刻
27，photoresist，resist：光刻胶
28，puddle：显影液在晶圆表面停留
29，reticle，mask，photomask：掩膜版，光罩，见文章：光刻掩膜版怎么制作的？
30，resolution：光刻的分辨率，见文章：光刻机的分辨率越高越好吗？
31，rinse：清洗
32，shot：曝光区域，见文章：stepper的shot是什么样的？
33，sidewall angle：侧墙倾斜度
34，slit：狭缝
35，standing wave：驻波，见文章：光刻中的驻波效应
36，step-and-repeat：步进分块曝光，stepper的基本原理
37，step-and-scan：步进分块扫描曝光，scanner的基本原理
38，spin dry：甩干，见文章：晶圆甩干机（SRD）介绍
39，thickness：厚度
40，undercut：内切
41，UV：紫外线（光）
42，wave length：波长，见文章：为什么光刻区要用黄光灯？
由于篇幅有限，今天先总结到这里，下期继续总结。
