一、PN 结
1、本征半导体：高温或光照等情况下导电，其他情况基本不导电；
2、杂质半导体：P型掺杂（三价硼，空穴是多子，电子是少子）；N型掺杂（五价磷，空穴是少子）；掺杂的半导体不带电是因为多子还是在掺杂原子周围；
3、PN结内电场阻止了多子的扩散运动，促进了少子的漂移运动；
4、PN结加正向电压：抵消内电场作用（一般为硅二极管0.7V）
5、PN结反向击穿：电压不增加，电流增加（稳压二极管）；齐纳击穿（可逆，外加电压不用很高，低于5V）一般发生在高掺杂浓度PN结；
6、反向雪崩击穿（高于6V）：不可逆，掺杂浓度低，外加电压极高；
二、常用基础元件引脚识别
1、电容：钽电容有标识的是正极，其他一般有标识的是负极或长脚是负极；
2、三极管：TO-92（直插）：从平面看E、B、C；SOT-23（贴片）：单独一侧是C，逆时针B、E；
三、稳压二极管
1、反向击穿前后，阻值变小，电流增大；
2、反向电流不小，会有能耗，超过最大反向电流会损坏；
3、稳压二极管配合三极管的降压电路：①三极管在放大状态的功率比较大（两端电压*电流），在饱和状态压降很小；②负载所需电流为主动电流，优先满足；
四、瞬态抑制二极管（TVS）
1、抑制浪涌电压；
2、截止电压不小于被保护电路的工作电压；
五、双向触发二极管
1、大于Vbo即可导通，导通后压降下降，电流上升；
