书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片上亚微米颗粒的去除方法
编号：JFKJ-21-619
作者：炬丰科技
变形的亚微米颗粒的粘附和去除机理在以前的许多研究中没有被提及。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5 m)沉积在硅片上，并通过旋转冲洗和兆频超声波清洗去除。颗粒滚动被认为是从硅片上去除变形亚微米颗粒的主要机制。兆声公司提供了更大的流动速度，因为极薄的边界层导致更大的去除力，能够实现污染颗粒的完全去除。
亚微米颗粒与表面的粘附和分离在半导体工业中具有重要意义。集成电路制造中超过50%的产量损失是由于器件晶片上的微污染造成的。随着特征尺寸不断缩小，避免污染的技术和保持晶片表面清洁的工艺变得至关重要。将低k聚合物引入下一代半导体器件晶片的效果产生了从半导体表面去除聚合物颗粒的需求。为了去除颗粒，有必要了解颗粒和接触的基底之间的粘附和变形。
尽管已经使用不同的清洁技术进行了颗粒去除的研究，但是在许多颗粒去除研究中没有涉及变形颗粒的去除。亚微米聚苯乙烯乳胶颗粒(0.1-0.5 m)沉积在硅片上，并通过旋转冲洗和兆频超声波清洗去除。颗粒滚动被认为是从硅片上去除变形亚微米颗粒的主要机制。兆声清洗提供了更大的流动速度，因为极薄的边界层导致更大的去除力，能够实现污染颗粒的完全去除。
我们做了颗粒粘附和去除实验，实验结果可以从这几个方面来分析：附着力，流场，移除力，移除机制。
首先是附着力，在实验测量期间，颗粒沉积时间被限制在1分钟。在这么短的时间内，几乎没有塑性变形。然而，一旦粘附力作用在PSL粒子上，就会发生弹性变形。对于空气中不同尺寸的颗粒，接触半径a可以从JKR模型(方程4)中获得，颗粒/基底在水中的附着力是空气中的1/6。由于颗粒变形而产生的附加粘附力远大于未变形颗粒的粘附力。直径为0.1-0.5 m的PSL粒子的计算弹性接触半径和附着力如图所示。2.和图。3、分别。包含变形效应的附着力比不考虑变形的附着力大得多。
在流场，移除力，移除机制方面结果：略
