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刷新——对DRAM定期进行的全部重写过程;

刷新原因——因电容泄漏而引起的DRAM所存信息的衰减需要及时补充,因此安排了定期刷新操作;

常用的刷新方法有三种——集中式、分散式、异步式。

刷新与再生的比较:

共同点:

•动作机制一样。都是利用DRAM存储元破坏性读操作时的重写过程实现;

•操作性质一样。都是属于重写操作。

区别:

•解决的问题不一样。再生主要解决DRAM存储元破坏性读出时的信息重写问题;刷新主要解决长时间不访存时的信息衰减问题。

•操作的时间不一样。再生紧跟在读操作之后,时间上是随机进行的;刷新以最大间隔时间为周期定时重复进行。

•动作单位不一样。再生以存储单元为单位,每次仅重写刚被读出的一个字的所有位;刷新以行为单位,每次重写整个存储器所有芯片内部存储矩阵的同一行。

•芯片内部I/O操作不一样。读出再生时芯片数据引脚上有读出数据输出;刷新时由于CAS信号无效,芯片数据引脚上无读出数据输出(唯RAS有效刷新,内部读)。鉴于上述区别,为避免两种操作混淆,分别叫做再生和刷新。

CPU访存周期与存取周期的区别:

CPU访存周期是从CPU一边看到的存储器工作周期,他不一定是真正的存储器工作周期;存取周期是存储器速度指标之一,它反映了存储器真正的工作周期时间。

分散刷新是在读写周期之后插入一个刷新周期,而不是在读写周期内插入一个刷新周期,但此时读写周期和刷新周期合起来构成CPU访存周期。

刷新定时方式有3种而不是2种,一定不要忘了最重要的异步刷新方式。

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