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1 Flash存储阵列结构及存储原理
1.1 NOR flash
1.2 NAND flash
1 Flash存储阵列结构及存储原理
1.1 NOR flash
我们有了基本存储单元后，就要通过某种方式将基本存储单元连接到字线和位线上，通过选中字线和位线来访问对应的存储单元。
如下为一个2字x 8位的nor flash结构存储阵列示意图。WL为字线、BL为位线。其中位线在正常读操作过程会被充电到高电平，且位线输出还有一个反相器，这个图里没有画出。数据存储单元并联在位线上，其结构类似一个NOR或非门，所以叫NOR flash。
下面说明其读、写、擦的工作原理：
擦除：WL0、WL1接地，BL0~BL7接地，VS加12V电压，浮栅中的电子通过FN隧穿效应被拉回到源极，即都被改写成了1。
写入：注意写只能写0，写1和擦除原理一样。假设要对WL0字线单元写入10100010，此时VS接地，WL0加12V电压，WL1接地，同时，将要写0的单元，也就是需要电子注意浮栅的单元的漏极接高压来产生热电子注入，也即BL6、BL4、BL3、BL2、BL0接12V，并使BL7、BL5、BL1浮空。则存储单元T06、T04、T03、T02、T00发生热电子注入使浮栅充电，使管子的开启电压阈值升高（约7V），从而写入0。T07、T05、T01无法发生热电子注入，故其保持擦除时的“1”信息。而WL1因接地，存储电源里的信息不变。
读取：假设要对WL0字线单元进行读出。VS接地，位线BL0~BL7均被预充电至高电平，约1V~2V，WL1接地。WL0接3V~5V的电压，浮栅中已经注入电子的T06、T04、T03、T02、T00单元，其开启电压为7V，所以管子不会导通，所以位线BL6、BL4、BL3、BL2、BL0电压保持预充的1V~2V不变，而T07、T05、T01浮栅中没有电子，管子会导通，将位线BL7、BL5、BL1下拉至0V，然后位线电压反相后输出10100010。
1.2 NAND flash
从以上NOR flash的阵列结构可以注意到，整个阵列中所有晶体管的源极都连接到了VS，所有漏极都连接到了位线上，这些连接在芯片版图里将占据较大面积。为了避免这些开销，采用了另一种阵列结构，也就是nand。
如下是一个8字x 8位的nand flash结构存储阵列示意图。一串存储单元串接在位线上，另外最上方还有一个位线选择晶体管，最下方还有一个地线选择晶体管，用着两个管子来选中相应的位线。同样位线的充电和输出反相没有画出来，其结构类似于NAND与非门，所以叫nand flash。
擦除：WL0~WL7接地，VS、BL0~BL7浮空，衬底加高压20V，浮栅中的电子通过FN隧穿效应被拉回到衬底，即都被改写成了1。擦除的单位是所有共衬底的单元中字线接地的部分，一般是一个block，通常一个block是由多根字线（比如64根）构成的阵列组成。
注意nand flash不能随机编程，只能按地址顺序编程（我个人理解从阵列本身操作来说是可以随机编程的，给相应的字线、位线电压即可。其实这个是和ECC相关，具体原因我们后续分享），只能WL0，接着WL1~WL7，写入最小单位为page。编程时，写入的字线加高电压20V，其余字线加10V，衬底接地，VS浮空，若要写0，将相应的位线接0V，即漏极接0V，则控制栅和漏极间的20V 将产生FN隧穿效应，使浮栅充上电子，抬高此管的开启电压，完成写0。若要写1，将相应的位线接10V，即漏极接10V，则控制栅和漏极间的只有10V压差，无法产生FN隧穿效应，则浮栅上没有充上电子，即保持为1。
读取过程只能顺序读，不能随机读（同样和ECC相关，如果软件没有适配ECC功能，原理上可以随机读）。
