//存储器种类
计算机用存储器来存储数据和代码两部分内容。
要根据储器掉电后存储的内容是否丢失，分成“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。
一般的易失性存储器存储速度快如内存，非易失性存储器能长期保存数据如硬盘。
RAM存储器
1、命名：
RAM=random access memory，翻译为随机访问存储器。历史原因和磁鼓存储器的顺序读写有关，现在代指易失性半导体存储器。
2、分类：
根据存储机制，分为DRAM动态随机存储器和SRAM静态随机存储器。
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3、DRAM==dynamic RAM;
存储单元以电容电荷来表示数据， 电容有电代表1，否则为0。时间长了有电的电容会放电，无电的电容会吸收电，因此需要定期刷新，这就是dynamic表示的特性。分类：
[1]SDRAM==synchronous DRAM
根据通讯方式不通过，分成同步DRAM和异步DRAM两种，这两种方式根据通讯时是否需要时钟来区分。利用时钟进行同步通讯的时序，上升沿表示有效数据：
SDRAM=用时钟同步的通讯方式速度更快，使用更广泛。
[2]DDR SDRAM==double data rate SDRAM
SDRAM只在上升沿表示有效数据，一个时钟周期内只能表示一个数据；而DDR SDRAM在时钟的上升沿和下降沿各表示一个数据，一个时钟周期内能表示2个数据，同频率下提升一倍速度。
DDRII和DDRIII ，通讯方式并没有区别，主要是通讯同步时钟的频率提高了。
4、SRAM
static RAM; 存储单元以锁存器来存储数据，这种电路结构不需要定期刷新充电，所以相对成为static。也有同步SSRAM和异步SRAM。
5、DRAM和SRAM的应用场合
SRAM一般只用于CPU内部的高速缓冲Cache，而外部扩展的内存使用SDRAM。
@在 STM32 系统的控制器中，只有 STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展 SDRAM，其它型号如 STM32F1、 STM32F2 及 STM32F407 等型号只能扩展 SRAM。
///非易失性存储器=ROM
1、分类：半导体类 ：ROM和FLASH； 非半导体类：光盘、软盘、机械硬盘。
2、命名由来： ROM=read only memory. 原意为 只读存储器，现在代指 非易失性半导体存储器，含FLASH。
3、ROM分类：
[1]MASK ROM：掩膜半导体，内部数据在出厂时固化不能修改。
[2]OTPROM：one time programble ROM ,一次可编程存储器。出厂时内部空白，用户只能一次性写入。
[3]EPROM： erasable programmable ROM, 可重复擦写存储器。区别OTPROM进行改进，特点是使用紫外线找些芯片内部擦除数据，擦除和写入都要用专用设备。现在被EEPROM淘汰替代了。
[4]EEPROM：electrically erasable programmable ROM,
主流ROM，它能直接使用电路控制重复擦写，而且按字节为单位修改数据，不需要擦除整个芯片。
FLASH存储器
1、命名：
又称为闪存、FLASH ROM。
2、分类：
根据存储电路不同分为：NOR FLASH和NAND FLASH。
3、基本特性(NOR和NAND共有)
[1]可重复擦写。
[2]写入前必须有擦除动作。
[3]容量比EEPROM大，以多个字节为单位擦除。如有NAND FLASH以4096字节为扇区作为最小擦除单位。
[4]擦除次数有限，一般10万次左右。接近寿命后导致写操作失败。NAND FLASH整块擦写，有一位失效会出现会坏块，寿命小于NOR。需要用探测/错误更正(EDC/ECC)算法保证数据正确性。
4、NOR和NAND差异：
【1】NAND FLASH相比于NOR： 便宜； 集成度高； 连续存储；地址和数据线共用；必须以块为单位读写；读取速度低；写入速度快，坏块多，不支持XIP。
@区分擦除和读写，两个都是以扇区/块为单位擦除，但nor可以基于字节读写，但nand必须基于块为单位读写。
【2】两者主要区别：是否支持XIP
NOR地址线和数据线分开，CPU可以按字节读写数据，符合CPU的指令译码要求。NOR可以当做断电后不丢失数据的RAM，只是擦除单位不同和读写速度慢于RAM。
NAND地址线和数据线共用，只能按块读写数据，不能直接返回指定地址的数据。代码要先加载到RAM，再由CPU执行。
【3】nor和nand使用场合
nor一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间；
nand多用在 多用于大数据量存储，如nand,sd卡,u盘。
