为了解决辐射超标问题，将DDR2所有信号线埋入第三层，且将DDR2电源从第3层
移动至底层，其有以下优点：
1.第三层有足够空间布置信号走线；
2.可以屏蔽信号线对外辐射，但电源层自身对外也有辐射，此两者对外辐射强度孰
大孰小还需要数据验证。
从经验上进行判断应该是信号线对外辐射较大，但其较大值应该只是在较小频域范
围内存在；而电源平面由于对各种噪声而言是地平面，因而其对外辐射将在较大频域范
围内存在，但辐射幅值将会较小。
实验状态：样机一台
测试标准：ESD水平和垂直耦合测试
电压：2KV 4KV
存在现象：进行2KV和4KV耦合测试时，样机360°多处存在死机现象，越7秒后
重新启动开机。
造成死机原因一般为：
1.电源系统被干扰；
2.晶振电路停止工作；
整改过程如下：
1.将晶振两引脚添加ESD器件，无效；
2.使用铜箔将顶层电源区域进行屏蔽，无效；
3.将主板与外界所有连接线材拔掉，无效。
4.在毫无办法情况下，使用铜箔将DDR2电源大平面进行屏蔽，有明显好转。最后
去掉铜箔后，在平面360°范围内添加10个104电容到地，即可解决问题。
如下图中所示：
问题总结：
1.弄清死机和复位的区别。在整改过程中由于死机一段时间后也有复位现象出现，
一直把重点放在复位电路上而没有思路。仔细分析后死机后的复位是IC内部看门狗超
时而造成的复位和复位电路异常没有任何关系。
2.IC内部看门狗在正常工作，说明系统总电源及其分配机制正常工作，从电源系
统的完整性看其有效频率段为1M以下，对于静电产生的电磁波干扰基本无感。
3.DDR2电源波动余量为1.8V*10%=0.18V，非常敏感，这对其电源完整性要求非
常高。将电源大平面移动至外层时，造成电源系统阻抗增大完整性不足，抗干扰性下降。
