基本的存储器种类
存储器按其存储介质特性主要分为“易失性存储器”和“非易失性存储器”两大类。其中的“易失/非易失”是指存储器断电后，它存储的数据内容是否会丢失的特性。由于一般易失性存储器存取速度快，而非易失性存储器可长期保存数据，它们都在计算机中占据着重要角色。在计算机中易失性存储器最典型的代表是内存，非易失性存储器的代表则是硬盘。
易失性存储器
RAM 存储器
RAM 是“Random Access Memory”的缩写，被译为随机存储器。现在 RAM 已经专门用于指代作为计算机内存的易失
性半导体存储器。
根据 RAM 的存储机制，又分为动态随机存储器DRAM(Dynamic RAM) 以及静态随机存储器SRAM(Static RAM) 两种。
SDRAM
根据 DRAM 的通讯方式，又分为同步和异步两种，这两种方式根据通讯时是否需要使用时钟信
号来区分。
由于使用时钟同步的通讯速度更快，所以同步 DRAM 使用更为广泛，这种 DRAM 被称为同步动态随机存取存储器SDRAM(Synchronous DRAM)。
SRAM
SRAM 根据其通讯方式也分为同步 (SSRAM) 和异步 SRAM，相对来说，异步 SRAM 用得比较广泛。
DRAM 与 SRAM 的应用场合
DRAM 与 SRAM 对比如下图所示。
在实际应用场合中，SRAM 一般只用于 CPU 内部的高速缓存 (Cache)，而外部扩展的内存一般使用 DRAM。在 STM32 系统的控制器中，只有 STM32F429 型号或更高级的芯片才支持扩展SDRAM，其它型号如 STM32F1、STM32F2 及 STM32F103 等型号只能扩展 SRAM。
非易失性存储器
EEPROM
EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM) 是电可擦除存储器。EEPROM 可以重复擦写，它 的擦除和写入都是直接使用电路控制，不需要再使用外部设备来擦写。而且可以按字节为单位修改数据，无需整个芯片擦除。
现在主要使用的 ROM 芯片都是 EEPROM。
FLASH 存储器
FLASH 存储器又称为闪存，它也是可重复擦写的储器，部分书籍会把 FLASH 存储器称为 FLASH ROM，但它的容量一般比 EEPROM 大得多，且在擦除时，一般以多个字节为单位。如有的 FLASH存储器以 4096 个字节为扇区，最小的擦除单位为一个扇区。根据存储单元电路的不同，FLASH存储器又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH。 NOR FLASH 与 NAND FLASH 特性对比如下所示。
由于两种 FLASH 存储器特性的差异，NOR FLASH 一般应用在代码存储的场合，如嵌入式控制器内部的程序存储空间。而 NAND FLASH 一般应用在大数据量存储的场合，包括 SD 卡、U 盘以及固态硬盘等，都是 NAND FLASH 类型的。
参考：[野火EmbedFire]《STM32 HAL库开发实战指南——F103系列》—20220219.pdf
