新买了西部数据的1T硬盘，装机到台式机上。
个人笔记自用
主板信息
由于是新增的硬盘，需要连接到下面的M.2接口
硬盘信息
硬盘分区
存储器的知识
- 内存：一般用DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机访问存储器）做，掉电丢失数据
- 缓存（cache）：SRAM（Static Random Access Memory，静态随机访问存储器）组成，掉电也丢失数据，SRAM比DRAM速度快，但更贵。
- 硬盘：存储数据，非易失，断电后也存储。以上安装的1T的固态硬盘属于此类。其中硬盘分为固态硬盘（solid-state drive，简称SSD）和机械硬盘（hard disk drive，HDD）。
而固态硬盘使用的是Flash Memory。Flash 存储是电可擦除可编程（EEPROM，Electrically Erasable Programmable Read-only memory）的变种，数据的删除以块的方式进行。Flash起初由东芝于1984年提出。Intel在1988年推出商用的NOR Flash芯片，随后东芝在1989年推出NAND Flash技术，并转让给韩国三星（Samsung）公司。
Flash 技术的细节：利用浮栅晶体管存储数据。
对于NOR Flash，通常情况浮栅不带电荷，浮栅MOS（metal-oxide semiconductor）不导通，漏端处于高电平，表示数据1。写入数据时
写入数据时，浮栅场效应管的漏极和控制栅极都会加上较高的写入电压，源极接地，大量的电子从源极流向漏极，形成相当大的电流，产生大量热电子（处于激发态的电子），形成热电子效应，由于电子的密度大，有的电子就到达了衬底与浮置栅极之间的二氧化硅层，这是由于控制栅极加有高电压，在电场的作用下，这些电子又通过二氧化硅层到达浮置栅极，并在浮置册极形成电子团。即使在掉电的情况
下，浮置栅极上的电子团，仍然会长期保留，所以信息能够长期保存（通常来说，这个时间可达10年)。
由于浮置册极为负，所以控制栅极为正，在存储器电路中，源极接地，所以相当于场效应管导通，漏极电平为低，即数据0被写入。
擦除时，源极加上较高的编程电压，控制栅极接地，漏极开路。根据隧道效应和量子力学的原理，浮置栅极上的电子将穿过势垒到达源极， 浮置栅极上没有电子后，就意味着信息被删除了。
优点：由于热电子的速度快，所以写入时间短，并且数据保存的效果好，但是耗电量比较大。
每个浮栅场效应管为一个独立的存储单元。一组浮栅场效应管的漏极连接在一起组成位线，场效应管的控制栅极连接在一起组成选择线，可以访问每一个存储单元，也就是说可以以字节或字为单位进行寻址，属于并行方式。因此可以实现快速的随机访问，但是这种方式使得存储密度减低，相同容量时，耗费的硅片面积比较大，因而NOR Flash芯片的价格比较高。Nand Flash存储原理与NOR Flashi稍有不同，写入数据时，它不是利用热电子效应，而是利用了量子的隧道效应。在控制册极加上较高的写入电压，源极和漏极接地，使电子穿过势垒到达浮置栅极，并聚集在浮置栅极上，存储信息。擦除时仍利用隧道效应，不过是把电压反过来，从而消除浮置栅极上的电子，达到消除信息的结果。利用隧道效应，编程速度比较慢，数据保存效果差，但是很省电。
一组浮栅场效应管为一个基本的存储单元（通常为8位、16位）。一组浮栅场效应管串行连接在一起，一组场效应管只有一根位线，属于串行方式，随机访问速度比较慢。但是存储密度很高。
特点：读写操作是以页为单位的，擦除是以块为单位的，因此编程和擦除的速度都非常快；数据线和地址线公用，采用串行方式，随机速度慢，不能按字节随机编程。体积小，价格低。芯片内存失效快，需要查错和校验功能。
- SD 卡：Secure Digital Card
- TF卡：Trans Flash Card
