封装，Package，是把集成电路装配为芯片最终产品的过程，简单地说，就是把Foundry生产出来的集成电路裸片（Die）放在一块起到承载作用的基板上，把管脚引出来，然后固定包装成为一个整体。今天小编整理了40种常用芯片封装技术，一起来了解一下吧。

BGA 封装（ball grid array）

球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体（PAC）。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。


BQFP 封装（quad flat package with bumper）

带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起（缓冲垫）以防止在运送过程 中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm， 引脚数从84到196左右。


碰焊 PGA 封装（butt joint pin grid array）

表面贴装型PGA的别称。


C-（ceramic）封装

表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。


Cerdip 封装

用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECL RAM，DSP（数字信号处理器）等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP-G（G 即玻璃密封的意思）。


Cerquad 封装

表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的 Cerquad用于封装 EPROM电路。散热性比塑料QFP好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。


CLCC 封装（ceramic leaded chip carrier）

带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫 外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G。


COB 封装（chip on board）

板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。


DFP（dual flat package）

双侧引脚扁平封装。是SOP的别称。


DIC（dual in-line ceramic package）

陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称。

DIL（dual in-line）DIP 的别称，欧洲半导体厂家多用此名称

陶瓷DIP（含玻璃密封）的别称。


DIP（dual in-line package）双列直插式封装

插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。

引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinny DIP和slim DIP（窄体型DIP）。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷 DIP 也称为 cerdip。


DSO（dual small out-lint）

双侧引脚小外形封装。SOP的别称。部分半导体厂家采用此名称。


DICP（dual tape carrier package）

双侧引脚带载封装。TCP（带载封装）之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB（自动带载焊接）技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本按照EIAJ（日本电子机械工业）会标准规定，将DICP命名为DTP。


DIP（dual tape carrier package）

同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名。


FP（flat package）

扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP（见QFP和SOP）的别称。部分半导体厂家采用此名称。


Flip-chip

倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上 的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。

但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。


FQFP（fine pitch quad flat package）

引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP（见QFP）。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装PQFP（Plastic Quad Flat Package）PQFP的封装形式最为普遍。

其芯片引脚之间距离很小，引脚很细，很多大规模或超大集成电路都采用这 种封装形式，引脚数量一般都在100个以上。Intel 系列CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用 SMT 技术（表面安装设备）将芯片与电路板焊接起来。采用 SMT 技术安装的芯片 不必在电路板上打孔，一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现 与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT 技术也被广泛的使用在芯 片焊接领域，此后很多高级的封装技术都需要使用 SMT 焊接。

以下是一颗QFP封装的处理器芯片。0.5mm焊区中心距，208根I/O引脚，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，则芯片面积/封装面积=10×10/28×28=1:7.8，由此可见 QFP 比 DIP 的封装尺寸大大减小了。


CPAC（globe top pad array carrier）

美国某些半导体公司对BGA的别称。


CQFP（Ceramic Quad Flat-pack Package）

右边这颗芯片为一种军用芯片封装（CQFP），这是封装还没被放入晶体以前的样子。这种封装在军用品以及航天工 业用芯片才有机会见到。芯片槽旁边有厚厚的黄金隔层（有高起来，照片上不明显）用来防止辐射及其他干扰。外围有螺丝孔可以将芯片牢牢固定在主板上。而最有趣的就是四周的镀金针脚，这种设计可以大大减少芯片封装的厚度并提供极佳的散热。


H-（with heat sink）

表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。


Pin Grid Array（Surface Mount Type）

表面贴装型 PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的 底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多（250～528），是大规模逻辑LSI 用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。


JLCC 封装（J-leaded chip carrier）

J 形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称。部分半导体厂家采用的名称。


LCC 封装（Leadless chip carrier）

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN-C。


LGA 封装（land grid array）

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点（1.27mm中心距）和447触点（2.54mm中心距）的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。

LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI很适用。


LOC 封装（lead on chip）

芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。


LQFP 封装（low profile quad flat package）

薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。


L-QUAD 封装

陶瓷 QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。


MCM封装（multi-chip module）

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM-L，MCM-C和MCM-D三大类。

MCM-L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

MCM-C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM-L。

MCM-D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。


MFP 封装（mini flat package）

小形扁平封装。塑料SOP或SSOP的别称（见SOP和SSOP）。部分半导体厂家采用的名称。

MQFP 封装（metric quad flat package）

按照JEDEC（美国联合电子设备委员会）标准对QFP进行的一种分类。指引脚中心距为0.65mm、本体厚度为3.8mm～2.0mm的标准QFP（见QFP）。


MQUAD 封装（metal quad）

美国Olin公司开发的一种QFP封装。基板与封盖均采用铝材，用粘合剂密封。在自然空冷条件下可 容许2.5W～2.8W的功率。

MSP 封装（mini square package）

QFI的别称，在开发初期多称为MSP。QFI是日本电子机械工业会规定的名称。


OPMAC 封装（over molded pad array carrier）

模压树脂密封凸点陈列载体。美国一些公司对模压树脂密封BGA采用的名称。


P-（plastic）封装

表示塑料封装的记号。如PDIP表示塑料DIP。


PAC 封装（pad array carrier）

凸点陈列载体，BGA 的别称（见BGA）。


PCLP（printed circuit board leadless package）

印刷电路板无引线封装。日本富士通公司对塑料QFN（塑料LCC）采用的名称（见QFN）。引脚中心距有0.55mm和0.4mm两种规格。


PFPF（plastic flat package）

塑料扁平封装。塑料QFP的别称。部分LSI厂家采用的名称。


PGA（pin grid array）

陈列引脚封装。插装型封装之一，其底面的垂直引脚呈陈列状排列。封装基材基本上都采用多层陶瓷基板。在未专门表示出材料名称的情况下，多数为陶瓷PGA，用于高速大规模逻辑LSI电路。成本较高。引脚中心距通常2.54mm，引脚数从64到447左右。了为降低成本，封装基材可用玻璃环氧树脂印刷基板代替。也有64～256引脚的塑料PGA。另外，还有一种引脚中心距为1.27mm的短引脚表面贴装型 PGA（碰焊 PGA），（见表面贴装型 PGA）。


Piggy Back

驮载封装。指配有插座的陶瓷封装，形关与DIP、QFP、QFN相似。在开发带有微机的设备时用于评 价程序确认操作。例如，将EPROM插入插座进行调试。这种封装基本上都是定制品。