楼主换了新的工作,目前新公司的第一个项目在测试的时候发现以下的问题。

项目背景;

这一次的项目是已经研发完成了,我接手时已经小批量的SMT样机。这次的项目是一个WIFI无线产品,硬件电路采集后通过天线发送数据给APP。在测试过程中发现有以下3个问题。

问题

1.PCB发热严重

当我在测试时发现PCB整体的发烫很严重,测试了一下发现工作电流比较大,有接近200mA的电流。经过测试,发现发烫的地方主要有3个。第一个发烫的点时MCU的地下,第二个是MCU的电源电容还有LDO。仔细研究了一下,MCU的功耗比较大,这个只能通过GND铜皮大面积连接解决。还有就是MCU的电容接地不是很好,只是几个过孔接,如下图,还有3V3的线有点细。

emmc做成u盘速度慢怎么回事_emmc做成u盘速度慢怎么回事


再有就是LDO的接地又不是很好,背面的铜皮是完整的,只不过没有连接好

emmc做成u盘速度慢怎么回事_硬件工程_02


2.第二个问题就是发生的信号不好,这个和焊接的天线又很大的关系。我怀疑天线的信号被吸收掉一部分了,而且在焊接天线时不好焊接,被大点的电容挡住了,所以有时候焊接出来的样机信号不好。

emmc做成u盘速度慢怎么回事_软件工程_03


3.LED灯不够亮

在设计电路的设计中,LED是通过以下电路供电的

emmc做成u盘速度慢怎么回事_单片机_04


用PWM脚控制NPN三极管起到一个开关MOS管的左右,按照电路设计实际上LED的供电电压是3.3V,实际万用表测量只有2.5V,一开始我怀疑是电阻太大了占的导致电压小和电流小,实际测量MOS的D管的电压只有2.8V,我用示波器测量PWM波形和D级的波形是下图

emmc做成u盘速度慢怎么回事_单片机_05


当PWM低电平是,MOS管关闭了,D级的电压会通过电路放电,3.3V下降,所以用万用表测量D级的电压才会是2.5V。

解决方法

1.MCU的接地我通过背面的一整GND铜皮和电容,LDO的GND连接起来,同时还和电源的GND完整连接,实际打样回来发现效果改善很多。而且我把一些容量大点的电容也改成了大一点的封装。

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2.信号线的问题我还是像以前layout的时候把天线附近隔离好,不让GND吸收太多的信号,并且天线出脚走线加大线宽

emmc做成u盘速度慢怎么回事_单片机_07


3.PWM波形就把限流电阻调小点,并且让软件工程师把PWM波改为APP可调,作为亮度的调节。

总结

实际打样后焊接调试效果有改善