1、引脚定义
上面的方向是对emmc颗粒而言的
DS在hs400和hs400es模式下使用。其中emmc5.1才支持hs400es，对主机的数据读来说，采用的是DS的双沿，主机crc读和cmd读（只有hs400es支持）只是上升沿采样
常规的VCC是3.3V电压，VCCQ是1.8V电压
在上电或者复位后，只有DATA0用于数据传送，其他数据需要配置能用
2、速率及带宽及电压描述
每种模式的linux配置详见《linux如何配置emmc和sd卡的各种速率》
3、emmc卡的读写速率
Brand Name | Model Name | eMMC Level | Capacity | Work Mode | Card Work Clock | Write Speed (MB/s) | Read Speed (MB/s) |
Samsung | KLM4G1FETE-B041 | MMC v5.1 | 4GB | HS400 | 198MHZ | 23.3 | 258 |
Samsung | KLM8G1GETF-B041 | MMC v5.1 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 55.3 | 249.9 |
Samsung | KLM8G1GEME-B041 | MMC v5.1 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 41.3 | 125.1 |
Samsung | KLMAG1JETD-B041 | MMC v5.1 | 16GB | HS400 | 198MHZ | 53.4 | 258.1 |
Samsung | KLMAG1JENB-B041 | MMC v5.1 | 16GB | HS400 | 198MHZ | 48.2 | 207.6 |
Samsung | KLMBG2JETD-B041 | MMC v5.1 | 32GB | HS400 | 198MHZ | 111.4 | 279.7 |
Samsung | KLMBG2JENB-B041 | MMC v5.1 | 32GB | HS400 | 198MHZ | 76.8 | 243.5 |
Samsung | KLMCG2KETM-B041 | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 259.1 | 269.4 |
Samsung | KLMCG4JENB-B041 | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 143 | 251.9 |
Samsung | KLMCG2KCTA-B041 | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 239.5 | 268.6 |
Samsung | KLMDG4UCTA-B041 | MMC v5.1 | 128GB | HS400 | 198MHZ | 251.1 | 296.2 |
Toshiba | THGBMDG5D1LBAIL | MMC v5.1 | 4GB | HS400 | 198MHZ | 15.3 | 134.4 |
Toshiba | THGBMHG6C1LBAIL | MMC v5.1 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 32.7 | 167.9 |
Toshiba | THGBMHG7C1LBAIL | MMC v5.1 | 16GB | HS400 | 198MHZ | 118.7 | 184.6 |
Toshiba | THGBMHG8C2LBAIL | MMC v5.1 | 32GB | HS400 | 198MHZ | 170.7 | 230.1 |
Toshiba | THGBMHG9C4LBAIR | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 177.6 | 226.6 |
Kingston | EMMC04G-M627 A01 | MMC v5.1 | 4GB | HS400 | 198MHZ | 25.1 | 219.1 |
Kingston | EMMC08G-M325 X51 | MMC v5.1 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 78.7 | 207.5 |
Kingston | EMMC08G-T227 A01 | MMC v5.01 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 18.4 | 79.6 |
Micron | MTFC4GACAJCN-1M WT(JY976) | MMC v5.1 | 4GB | HS400 | 198MHZ | 13 | 146.5 |
Micron | MTFC8GAKAJCN-1M WT(JY995) | MMC v5.1 | 8GB | HS400 | 198MHZ | 18.8 | 153.3 |
Sandisk | SDINADF4-16G-1209 | MMC v5.1 | 16GB | HS400 | 198MHZ | 49.7 | 220.5 |
Sandisk | SDINADF4-32G-1209 | MMC v5.1 | 32GB | HS400 | 198MHZ | 144.6 | 222.7 |
Sandisk | SDINADF4-64G-1209 | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 94.6 | 239.9 |
Sandisk | SDINADF4-128G-1209 | MMC v5.1 | 128GB | HS400 | 198MHZ | 124.3 | 247.4 |
hynix | H26M78208CMR | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 143.1 | 254.5 |
hynix | H26M41208HPRN | MMC v5.1 | 64GB | ||||
hynix | H26M41208HPR | MMC v5.1 | 64GB | HS400 | 198MHZ | 37.3 | 192.9 |
Toshiba | THGBMNG5D1LBAIL | MMC v5.0 | 4GB | HS400 | 198MHZ | 14.1 | 139.7 |
4、上电时序
（1）如果设备不支持引导模式，或 BOOT_PARTITION_ENABLE 位被清除，设备立即进入
idle 状态。在 idle 状态下，设备忽略所有总线传输，直至接收到 CMD1
（2）CMD1 是用来协商工作电压范围，并轮询设备直至其结束上电过程的专用同步命令。
（3）在上电后，主机启动时钟并在 CMD 线上发送初始化序列。序列长度是以下最长者：
1 ms、 74 个时钟、电源爬升时间或引导操作时间。要额外提供 10 个时钟（除设
备准备好通讯后的 64 个时钟）以消除上电同步问题
（4）上电后， e•MMC进入pre-idle状态。各个电源的上电时间应小于为相应电压范围规定的
tPRU（tPRUH, tPRUL or tPRUV）
5、下电时序
（1）在从机进入休眠模式后，主机可以下电 VCC 以降低功耗。对于从机来说，在爬升到 VCC 之后再发送唤醒从单元的 CMD5（SLEEP_AWAKE）是必须的。
（2）如果 VCC 或 VCCQ 低于 0.5 V 超过 1 ms，从机都要返回 pre-idle 状态，并执行相应
的引导行为
6、电气特性
（1）有效电压组合
（2）上拉电阻要求
（3）电压峰值要求
IO电压，最大不能超过正常的0.9V，即1.8V+0.9V=2.7V
（4）漏极开路模式的电压判断
漏极开路模式下，高电平最小只能小0.2V，最大不能大于0.3V
（5）推拉模式的电压判断
注意：输出和输入不一样，输出条件最小1.8V-0.45V=1.35V为高电平，最大0.45V为低电平
对应输入条件： 0.65*1.8~1.8+0.3（1.17V~2.1V）为高电平，0-0.3 ~0.35*1.8（-0.3~0.63V）为低电平
7、单沿总线时序
注意：上升沿采样
（1）高速模式
最大频率52MHz
识别模式最大400Hz
clk的上升沿最大3ns，下降沿最大3ns
输入的cmd和data的建立时间最小3ns，保持时间最小3ns
（1）legacy模式
8、双沿总线时序
（1）高速ddr模式
9、HS200实现要求
（1）时钟要求
最大的低电平电压到最小的高电平电压的时间 需要小于1ns
占空比在30%~70%之间
（2）输入的时序要求
输入数据的建立时间最小1.4ns
输入数据的保持时间最小0.8ns
（3）输出的时序要求
10、hs400实现要求
