这里的思想主要是广义旁瓣相消器是LCMV的一种等效的结构。其主要涉及到的公式有：
这个降秩矩阵S的计算公式，和原论文相同。
首先介绍一下，为什么性能会提高，
这个，有的时候也说不准，这么做一定会提示性能，我们多半都是在理论上说得通的前提下，通过仿真去分析性能，然后来完善理论，这里我弄完这个部分之后，提升性能的原因有二：
一：一个是采用GSC算法进行降序之后，获得的降秩性能更优，具体可看GSC的相关理论；
二：第二是，这里采用Wq补偿的方式，在实际中，由于直接使用W降秩矩阵的时候，由于迭代得到的值，肯定会存在迭代步进的设置而导致最后迭代误差的影响，那么这里，通过Wq进行补偿，会在一定程度上弥补这个缺陷。
我们通过仿真可知，最后的误码率性能提升结果如下所示：
对于同样的误码率值，大概提升了0.3db，
对于同样的误码率值，大概提升了0.3db，
另外当SNR<0的时候，两个性能比较接近。但是放大之后仔细看，改进后的效果还是有略微的提升。
