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ASEMI低压MOS管SI2301参数：
型号：SI2301
漏极-源极电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：8V
漏极电流（ID）：2.3A
功耗（PD）：1.25W
储存温度（Tstg）：-55 to 150℃
静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：120mΩ
二极管正向电压（VSD）：1.2V
输入电容（Ciss）：880pF
开启上升时间（tr）：10nS
SI2301封装体积：
封装：SOT-23
总长度：2.95mm
本体长度：1.7mm
宽度：3.1mm
高度：0.5mm
脚间距：1.9mm
SI2301特征：
用于极低RDS（ON）的高密度电池设计
坚固可靠
外壳材料：模压塑料
