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力特碳化硅MOS管LSIC1MO120E0080参数:

型号:LSIC1MO120E0080

漏极-源极电压(VDS):1200V

连续漏电流(ID):25A

功耗(PD):214W

工作结温度(TJ):-55 to +175℃

零栅极电压漏极电流(IDSS):1uA

漏极源导通电阻RDS(ON):80mΩ

栅极阈值电压VGS(TH):2.8V

输入电容(CISS):1700pF

二极管正向电压(VSD):3.6V

反向恢复时间(trr):21ns

ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET_引脚

LSIC1MO120E0080封装尺寸:

封装:TO-247

总长度:22.03mm

本体长度:21.46mm

引脚长度:20.57mm

宽度:16.25mm

高度:5.3mm

脚间距:5.44mm

ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET_反向恢复_02

LSIC1MO120E0080特征:

针对高频、高效应用进行了优化

极低的栅极电荷和输出电容

用于高频开关的低栅极电阻

所有温度下的常闭操作

超低导通电阻

ASEMI代理力特LSIC1MO120E0080碳化硅MOSFET_封装_03

LSIC1MO120E0080应用:

高频应用

太阳能逆变器

开关模式电源

UPS

电机驱动

高压DC/DC转换器

电池充电器

感应加热