泡泡网SSD固态硬盘频道7月8日 三星前不久发布了850 Pro固态硬盘，性能提升并不明显，但是850 Pro它使用的是三星第二代的V-NAND闪存。测试显示其P/E循环寿命达到了6000次，大约是目前NAND的2倍，但没有达到三星官方所说的10倍可靠性。
三星前不久发布了新一代的850 Pro固态硬盘，在SATA 6Gbp接口的制约下，其性能提升相比840 Pro来说并不明显，但是850 Pro最引人瞩目的地方在于闪存——它使用的是三星第二代的V-NAND闪存。三星此前宣称V-NAND闪存的性能及可靠性都有明显提升，而850 Pro的10年质保多多少少也证明了这一点。
三星850 Pro固态硬盘的性能测试之前已经看过，这次我们来关心下使用V-NAND闪存的850 Pro在可靠性上到底如何，是不是真的像三星说的那么强。这次出手测试的还是Anandtech网站，来看下他们的分析测试结果。
Anandtech网站测试可靠性用的方法——通过SMART信息中的WLC( Wear Leveling Count)指数计算闪存的P/E擦写次数，下图中ID为177的指标就是WLC磨损水平计数，从100降到0意味着P/E次数用尽，不过WLC降到0也不代表SSD完蛋。
经过测试，原文称每60次P/E循环之后WLC指数会下降1(实际测试不会只测1个WLC指数下降的)，这意味着6000次之后WLC指数就会降低到0，也就是说850 Pro使用的V-NAND闪存的P/E寿命就是6000次，相比目前的2D闪存3000次的P/E寿命来说提升了一倍，但是与三星所说的10倍可靠性相去甚远。(PS：之前的新闻中记得三星说的都是两倍的可靠性，从3000到6000倒是正好符合这个2倍可靠性的说法。)
WLC指数从100降低到0，意味着NAND闪存的寿命将近，不过这并不是说SSD很快就完蛋了，实际上SMART信息中的WLC指标还是很保守的，就算是降到0，SSD还可以用很长时间，之前Techreport的SSD可靠性测试就证明了这一点，WLC降到0并不是世界末日，但是该指标一旦降到0了，说明SSD以后的使用还是会充满风险的，说不定什么时候就要挂掉了。
计算出了P/E寿命之后，再根据容量和预估的使用情况，我们就可以大体推算SSD的使用寿命了，这个方法在之前的文章中也有过介绍。
如果以每天写入20GiB数据，1.5倍写入放大来计算，128GB可以使用35年，1TB的甚至高达282年。再把使用情况加重一些，每天写入100GiB数据，写入放大率算作3，那么128GB依然可以使用7年，256GB、512GB及1TB则可以使用14、28、56年之多。
当然，上面的计算还是比较理想的结果，因为计算的是主机写入量，Anandtech又计算了最坏情况下也就是写入放大率最高时的情况。
根据主机写入量和NAND写入量来计算写入放大率，最坏情况下计算得出的是10.97x倍，下面的计算中算作11。
对于850 Pro的可靠性，Anandtech网站表示还会放入他们的企业级测试中进一步考验。下面再来看850 Pro的另一个问题——NAND闪存的核心面积。
三星之前的发布会上并没有公布850 Pro的NAND闪存的核心面积，Anandtech决定自己算一下，根据会场上公布的晶圆照，300mm晶圆上垂直方向有44个NAND核心，宽度6.8毫米。
至于如何计算，最简单的方式是再数下水平方向的核心数量，但是圆形晶圆的计算会很复杂，他们用的是PS工具，每个核心的长度大约是宽度的2.05倍，计算出来每个核心的长宽就是14x6.8毫米，面积约为95.4平方毫米。
根据核心面积和容量计算下每个NAND的容量密度，最高的是三星第一代V-NAND闪存，850 Pro的二代V-NAND位居第二，每平方毫米大约是0.9Gbit。■
