pspice中参数的意义

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mob604756f9c5f2 2014-01-10 15:00:00

有源器件在符号库中的名称（NAME）通常以关键字开头，后根长度不超过8个字符的字母或数字命名，如Q2N2222表示已知NPN型BJT。74系列的数字集成电路芯片以他们的模型号作为源器件名称。

有源器件的参数均在它们的模型中描述。在PSPICE中是按器件类型（DEVICE-TYPE）来建立模型的，这些类型如表（一）所示，同一类型的器件有相同的模型结构，只是具体参数值有所不同。例如，Q2N2222和Q2N3904均属NPN型BJT。

在模型库中，有源器件的模型名称（MODELNAME）与符号库中器件名称的命名方法类似。符号库（扩展名为slb的磁盘文件）与模型库（扩展名为lib的磁盘文件）是通过模型名称建立联系的。例如，Q2N2222、Q2N2222-X。

电路仿真的精度主要由元器件所选用的模型和模型参数来决定。PSPICE中选用了较精确的模型，其模型参数也很多，在多数情况下，可以忽略其中的许多参数。PSPICE在分析时使用这些参数的缺省值（DefaultValue计算机自动给出的值，也称为默认值）。表（二）给出了几种常用器件的模型参数。

表（二）几种器件常用的模型参数
元件模型	参数名	定义	缺省值	单位
D	IS RS N CJO VJ BV IBV	饱和电流寄生串联电阻发射系数零偏PN结电容结电势反向击穿电压反向击穿电流	1E-14 0 1 0 1 ∞ 1E-10	A Ω F V V A
BJT	BF NF VAF BR NR VAR CJE CJC RB RE RC VJE	正向电流放大系数正向电流发射系数正向Early电压反向电流放大系数反向电流发射系数反向Early电压 b-e结零偏电压电容 b-c结零偏电压电容零偏压基极电阻发射极电阻集电极电阻 b-e结内建电势	100 1 ∞ 1 1 ∞ 0 0 0 0 0 0.75	ＶＶＦＦ Ω Ω Ω Ｖ
MOSFET	VTO KP CBD CBS TOX CGDO CGSO CGBO	零偏阈压值电压跨导系数零偏压漏极-衬底结电容零偏压源极-衬底结电容氧化层厚度单位宽度的栅源覆盖电容单位宽度的栅漏覆盖电容单位长度的栅-衬底覆盖电容	0 0.02 0 0 1E-7 0 0 0	V mA/V2 F F m F/m F/m F/m
JEFT	VTO BETA LAMBDA RD RS CGS CGD	夹断电压跨导系数沟道长度调制系数漏极电阻源极电阻零偏压栅源电容零偏压栅漏电容	-2 0.1 0 0 0 0 0	V mA/V2 V-1 Ω Ω ＦＦ
GaAs MESFET	VTO BETA IS	夹断电压跨导系数栅PN结饱和电流	-2.5 0.1 1E-14	V A/V2 A

（三）信号源及电源

在电路描述中，信号源和电源是不可少的。实际上电源可以看作是一种特殊的信号源。在PSPICE中，信号源被分为两类：独立源和受控源。表（三）给出了几种独立源。在类型名前加V表示电压源，加I表示电流源。受控源共分四类，如表（四）所示，它们可用来描述等效电路。

信号源的参数可在其属性中定义。例如，脉冲源的初始电压U1、脉冲电压U2、延迟时间TD、上升时间TR、下降时间TF、脉冲宽度PW、周期PER等，均可在其属性窗中赋值。

表（六）列出了PSPICE教学版提供的一些主要的模拟器件。