一、mos管一差分对匹配
注意事项:
⒈差分对必须采用双排的共质心ABBA形式。除非在不重要的cell，得到电路准许才可画一排。★必须加dummy(一排，两排)
⒉在m<4的情况下，s/D端不合并的画法匹配度比源漏合并的高一些。具体看长度差距分析，超过4个不建议用s、D不合并方法
⒊★sTi效应:对器件有挤压效果，影响Id，
应对方法:dummy不算，从第一个有效器件量到边缘，为sa/sb，其宽>2um，STi的挤压效果对漏电流的影响趋于平稳
⒋BG，REF，EA，ADC，DAC，重要的op等，要加dummy，不是所有差分对都需要加dummy
⒌差分对连线要基本一致，相对应孔间距要一样，via>2，经过线覆盖程度要一样
6.尽量选用个数为2、4、8、16的管子来做ABBA匹配。如管子个数为16，当L值较大时，要做4排来匹配。主要看差分对画完后整体面积的长宽比例不能太大，最好不过3:1太多
7.除4层以上工艺，多数差分对都采用metal2跨过管子的匹配方式即可。4层以上用metal3，采用源漏端合并的匹配方式
8.高精度匹配的差分对，不加任何对匹配可能造成影响的因素，不可在管子上跨线(包括自身连接线)
ps:差分对的输入输出尽量不要平行/交叠(会相互干扰)
二、mos管一电流镜匹配
电流镜电路:
1.电路里s端连接电源，gate连接在一起的pmos管，且gate电位来源这些gate连接在一起的管子中的一路，即pmos电流镜。同理，NMos管s端连接地，其余相同
以nmos为例:
2.cascode结构的电流镜，在电流镜的基础上，紧挨着电流镜管子的通路上加一个开关管(开关管:通过这个管子来控制这条电流路径开关)，此开关管作用为增加此路的阻抗
增加阻抗的原理:
注意事项:
1.基准管子尽量放中间，若多个可放两边
2.做ABBA匹配的电流镜，不要放到整体电流镜边缘，尽量加dummy，横向放置(可能使电压开启时间不同或电压衰减)时也可不加dummy
3.(指数较少，面积较小)横向放置电流镜时，长的电流镜注意2头都要打接触孔，同时用metal连接在一起，特别要防止把电流镜的poly当连线使用
4.无论横放竖放，匹配要求较高时，管子s，D端不可合并，且各个管子s端和D端方向要一致
5.若采用电流镜和开关管合并一起匹配的画法，也就是Cascode的画法，注意电流镜的重要度是否大于整体匹配度。稍微复杂时，如果个数非常多，这时不需要纠结整体的s、d是否一致，关键是在电流镜的匹配。长度长时尽量化成两排或三排， 则尽量sd端方向一致。
6.有时候同一电流镜(gate连接到一起的电流镜属于同一电流镜)放到了不同的小cell里，重要电路的电流镜注意放到一起
ps:
1.差分对的s端尽量打在中间位置，到电流镜的距离尽量短
2.电流镜的gate上，尽量不要走出他的gate线之外的线，要走要和电路确认
3.个数少的电流镜尽量放中间
4.利用开关管的空间当线道，可节约面积
5.连线都用metal2，可当metal option用，改版方便
6.横向连接的管子注意gate上要用metal 1把两端连接在一起
