静电保护器件（ESD二极管）选型选用过程中，重点需要关注的参数有：反向截止电压、击穿电压、钳位电压、峰值脉冲电流、结电容等等。静电保护元件选型第一步需要确认的就是反向截止电压，ESD保护器件的反向截止电压比较低，一般是根据芯片电压来设计的，有2.8V、3.3V、5V、6V、12V、15V、24V、36V等等。关于静电保护器件反向截止电压参数怎么看呢？以ESD保护器件品牌厂家东沃电子（DOWOSEMI）推出的SD12T1G为例，查看“ESD-SD12T1G Datasheet”可知其参数详情如下：
√ Peak Pulse Power (8/20μs)峰值脉冲功率: 400W
√ Peak Pulse Current (8/20μs)峰值脉冲电流: 18A
√ Operating voltage反向截止电压: 12V
√ Breakdown Voltage (IT = 1mA)击穿电压: 13V
√ Clamping Voltage (IPP = 18A)钳位电压: 20V
√ Reverse Leakage Current (VRWM = 12.0V)漏电流: 0.5μA
√ Junction Capacitance (VR = 0V, f = 1MHz)结电容: 15pF
√ ESD per IEC 61000−4−2 (Air): ±30kV
√ ESD per IEC 61000−4−2 (Contact): ±30kV
√ Operating Temperature Range工作温度范围: −55°C to +125°C
√ Storage Temperature Range存储温度范围: −55°C to +150°C
√ Device Marking Code丝印代码: 12B
√ Package封装: SOD-323
√ Packaging包装: 3000/Tape & Reel
具体详情，可见“ESD-SD12T1G Datasheet”数据手册。ESD静电保护器件SD12T1G是款畅销、成熟型物料，保护器件品牌东沃电子常年备货、货源稳定、交期迅速、品质卓越、厂家价格、支持少量试产！
SD12T1G
