前言
本博文为个人在学习Cadence Virtuoso时的记录，巩固自己学习的同时，也给其他初学者一些参考，学习过程中使用到的软件为Cadence IC617运行在CentOS7系统下，参考的书籍为Razavi的《模拟CMOS集成电路设计》。
这是第一篇学习记录，里面记录了从新建自己的Library到画出一个NMOS器件的电路图并进行相关仿真。
目录
- 前言
- 一、新建Library
- 二、绘制原理图
- 三、仿真
- 定参数扫描变量仿真
- 简单的电路分析
- 扫描参数仿真
- 小结
一、新建Library
在Terminal中输入 “Virtuoso&” 打开软件（注意大坑：要在虚拟机断网的条件下打开，否则打开要很久）。
然后选择File->New->Library，开始新建自己的库。
在Name处输入自己Library的名称，然后右边Technology中选择第三项，依托于已有的工艺库创建自己的库。
这里我安装的是台积电65nm工艺库（tsmcN65），所以我选择这个，选择完成以后点击OK，自己的库就创建好了。
二、绘制原理图
接下来，选择File -> New -> Cellview 创建一个新的原理图。
在Cell处对自己的原理图命名，点击OK，进入绘制界面。
快捷键 “i” 可以选择要放置的器件，Library选择tsmcN65这个工艺库，在Cell处输入nch，选择标准的View，即symbol，点击Hide，放置好一个NMOS。
快捷键 “F” 可以将原理图缩放到合适的大小。
点击放置的NMOS，快捷键 “Q” 可以设置器件的相关参数，比如NMOS的尺寸等。
再在系统库analogLib中找到vdc、gnd，放置在图中。
快捷键 “W” 为布线，按照下图连线。
再分别设置V0和V1两个电源的参数，V0的电压设置为vgs，V1的电压设置为vds，也可以将这两个电压设置为具体的数值，比如3v，这里为了仿真的时候将电压数值进行变化扫描，所以设置为变量。
最后，点击左上角的Save & Check，没有报错即可，如果有，可以查看报错信息对应修改。
这是报错信息查看的地方。
三、仿真
定参数扫描变量仿真
点击 Launch -> ADE L, 进入仿真界面，接下来就是设置仿真参数。
在界面左侧右击，选择Copy From Cellview，这样我们设置的变量参数即可被添加进来了。
然后对参数赋初值，双击对应项即可编辑参数。
点击Outputs -> To Be Plotted -> Select On Design，这样就可以选择要输出的参数曲线。
选中线就是输出该线上的电压，选择节点就是输出该点的电流，选中的信号会闪烁或者被圈中，这里我选中的是漏端电压和电流。
下图中，框选的窗口就是要输出的信号，Plot复选框就是要不要将线条画出来，Save的意思很显然咯，就是数据要不要保存。
选择Analyses -> Choose，这样就可以选择我们要仿真的类型，比如时序仿真、直流仿真、交流仿真等等，这里我们是直流仿真，选择dc，勾选DC Analysis 中的 Save DC Operating Point，这样才能观察到仿真图，然后在扫描变量中勾选Design Variable 意思就是根据我们设计的变量选择要扫描的变量，选择vds，当然如果想观察随vgs变化NMOS输出的情况也可以选择vgs，然后在下面输入扫描的范围，这里是从0V - 3V，点击OK，就设置好了。
点击右边工具栏中绿色的开始按钮就可以开始仿真了，等待仿真结束，会自动弹出仿真图。
简单的电路分析
观察上图，先进行定性分析，由于Vgs初始值设定为2V，一定是大于阈值电压的，可以看到随着Vds的增大，NMOS先进入线性区，然后Vds继续增大，NMOS进入饱和区，由于沟道调制，所以电流并不会恒定不变，而是继续有增大的趋势。再进行定量分析，根据平方律，考虑沟道调制效应，电流公式为
其中、W、L已知，选取饱和区任意三个点，列方程即可解得
、
、
等参数。
扫描参数仿真
点击Tools -> Parametric Analysis ，可以改变不同Vgs作为参数进行仿真。
将参数选择为vgs，变化范围从0.3V - 2.5V，仿真点数选择为6。
然后点击右上角开始按钮即可开始仿真，等待得到仿真结果如下。
小结
第一次使用Cadence Virtuoso的记录就到此为止啦，主要是一些基本的软件操作和仿真设置，学会这些，才能配合课内学习的理论知识进行仿真，后面会配合在Razavi的《模拟CMOS集成电路设计》中学到的基础的电路进行仿真，直到能自己设计一些电路，加油，ICer！
