1、时序不同
也就是响应时间不同,单位为时钟周期。
2、性能不同
其他条件相同的情况下,数字越小性能越好。
3、价格不同
其他条件相同的情况下,数字越小价格越高。
4、颗粒不同
内存中使用的颗粒不同,数字越小颗粒越好,超频的潜力越高。
5、间距不同
C14和C16是卡槽间距不一样。
时序表图示:
扩展资料
内存时序包含描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,它们的单位为时钟周期。它们通常被四个用破折号分隔开的数字表示,例如16-16-16-36。
CAS延迟(CL):发送一个列地址到内存与数据开始响应之间的周期数。这是从已经打开正确行的DRAM读取第一比特内存所需的周期数。与其他数字不同,这不是最大值,而是内存控制器和内存之间必须达成的确切数字。
RAS到CAS(TRCD):打开一行内存并访问其中的列所需的最小时钟周期数。从DRAM的非活动行读取第一位内存的时间是TRCD+ CL。
RAS预充电(TRP):发出预充电命令与打开下一行之间所需的最小时钟周期数。从一个非正确打开行的DRAM读取内存第一比特的时间是TRP+ TRCD+ CL。
周期时间(TRAS):行活动命令与发出预充电命令之间所需的最小时钟周期数。这是内部刷新行所需的时间,并与TRCD重叠。在SDRAM模块中,它只是TRCD+ CL。否则,约等于TRCD+ 2×CL。
内存条的作用
内存是电脑(PC机、单片机)必不可少的组成部分。与可有可无的外存不同,内存是以总线方式进行读写操作的部件;内存决非仅仅是起数据仓库的作用。
除少量操作系统中必不可少的程序长驻内存外,我们平常使用的程序,如Windows、Linux等系统软件,包括打字软件、游戏软件等在内的应用软件,虽然把包括程序代码在内的大量数据都放在磁带、磁盘、光盘、移动盘等外存设备上,但外存中任何数据只有调入内存中才能真正使用。
电脑上任何一种输入(来自外存、键盘、鼠标、麦克风、扫描仪,等等)和任何一种输出(显示、打印、音像、写入外存,等等)无一不是通过内存才可以进行。
内存的分类
DDR内存条
内存分为DRAM和ROM两种,前者又叫动态随机存储器,它的一个主要特征是断电后数据会丢失,我们平时说的内存就是指这一种;
后者又叫只读存储器,我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序,然后再由它去调用硬盘中的Windows,ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。
根据内存条上的引脚多少,我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM,(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。
30线内存条已经没有了;前两年的流行品种是72线的内存条,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种;市场的主流品种是168线内存条,
168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种,一般的电脑插一条就OK了,不过,只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。
EDO和SDRAM
前面我们已经按引脚数的多少把内存条分为30、72和168线等几种,其实,它们在结构和性能上还有着本质的区别。
譬如,72线内存条是一种EDO内存,而现今主流的168线内存条几乎清一色又都是SDRAM内存;EDO内存的存取速度基本保持在60纳秒左右,能够适应75兆赫兹的外频,但跑83兆赫兹则有点勉为其难了;而SDRAM内存的存取速度一般能达到10纳秒左右,能够适应100兆赫兹以上的外频。
所以从97年底起EDO内存已逐步被SDRAM所取代,至今,几乎已无人再用EDO来装机了,只有升级扩充旧电脑内存时还用得着它。
其实,EDO内存被SDRAM所取代有其必然性,因为,市场上主流CPU的主频已高达2G赫兹,未来CPU的主频还会越来越高。但由于传统内存条的读写速度远远跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,从而大大降低了电脑的整体性能。
为了缓解这个内存瓶颈的问题,我们就必须采用新的内存结构,即SDRAM。因为,从理论上说,SDRAM与CPU频率同步,共享一个时钟周期。
SDRAM内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储阵列访问数据的同时,另一个已准备好读写数据,通过两个存储阵列的紧密切换,读取效率得到成倍提高。最新的SDRAM的存储速度已高达5纳秒,所以,SDRAM已成为内存发展的主流。